Fabrication and characterization of semiconductor double quantum well diode lasers
Çift kuvantum kuyulu yarıiletken lazerlerinin yapımı ve incelenmesi
- Tez No: 79325
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ALİ SERPENGÜZEL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yarıiletken diyot lazerleri, kuvantum kuyusu, Fabry-Perot, lazer tayfı, eşik akımı, kazanım bant aralığı, halka lazeri ıı, Lazerler, Yarı iletkenlik, Semiconductor diode lasers, quantum well, Fabry-Perot, lasing spectrum, threshold current, gain bandwidth, ring laser 11, Lasers, Semiconductivity
- Yıl: 1998
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Özet CIFT KUVANTUM KUYULU YARIİLETKEN LAZERLERİNİN YAPIMI VE İNCELENMESİ Bülent Erol Sağol Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Yard. Doç. Dr. Ali Serpengüzel Kasım 1998 Bu tez çalışmasında, çift kuvantum kuyulu yarıiletken Fabry-Perot ve yarım halka lazerleri üretildi, ve oda sıcaklığında çalıştırılıp, aygıt ölçümleri yapıldı. Bu lazerlerin yapımı GaAs/AlGaAs çift kuvantum kuyulu örnekler üzerinde gerçekleştirildi, ve öncelikle optik hapsetme sağlamak için, ıslak ve kuru aşındırma yöntemleri ile 4/jm genişliğinde ve l//m-4^m yükseklikte platolar üretildi. Daha sonraki adımlarda bu örneklere SİO2 yalıtımı, p-kontak ve n- kontak metalizasyonları uygulandı, örnekler inceltildi ve kesildi. Buna çok yakın bir üretim yöntemi, Fabry-Perot kavitelerine bağlanan 50 ile 1400/zm arasında değişen çaplardaki halka lazerleri için uygulandı ve bunlar için de aynı ölçümler yapıldı. Aygıtların incelenmesi, fotoışıma, akım- voltaj, akım-güç ölçümleri, ve elektroışıma ile yapıldı. Fotoışıma lazer dalgaboyunun saptanması için kullanıldı. Akım- voltaj, akım-güç ölçümleri değişik boylardaki aygıtların seri dirençlerini, eşik akımlarını ve diferansiyel kuvantum verimliliklerini incelemek için yapıldı. Bu ölçümlerden, eşik akım yoğunlukları, içsel kuvantum verimlilikleri, ve içsel net optik kayıpları elde edildi. Son olarak, lazer tayfı elde etmek içinelektroışıma kullanıldı, ve buradan Fabry-Perot ve halka lazerlerinin serbest tayf aralıkları ölçüldü.
Özet (Çeviri)
Abstract FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR DOUBLE QUANTUM WELL DIODE LASERS Bülent Erol Sağol M. S. in Physics Supervisor: Asst. Prof. Ali Serpengiizel November 1998 In this thesis, semiconductor double quantum well, Fabry-Perot and half ring lasers were fabricated, and these devices were operated and characterized at room temperature. The lasers were fabricated using GaAs/AlGaAs double quantum well wafers, and processed in order to produce 4/im wide, l/im-4/zm high mesas for optical confinement. This mesa isolation was done by means of wet and dry etching techniques. Fabrication of Fabry-Perot lasers was completed after SİO2 insulation, p-contact and n-contact metalizations, thinning, and dicing. Similar fabrication techniques were applied to produce ring lasers coupled to Fabry-Perot cavities, with various diameters ranging from 50 to 1400/im. Device characterization was done by means of photoluminescence, current- voltage, current-power measurements, and electroluminescence. Photolumi nescence was used for checking the lasing wavelength. Current-voltage and current-power measurements were done to investigate the serial resistances, threshold currents, and differential quantum efficiencies of the fabricated deviceswith various cavity lengths. From these measurements, the threshold current densities, the internal quantum efficiencies, and the internal net optical losses were obtained. Finally, electroluminescence was used to obtain the lasing spectra, and from this, the free spectral range of the Fabry-Perot and ring lasers were measured.
Benzer Tezler
- Ridge waveguide ga As / Alx ga1-x as multiple quantom well laser diodes
Sırt dalga kılavuzu Ga As / Alx Ga1-x As çoklu kuantum kuyu lazer diyodlar
ABDULLAH KAMURAN TÜRKOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- 3um N-kuyu CMOS teknolojisi ile test kırmığı tasarımı ve tranzistor eşik gerilimi ayarı
Test chip design for 3 um N-well CMOS fabrication technology and threshold voltage adjustment
ZEYNEP D. TOROS
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- Akustik yüzey dalga esasına dayanan filtrlerin analizi, tasarımı ve GSM sistemindeki uygulamaları
Analysis and design of saw filter and saw filter applications in GSM
H.CEMİL KARAGÜZEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERGÜL AKÇAKAYA
- Fabrication, characterization and parameter extraction of GaAs mesfets
GaAs mesfet üretimi, karakterizasyonu ve parametrelerinin eldesi
ERHAN POLATKAN ATA
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- AlxGa1-x As / GaAs Graded ındex separate confinement heterostructure single quantum well lasers
AlxGa1-x As / Ga As değişken kırılma indisli ayrık hapisli heteroyapı tek kuvantum kuyulu lazerler
MÜMTAZ KORAY BOZKURT
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI