Growth and characterization of InSe single crystals
InSe tek kristallerinin büyütülmesi ve karakterizasyonu
- Tez No: 153303
- Danışmanlar: PROF. DR. BÜLENT GÜLTEKİN AKINOĞLU, YRD. DOÇ. DR. MEHMET PARLAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Bridgman tekniği, InSe, iyon ekme, elektriksel karakteriza- syon, optik karakterizasyon. vu, Bridgman technique, InSe, ion implantation, electrical characteriza tion, optical characterization
- Yıl: 2004
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZ InSe TEK KRİSTALLERİNİN BÜYÜTÜLMESİ VE KARAKTERİZASYONU Deniz, Derya Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bülent Akinoglu Ortak Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Dr. Mehmet Parlak Ağustos 2004, 66 sayfa. Bu çalışmada InSe tek kristalleri konvansiyonel 3-bölmeli Bridgman-Stockbarger sistemi kullanılarak büyütüldü. Katkılama etkisini gözlemlemek amacıyla, büyütü len kristallere N-iyonlari ekildi. Elektron mikroskobu ve X-ışmı kırınım cihazı kullanılarak, kristallerin tamkatlılığı ve yapısal Özellikleri incelendi. Örneklerin elektriksel özellikleri, 80-400 K sıcaklık aralığında iletkenlik ve Hail etkisi deneyleri yapılarak incelendi. Tavlama sıcaklığının optik soğurma ve fotoışıma tayflarına etkisini gözlemlemek amacıyla optik soğurma ve foto ışıma ölçümleri oda sıcaklığın da yapıldı. N iyonları ekilmiş kristallerin özdirençlerinin 103 ten 101 O-cm'ye düştüğü gözlendi. Etkin saçılma mekanizmalarını belirlemek amacıyla sıcaklık bağımlı iletkenlik ve Hail etkisi deneyleri yapıldı. Bu ölçümlerden, örneklerin ıı-tipi yarıiletkenler gibi davrandıkları gözlendi. Optik soğurma ölçümünden, InSe tek kristalinin direkt bant aralığına sahip olduğu gözlendi. Tavlamanın oda sıcaklığındaki optik soğurma ve foto ışıma tayfları üzerinde önemli etkileri olmadığı saptandı. vı
Özet (Çeviri)
ABSTRACT GROWTH AND CHARACTERIZATION OF InSe SINGLE CRYSTALS Deniz, Derya Ms., Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Bülent G. Akmoğlu Co-Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Mehmet Parlak August 2004, 66 pages. In this study, InSe single crystals were grown from the melt using conventional Bridgman-Stockbarger system. The grown crystals were implanted by N-ions to investigate the doping effect. The stoichiometry and the structural features were examined by scanning electron microscope and X-ray diffraction method, respec tively. We have observed that the ingot was stoichiometric and the structure was hexagonal. Temperature dependent conductivity and Hall effect measurements were carried out to investigate the electrical properties of as-grown, as-implanted and annealed samples within the temperature range of 80-400 K. To investigate the annealing effect on both the absorption and photoluminescence (PL) spectra, absorption and PL measurements were performed at room temperature. N- implantation reduced the resistivity order from 103 to 101 (fi-crn). We have used temperature dependent conductivity and Hall effect measurements to analyze the dominant scattering mechanisms. Hall measurements showed that all the samples had n-type conduction. Absorption measurements showed that InSe had direct band gap. It was ob served that annealing had almost no effect on both room temperature absorption and PL spectra of the samples. iv
Benzer Tezler
- InSe ve InSe:Bi yarıiletkenlerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Growth and electrical characterization of InSe and InSe:Bi semiconductors
UĞUR MUSTAFA AYDEMİR
- InSe ince filmlerin sılar yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of InSe thin films from silar technique
AYKUT ASTAM
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM
- InSe ve InSe:N yarıiletken kristallerinin büyütülmesi ve optik karakterizasyonu
Growth and optical characterization of InSe and InSe:N semiconductor crystals
MURAT SOYLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAHATTİN ABAY
- Growth and characterization of thermol SİO2 thin films
Başlık çevirisi yok
MERAL ÇELİK
Yüksek Lisans
İngilizce
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Growth and characterization of Ge thin films
Ge ince filmlerinin büyütülmesi ve karakterize edilmesi
ATEF QASRAWİ
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. İBRAHİM GÜRAL