AlGaAs/GaAs çoklu bileşiği ile üretilen MODFET transistörün kanalındaki güç kaybının elektron sıcaklığına bağlılığı
Depending on the electron's temperature of the power loss in the channel of the MODFET transistor produced with AlGaAs/GaAs heterostructures
- Tez No: 97497
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MEHMET ARI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Bileşikler, Elektron sıcaklığı, Güç kaybı, MODFET, Transistör, Compounds, Electron temperature, Power loss, MODFET, Transistor
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
V ÖZET Bu çalışmada, AlGaAs / GaAs çoklu bileşiği ile üretilmiş olan MODFET (Modulation Doped Field Effect Transistor ) transistorun kanalında oluşan 2-DEG (2-Dimensional Electron Gas) 'deki elektronların sıcaklıkları, kanaldaki güç kaybı kullanılarak hesaplandı. 2-DEG kanalındaki güç kaybı hesaplanırken, öncelikle MODFET kanalında etkili olan mekanizmalar incelendi. Çalışma yaptığımız sıcaklık aralığında, 1 °K < T < 40 °K piezoelekrik çiftlenim, perdeleme etkisi ve diğer mekanizmaların etkisinin az olduğu varsayılarak, güç kaybının esas nedeninin, deformasyon potansiyelinden kaynaklanan akustik fonon yayımı olduğu varsayıldı. Güç kaybı hesaplanırken öncelikle kontak dirençler tespit edildi. Bunun için, Delagebeaudeuf ve Linh'in geliştirmiş olduğu yöntem kullanıldı. Kontak direnç 93±3Q olarak bulundu. Toplam harcanan güçten, kontaklarda kaybolan güç çıkartılarak mutlak güç kaybı deneysel olarak hesaplandı. Deneysel olarak hesaplanan bu değer, Daniels ve arkadaşları tarafından verilen teorik değerde kullanılarak elektron sıcaklıkları hesaplandı. Bu hesaplar farklı iki numune için yapıldı. Daha sonra iki numune için, elektron sıcaklığının güç kaybma karşı grafikleri çizildi. Akustik fonon yayımından, optik fonon yayımına doğru bir geçiş, olduğu grafiklerde gözlendi. Sonuç olarak elde edilen sonuçlar, başka araştırmacıların elde ettikleri sonuçlarla karşılaştırıldı. Kullanılan yöntemlerin farklı olmasına rağmen uyum içinde olduğu gözlendi.
Özet (Çeviri)
VI ABSTRACT In this study, the temperature of electrons in 2- DEG formed in the j. :; channel of MODFET transistor which is produced with heterostructures AIGaAs/Ga As has been calculated by using loss of power formed in the channel of transistor. While loss of power in 2-DEG channel has been calculating, firstly the mechanism which is effective in MODFET channel has been examined. The range of temperature which we study 1 °K < T < 40 °K, while piezoelectric coupling, the effect of screening and the effect of the other mechanisms is little that has been assumed due to deformation potential. The real reason of loss of power which is becoming by means of emission of acoustic phonons has been assumed. While loss of power has been calculating, firstly contact resistance has been determined. For this, the method which has been developed by Delagebeaudeuf and Linh has been used. Contact resistance has been found 93±3 Q. The absolute loss of power has been calculated experimentally by substracting loss of power in contacts from spending total power. This value which is calculated experimentally, the temperature of electron have been calculated by using teoritical value which is given by Daniels et al. These calculations were done for two different samples. After that, for these two samples, the graphic was drawn, the temperature of electron versus the loss of power. In graphics, there was a transition from acoustic phonon emission toward optic phonon emission. Consequently, the results obtained have been compared with the results obtained by the other researchers. Although the methods which are used different, It has been observed that the results we have obtained consistent with at the results of other workers.
Benzer Tezler
- Si ve GaAs alt yapılı yarı iletken materyallerin mikroyapılarının ve bazı özelliklerinin incelenmesi
The investigation of micro structures and some properties of semiconductors having Si or GaAs substraties
SÜLEYMAN AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Eğitim ve ÖğretimAtatürk ÜniversitesiFizik Eğitimi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF ATICI
- Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors
GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
TOLGA YALÇIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Design fabrication and characterization of high performance resonant cavity enhanced photodedectors
Yüksek performanslı rezonant kavite katkılı fotodedektörlerin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu
NECMİ BIYIKLI
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN AYTÜR
- GaAs/AlGaAs polarization splitting directional couplers
GaAs/AlGaAs polarizasyon ayırıcı doğrusal çiftleyiciler
NASUHİ YURT
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiPROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- Long wavelength GaAs based hot electron photoemission detectors
GaAs temelli uzun dalgaboylarında çalışan sıcak elektron fotoemisyon detektörü
İBRAHİM KİMUKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY