GaAs-AlGaAs n-p diyotun dış elektrik ve manyetik alan altında alt bant popülasyonları ve elektronik özellikleri
Subband populations and electronic properties of GaAs-AlGaAs n-p diode under external electric and magnetic field
- Tez No: 121573
- Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Eğik Manyetik Alan, Elektrik Alan, AlGaAs n-p diyot, Yörünge Merkezi, Diyodlar, Elektrik alanları, Manyetik alanlar, Diodes, Electric fields, Magnetic fields, Orbit center
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
n ÖZET Yüksek Lisans Tezi GaAs - AlGaAs n - p DİYOTUN DIŞ ELEKTRİK VE MANYETİK ALAN ALTINDA ALT BANT POPÜLASYONLARI VE ELEKTRONİK ÖZELLİKLERİ ASLAN TÜRKOĞLU YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK ANABİLİM DALI MAYIS 2002 Danışman: Prof. Dr. YÜKSEL ERGÜN Büyütme doğrultusu ile 0°-30° arasında açı yapacak şekilde uygulanan dış manyetik alan altında bulunan ve sol tarafında GaAs kuantum kuyusu içeren AlGaAS n-p diyot için Schrödinger denkleminin analitik çözümü yapıldı. Elde edilen bu çözümler kullanılarak enerji özdeğerleri hesaplandı. Manyetik alan ve yörünge merkezinin değişimine karşı enerjideki değişim hesaplandı.
Özet (Çeviri)
ni SUMMARY MSc Thesis SUBBAND POPULATIONS AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs-AIGaAs n-p DIODE JJNDER EXTERNAL ELECTRIC AND MAGNETIC FIELD ASLAN TURKOGLU Cumhuriyet University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 2002 Supervisor: Prof. Dr. YÜKSEL ERGUN For AlGaAS n-p diode under external tilted magnetic field (0°-30° with growth direction) including GaAS quantum well in its left side, the Schrodinger equation is solved anaticalry. By using these results eigen energies are calculated. The alteration of energy due tö magnetic field and orbit center is calculated. KEY AVORDS: Tilted magnetic field, Electric field, AlGaAs n-p diod, orbit Center.
Benzer Tezler
- Rosenant tünelleme tristörlerinin incelenmesi
Resonant tunneling semiconductor power switches
BUKET BARKANA
Doktora
Türkçe
2005
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. HASAN HÜSEYİN ERKAYA
- Design fabrication and characterization of high performance resonant cavity enhanced photodedectors
Yüksek performanslı rezonant kavite katkılı fotodedektörlerin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu
NECMİ BIYIKLI
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN AYTÜR
- Fabrication and characterization of semiconductor double quantum well diode lasers
Çift kuvantum kuyulu yarıiletken lazerlerinin yapımı ve incelenmesi
BÜLENT EROL SAĞOL
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ SERPENGÜZEL
- GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the electro-optic features of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure and multiple quantum well IR photodetector
ASLAN TÜRKOĞLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri
Transport properties of InGaAs/GaAs and A1GaAs/GaAs semiconductors grown by MBE
SEFER BORA LİŞESİVDİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP