S.Parametrelerini kullanarak bir mikrodalga transistörünün performans analizi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 47323
- Danışmanlar: PROF.DR. FİLİZ GÜNEŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Mikrodalgalar, Performans analizi, Transistör, Microwaves, Performance analysis, Transistor
- Yıl: 1995
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ege Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu çalışmada, bir mikrodalga tranzistörünün maksimum transduser güç kazancı (&r ), gürültü faktörü (F), giriş VSWR (Vj), ve saçılma parametreleri [S] cinsinden analitik olarak ifade edilmektedir. Analiz, kaynak (rs) ve giriş yansıtma katsayısı (r^) düzlemlerinde, sabit gürültü, giriş VSWR ve kazanç dairelerini kullanarak fiziksel sınırlar içinde çözüm arayan bir geometrik yaklaşıma dayandırılmıştır. Analizde izlenen strateji kararlılık, transduser kazana, giriş VSWR (Vj) ve gürültü faktöründen (Freq) oluşan tasarım informasyonunu Tm -düzleminde biraraya getirmek ve sonra talep edilen Vj. F^ koşullarında maksimum kararlı kazancı analiz edip formüle etmektir. Bu strateji aşağıda ki aşamalar halinde gerçeMeştirilmiştir : i.) r^ -düzleminde mümkün bütün kararlılık halleri ele alınıp, her hal için giriş VSWR ile sınırlandırılmış kazanç analizi yapılmıştır. ii.) Ortak gürültü faktörü (F), giriş VSWR daireleri (Tt..Tj Fm -düzleminde teşkil edilmiştir. iii.) Son olarak, bütün tasarım infbrmasyonu verilen V: ve F^ koşullarında mümkün maksimum kararlı kazancı, giriş ve çıkış sonlandırmalanm tayin etmek için analiz edilmiştir. Bu çalışma henüz açık devre parametreleri [Z\ ile yapılmış [2], bir mikrodalga tranzistörünün başarımının saçılma parametreleriyle teorisini vermektedir. Dolayısıyla mümkün (F, Vj, Gt^ ) üçlüsü ve sonlandırmalarının elde edilmesinde, belli bir çalışma frekansı ve kutuplama koşulundaki S- parametrelerini doğrudan kullanır ki bu mikrodalga devre teorisi için önemli bir aşama sayılabilir. Açıktır ki bu teorinin en önemli uygulamalarından biri, bir mikrodalga tranzistörünün performansının, (f, Vİ5 G^J üçlülerinin çapraz ilişkileriyle elde edilebilecek performans konturlarından oluşan data sayfaları olacaktır.
Özet (Çeviri)
SUMMARY In this work, the maximum transducer power gain (GT^ ) of a bilatereal microwave transistor is anlytically expressed in terms of only noise figure (F), input VSWR (Vj),and the scattering parameters [S]. The analaysis is based on a geometrical approach using the constant noise, input VSWR and gain circles in the source (rs) and input reflection coefficient (r^) planes keeping the solution within the phyisical bounds. The strategy to be followed in the analaysis is to gather all the design information of the stability, the transducer gain, the input VSWR ( V^ ) and the noise figure (Freq) in the Tta -plane and then to analyse to formulate the possible maximum stable gain under the required input VSWR V= and noise figure 7Ieq. The strategy is realized in the following steps : i.) All posibble stability cases are considered in the r^ -plane and the constrained gain analysis by the input VSWR is made for each case. ii.) The mutual noise (F), input VSWR circles (Tx,T2) are formed in the rfa -plane. iii.) Finally, all the design information is anlysed to determine the possible maximum stable transducer gain constrained by the required input VSWR V; and the noise figure F^, and its corresponding input and output terminations. This work gives the scattering parameter theory of a microwave transistor's performance which has recently been achieved using the open circuit parameters [Z\ [2]. So it utilises directly S-parameters of the transistor at an operating frequency and bias condition, in obtaining the possible (F, Vis G^ J triplets, and its corresponding terminations which can be concidered as an important step in the microwave network theory. Obviously, one of the most important applications of this theory is to be able to represent the performance of a microwave transistor by the performance contours in the data sheets, which are obtained by the cross relations among the possible (F, V;, G^ ) triplets. n
Benzer Tezler
- Mikrodalga transistorun yapay sinir ağı ile performans analizi ve modellenmesi
Performance analysis and modelling of a microwave transistor by neural networks
CEMAL TEPE
Doktora
Türkçe
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ
- Mikrodalga transistörlerinin yapay sinir ağı eşdeğerlikleri
Artificial neural network equivalencies of active microwave devices
HAMİD TORPİ
Doktora
Türkçe
1997
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ
- Design of an oscillator circuit using large signal s-parameters
Başlık çevirisi yok
SUAT AYÖZ
Yüksek Lisans
İngilizce
1989
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. NİLGÜN GÜNALP
- Experimental and analytical approaches in the design of class-C power amplifiers
Başlık çevirisi yok
CENAP OĞUZ DEMİR
Yüksek Lisans
İngilizce
1989
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. NİLGÜN GÜNALP
- Computer aided design of the self oscillating microwave mesfet mixer
Kendinden uyarmalı çift geçitli GaAs mesfet karıştırıcının bilgisayar destekli tasarımı
AHMAD HAKİMİ DARSİNOOİEH
Yüksek Lisans
İngilizce
1990
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI