MOS tabanlı Gd\Y₂O₃ katkılı radyasyon dedektörlerinin karakterizasyonu
Characterization of MOS-based Gd/Y₂O₃ doped radiation detectors
- Tez No: 940332
- Danışmanlar: DOÇ. DR. EMRAH TIRAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Modern fizik, Nükleer fizik, Tıbbi fizik, Yeni fizik, Modern physics, Nuclear physics, Medical physics, New physics
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
MOS kapasitörler, modern elektroniğin temel yapı taşlarından biridir ve günlük hayatımızda kullandığımız birçok cihazın çalışmasında önemli bir rol oynamaktadır. Gelecekteki elektronik teknolojilerinin gelişimi için de büyük önem taşımaktadır. Bu çalışmada, n-tipi silikon alt tabakalar üzerine üretilen Al/Gd/Y₂O₃/n-Si/Al MOS kapasitörlerinin yapısal, morfolojik ve yüzey özellikleri üzerinde Gadolinyum (Gd) katkısının etkileri araştırılmıştır. Özellikle radyasyon algılama uygulamaları için kapasitör performansı üzerindeki etkilerini değerlendirmek amacıyla Gd katman kalınlıkları (10 nm, 100 nm, 500 nm) sistematik olarak değiştirilmiştir. X-ışını kırınımı (XRD) ile yapısal karakterizasyon, Gd katkılanmasının termal işlem sırasında amorftan düzgün kristale geçişe neden olduğunu ve katkılanmamış Y₂O₃ filmlerine kıyasla içsel stresi azalttığı tespit edilmiştir. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) analizine göre, daha ince filmlerde gelişmiş homojenlik, benzersiz tane yapıları ve daha pürüzsüz yüzeyler gösterirken, daha kalın filmlerde artan kristalleşme ve tane büyümesi sergilediği gözlemlenmiştir. Ayrıca radyasyon kaynaklı oksit ve ara yüz tuzak yoğunluklarının azaldığı tespit edilmiştir. Bu sonuçlar, Gd katkılı Y₂O₃ in yüksek hassasiyet ve kararlılık gerektiren yeni nesil radyasyon sensörleri için umut verici bir malzeme olarak potansiyelini vurgulamaktadır.
Özet (Çeviri)
In this study, the presence of Gadolinium (Gd) doping on the flexible, morphological, and surface properties of Al/Gd/Y₂O₃/n-Si/Al MOS capacitors fabricated on n-type silicon substrates were analyzed and investigated. Electron beam evaporation and thermal oxidation technologies were used to fabricate Y2O3 oxides and Gd thin film layers. In the study, Gd layer distributions with three different thicknesses (10 nm, 100 nm, 500 nm) were systematically deposited to investigate their thickness variation impacts on the Y₂O₃ oxide thin film layers performance, especially for the disclosure sensing systems. Structural characterization by X-ray diffraction (XRD) revealed that Gd doping caused amorphous to regular crystalline transition during thermal processing and internal stress was made compared to undoped Y₂O₃ films. Scanning electron microscopy (SEM) analysis showed improved homogeneity, unique grain structures, and smoother surfaces in thinner films, while thicker films exhibited increased crystallinity and grain growth. Modulation of Y₂O₃ (150 nm) was performed, providing a stable dielectric scheme, and facilitating reliable comparisons between configurations. The main findings show that Gd doping reduces diffuse oxide and scattering traces, thus improving the robustness and durability of MOS capacitors. These results highlight the potential of Gd-doped Y₂O₃ as a promising material for next-generation radiation sensors with high stability and stability range.
Benzer Tezler
- Televizyon reklamlarının ses-söz uyumu (Prozodi) yönünden incelenmesi ve dilimizin müziğine etkileri
A study on the television advertisements from the point speech-sound harmany (prosody) and it's influence on the rhythm of our language
C. HAKAN ÇUHADAR
- 1,3-difenil-4,5-bis(hidroksiimino)-imidazolidin ve Ni(II), Cu(II), Pd(II), UO2(VI) komplekslerinin sentezi
Başlık çevirisi yok
VEFA AHSEN
Doktora
Türkçe
1984
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZER BEKAROĞLU
- Growth and characterization of thermol SİO2 thin films
Başlık çevirisi yok
MERAL ÇELİK
Yüksek Lisans
İngilizce
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- MoS2/Polyester kompozit malzemesinin çeşitli oranlarda üretilmesi ve bu kompozisyonlara bağlı olarak belirli bir sistemde aşınma mukavemeti ve sürtünme katsayısı değişiminin belirlenmesi
Başlık çevirisi yok
MEHMET DEMİRCİ
Yüksek Lisans
Türkçe
1989
Makine MühendisliğiUludağ ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. A. HALİM DEMİRCİ
- MOS arayüzey yük yoğunluğu ölçümü ve özelliklerinin saptanması
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA METİN GÜZELGÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1989
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ GÜNGÖR