Geri Dön

S-katkılı GaAs yapılarda elektronik yapı

Electronic structure of S-doped GaAs

  1. Tez No: 98105
  2. Yazar: EMİNE ÖZTÜRK
  3. Danışmanlar: PROF.DR. İSMAİL SÖKMEN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Tek-çift Si £ -katkılama, GaAs yapısı, self- consistency, potansiyel profili, altband yapısı, Elektronik yapı, Galyum arsenit, Silisyum, Single-double Si S -doping, GaAs structure, self- cosistency, potential profile, subband structure, Electronic structure, Gallium arsenide, Silicon
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

m ÖZET Doktora Tezi 8-KATKILI GaAs YAPILARDA ELEKTRONİK YAPI Emine ÖZTÜRK Cumhuriyet Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : Prof. Dr. İsmail SÖKMEN Bu çalışmada, Si £ -katkılı GaAs yapısının potansiyel profilini ve dinamik band yapısını, Schrödinger ve Poisson denklemlerinin self- consistent (kendi-içinde tutarlı) çözümüyle hesapladık. İlk olarak, tek Si 8- katkılı GaAs yapısının katkılama konsantrasyonu, katkılama kalınlığı, sıcaklık ve uygulanan elektrik alana bağlı olarak belirgin bir biçimde değiştiğini gösterdik. İkinci olarak da, çift Si 8 -katkılı GaAs yapısının, katkılı bölgeler arasındaki uzaklık, katkılama konsantrasyonu ve elektrik alanla önemli oranda değiştiğini ortaya koyduk. Ayrıca, elde ettiğimiz sonuçlar hem simetrik hem de asimetrik çift 8 -katkılı yapılardaki altband enerji seviyeleri ve yerleşimlerinin, katkılama kalınlığına duyarsız olduğunu belirtmektedir.

Özet (Çeviri)

IV SUMMARY PhD. Thesis ELECTRONIC STRUCTURE OF 8-DOPED GaAs Emine ÖZTÜRK Cumhuriyet University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor : Dr. Ismail SÖKMEN In this study, we have calculated the potential profile and the dynamic band structure of Si S -doped GaAs structure by solving the Schrödinger and the Poisson equations self-consistently. Firsty, we show that single Si S -doped GaAs structure exhibites dramatic changes with the doping concentration, the doping thickness, temperature, and the applied electric field. Secondly, we demonstrate that double Si S -doped GaAs structure displays significant changes with the separation between the doped layers, the doping concentration, and the electric field. Furthermore, the results we obtained reveal that the subband energy levels and the subband occupations in both symmetric and asymmetric double S -doped structures are not sensitive to the doping thickness.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    75768

    Electrical characterization of GaInP/InGaAs/GaAs modulation doped field effect transistor structures

    GaInP/InGaAs/GaAs modüle katkılı alan etkili transistör yapılarının elektriksel karakterizasyonu

    YAVUZ CİVAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ

  2. Tez No

    93205

    Performance assesment of pseudomorphicMODFETs through Monte Carlo simulations

    Örgü uyumsuz MODFET'lerin Monte Carlo simülasyonları yoluyla performanslarının belirlenmesi

    SELÇUK ÖZER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. CENGİZ BEŞİKÇİ

  3. Tez No

    34495

    Silisyum S-dope edilmiş galyum arsenid (GaAs) epitaksiyel yapıların fotoiletkenlik özelliklerinin incelenmsi

    Başlık çevirisi yok

    YENER ÖZKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN

  4. Tez No

    79347

    Design fabrication and characterization of high performance resonant cavity enhanced photodedectors

    Yüksek performanslı rezonant kavite katkılı fotodedektörlerin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu

    NECMİ BIYIKLI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ORHAN AYTÜR

  5. Tez No

    56133

    Al-GaAs(001) schottky diodlarında engel yüksekliğinin raryüzeydeki silisyum tabakasıyla değiştirilmesi

    Başlık çevirisi yok

    SAFFETTİN YILDIRIM

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. YAN ISKARLATOS

Geri Dön