GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the electro-optic features of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure and multiple quantum well IR photodetector
- Tez No: 212464
- Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MOVPE, GaAs, AlGaAs, Fotolüminesans, Akım, Gerilim, MOVPE, GaAs, AlGaAs, Photoluminescence, Current, Voltage
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmanın ilk kısmında, MBE büyütme tekniği ile yurtdışında büyütülen n+-GaAs-n++-AlGaAs heteroyapıya yerleştirilen tek kuantum kuyusu ile elde edilen IR dedektörün potansiyel profilleri, elektronik yoğunluk profilleri ve altband enerjileri ile altband yerleşimleri self-consistent olarak, Poisson ve Schrödinger denklemleri birlikte ele alınarak hesaplanmıştır. Bununla birlikte numunenin akım-sıcaklık ve akım-gerilim eğrileri deneysel olarak ölçülmüştür. Elde edilen deneysel bulguların, yapılan teorik hesaplar ile uyumlu olduğu gözlenmiştir. Çalışmanın ikinci kısmında ise, n+-GaAs alt tabaka üzerinde Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) yöntemi ile hazırlanmış GaAs / 0.25 0.75 Al Ga As heteroeklem yapısı fotolüminesans ölçümleriyle incelenmiştir. Düşük sıcaklık bölgesinde ve daha yüksek sıcaklıklarda yapının akım-gerilim ölçümleri yapılmış ve elde edilen akım-gerilim eğrileri yorumlanmıştır.
Özet (Çeviri)
In the first part of this study, potential profiles, electron density profiles, subband energies and locations of IR detector obtained by depositing a single quantum well into the n+-GaAs-n++-AlGaAs growed by using MBE tecnique in England are calculated self consistently using both the Poisson and Schrodinger equations. Also, I-V and I-T curvature of the sample are measured. It is seen that experimental results are in agreement with theoretical calculations. In the second part, the GaAs 0.25 0.75 Al Ga As heterostructure prepared with Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) method is investigated by photoluminessance(?) measurements. I-V curve of the sample is commented at the low temperature region and hihger temperatures.
Benzer Tezler
- Elektrik ve eğik manyetik alan altındaki süperörgülerde elektronik enerji düzeyleri
Electronic energy levels in sperlattice structures under external electric and tilted magnetic fields
RANA AMCA
Doktora
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. İSMAİL SÖKMEN
- AlxGa1-x As / GaAs Graded ındex separate confinement heterostructure single quantum well lasers
AlxGa1-x As / Ga As değişken kırılma indisli ayrık hapisli heteroyapı tek kuvantum kuyulu lazerler
MÜMTAZ KORAY BOZKURT
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- Silindirik kuantum kuyusunda silindirik kuantum kuyusunda dielektrik sabiti uyuşmazlığının hidrojenik safsızlık bağlanma enerjisine etkileri
The effect over the binding energy of hydrogen like impurity of the dielectric constant mismatch in cylindirical quantum well
KAMİL ATASEVER
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. H. DOĞAN KARKI
- Çoklu kuantum tel ve noktalarının elektronik özellikleri
The electronic properties of multiple quantum wires and quantum dots
ABDULLAH BİLEKKAYA
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. ŞABAN AKTAŞ
- Kuantum noktalarının sonlu farklar yöntemi ile çözümü
Finite difference method aplication for quantum dots
YAŞAM SAFTEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ŞABAN AKTAŞ