Rosenant tünelleme tristörlerinin incelenmesi
Resonant tunneling semiconductor power switches
- Tez No: 198837
- Danışmanlar: PROF.DR. HASAN HÜSEYİN ERKAYA
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZETBu çalışmada Resonant Tünelleme Yarıiletken Kontrollu Anahtarı (RT-SCR) adıyla birhetero eklem yapılı bir p-n-p-n-p-n yarıiletken anahtar cihazı önerilmiştir. Bu yapıya aitakım gerilim ilişkileri iki transistor modeli ile ele alınmıştır. Cihazın dizaynında, tezdesunulan RTT dizaynı temel alınmış ve iki-transistör temelli bir model gerçekleştirilmiştir.AlGaAs/GaAs malzemeleri kullanılmıştır. Geometrik ve fiziksel özelliklere göre, RT-SCR'ye ait farklı akım-gerilim çalışma karakteristikleri elde edilmiştir. ResonantTünelleme yapısı ile yarıiletken güç anahtarlarının normal yapıya göre daha küçükakımlarla kontrol edilebileceği gösterilmiştir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACTIn this study, a p-n-p-n-p-n semiconductor switch design with heterojunction structure issuggested to be called Resonant Tunneling Semiconductor Controlled Switch (RT-SCR).Current-voltage characteristics of this structure is studied with a two-transistor model. Inthe design of the device, an RTT and a regular BJT are used. AlGaAs/GaAs materials areused in the structure. For various geometrical and physical features, different current-voltage characteristics for RT-SCR are found. Resonant Tunneling semiconductor powerswitches require less turn-on currents than the conventional semiconductor powerswitches.