MOS arayüzey yük yoğunluğu ölçümü ve özelliklerinin saptanması
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 5547
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ALİ GÜNGÖR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1989
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Uludağ Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
-~80 ~ ?, C-V yöntemiyle MO S kapa sit ör arayüzeyinde silisyum yasak enerji aralığa için de yaralan arayüzey durumları niteliksel ve 3ayısal olarak saptanmaya çalışa İmiş-*- tır. Bu arayüzey durumlarının enerji aralı/'andaki han#i enerji seviyelerinde yoğun laştıklarını saptamak için yüzey potansiyeli basit bir deneysel yöntem kullanıla rak elde edilmiştir. Ayrıca, yanlız C-V deneysel bulgularından C, oksit kapasi- tansı da elde olunarak buradan oksit kalınlığı da inos bir duyarlıkla bulunmuştur. Ancak, bu çalışmada incelenen yöntem ile arayüzey durumlarının yasak enerji aralı ğı içindeki konumları, Özellikle Formi seviyesi yakınlarında olanlarının sayısal olarak saptanmasına rağmen niteliklerinin anlaşılması mümkün olmamaktadır.
Özet (Çeviri)
81 ABSTRACT In thin work I have investigated and tided to determine the. interface states which 'ire in the ralloon -forbidden *»ap by extracting the results of the C-V measurements. The surface potontial or bond bonding of the semi conductor is obtained to determine the most probable energy levels of those states. Therefore, a simp lified experimental method is used to nolvo thin problpm. Besides, C, the oxide capacitance is calculated with utmost sensibility by the high frequency C-V measurements, it was possible quantitatively to obtain the interface- ccatoî especially nearby of the Fermi level but, it is impossible to interpret the chemical origins of the interface states by this experimental method.
Benzer Tezler
- Mos tranzistorlarda kanal katkılama yönteminin oksit ve arayüzey tuzakları üzerine etkisi
The Channel doping method's effect on oxide and interface traps in mos transistors
ENGİN KONUR
Doktora
Türkçe
1999
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU
- AI/Anodik SİO2/Sİ (MOS) yapıların elektriksel özellikleri üzerine ısısal tavlama, akım yoğunluğu ve elektrolit pH'ının etkileri
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA SAĞLAM
Doktora
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Mos yapılarda gama radyasyonunun etkileri
Gama radiation effect on mos structure
TİMUR CANEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiKocaeli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE
- P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films
HAYRETTİN YÜZER
- Değişik sabit akım uygulayarak oluşturulan p-Si/SiO2/Al yapılarının arayüzey durum yoğunluklarının araştırılması çalışmaları
Investigation of the interface state densities of p-Si/SiO2/Al structures prepared by the application of various constant currents
GÜLSEN GÜLER