Bir mikrodalga transistörünün yük empedans düzleminde performans karakterizasyonu
The Performance characterization of a microwave transistor in the load impedance plane
- Tez No: 85115
- Danışmanlar: PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yük, empedans, geribesleme xıv, Benzetim, Geri bildirim, Performans, Transistör, Load, impedance, feedback xv, Simulation, Impedance, Feedback, Performance, Transistor
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu çalışma uyumlu F, Vi, GrCG.^ ^Gt ^GTınax) üçlüleri ve uygun ZSsZl sonlandırma çiftlerine ilişkin ZL-düzleminde bir mikrodalga transistorun performans karakterizasyonunu verir. Bu daha önce Z^- düzleminde GÜNEŞ metodu kullanılarak yapılan performans karaterizasyonunu, lineer iki-kapılının lineer oransal (bilineer) birebir eşleme kuralları yardımıyla ZL-düzlemine dönüşümü ile elde edilir. Bu bağlamda tasarım konfigürasyonu koşulsuz kararlı çalışma bölgesi (KKÇB), sınırlandırılmış kazanç daire ailesi ve birleşik gürültü faktörü ve giriş VSWR daireleri (Tı,T2) nin ZL-düzleminde oluşumuyla meydana gelir. Böylece, ZL-düzleminde yük empedansma ilişkin karakterizasyon verileri doğrudan elde edilebilir. Bunun sonucu olarak, Tasarım konfigürasyonunda f, Vds, Ids çalışma parametrelerinin, konfigürasyon tipinin (KT), geribesleme devre elemanlarının etkileri doğrudan gözlemlenebilir. Bu nedenle çalışmamız dar-, orta- ve geniş-band devrelerinin, özellikle de MMTC tasarımında bir araç olarak kullanılabilir. Çalışmamızın ikinci kısmında, geribesleme devrelerinin etkilerini inceliyoruz. Çünkü geribesleme devreleri gürültü faktörünü değiştiren parazitik etkilere sahip olabilir. Seri ya da paralel geribeslemeli bir iki-kapılı devrenin gürültü faktörünün tam ifadesi standart olarak dört-gürültü parametresine ve admitans (ya da empedans) parametrelerine ilişkin olarak gösterilir. Bu çalışmamızda geribesleme devrelerinin genel bir durumu analiz ediliyor ve sonuçlar pratik de çok karşılaşılan tek kayıpsız geribesleme elemanına uygulanıyor. Sonuçlar, geribesleme devresinin etkilerini gösteren ilave terimleri içeren standart gürültü faktörü bağıntısıyla sunuluyor. Son olarak, birçok çalışılmış örnek veriliyor ve bu örnekler Z-m- ve Zl- düzlemlerinde birebir eşleme kurallarıyla oluşturulan tasarım konfigürasyonlan arasında karşılaştırma yapmamızı sağlıyor.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT This work gives the performance characterisation of a microwave transistor in the ZL-plane in terms of the compatible F,Vj,Gt triplets with GTnâa ^ GT < GTmax and their ZS,ZL termination couples. This is obtained by transforming the performance characterisation using the GÜNEŞ method in the Zm-plane into ZL-plane subject to bilinear mapping rules of a linear two-port. In connection with this, a design configuration is resulted in the ZL- plane which consists of unconditionally stable working area (USWA), the constrained gain circle family and combined noise and input VSWR circles (Ti,T2). So, one can obtain directly the characterisation data in terms of the load impedance Zl. As a result of this, effects of the operation parameters f, Vds, Ids, configuration type CT and feedback circuit elements on the design configuration can be directly investigated in terms of the load termination. This can be used as a tool in the design of narrow-, medium- and broad-band microwave circuits, particulary in MMICs. The second part of this work, we investigated the effects of the feedback circuit. Because, the feedback circuits may have the parasitic effects which change the noise figure. Exact expressions for the noise figure of a two-port with shunt or series feedback are presented in terms of standard four-noise and imittance parameters. In this work, the general case of a feedback circuit is analysed and the results are applied to the more practical case of a single lossless feedback element. The results are presented in the form of the standard two- port noise figure equation, with additional terms which illustrate clearly the effect of feedback. Finally many worked examples are given and this worked examples comparison between the design configurations in the Zm- and ZL-planes are made using the mapping properties of a linear two port. It may be concluded all the possible design configurations can be pick up under the two main configurations in the ZL-plane which makes the analysis much more simpler tha the analysis with the scattering parameters.
Benzer Tezler
- Mikrodalga transistörlerinin yapay sinir ağı eşdeğerlikleri
Artificial neural network equivalencies of active microwave devices
HAMİD TORPİ
Doktora
Türkçe
1997
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ
- S.Parametrelerini kullanarak bir mikrodalga transistörünün performans analizi
Başlık çevirisi yok
BEDRİ A. ÇETİNER
- Mikrodalga transistorun yapay sinir ağı ile performans analizi ve modellenmesi
Performance analysis and modelling of a microwave transistor by neural networks
CEMAL TEPE
Doktora
Türkçe
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ
- Mikrodalga transistörlerinin performans eğrilerinin bilgisayarla simülasyonu
Başlık çevirisi yok
MEHMET FİDAN
- Design of an oscillator circuit using large signal s-parameters
Başlık çevirisi yok
SUAT AYÖZ
Yüksek Lisans
İngilizce
1989
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. NİLGÜN GÜNALP