Mikrodalga transistörlerinin performans eğrilerinin bilgisayarla simülasyonu
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 29225
- Danışmanlar: PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Makine Mühendisliği, Mechanical Engineering
- Anahtar Kelimeler: Benzetim, Mikrodalgalar, Performans, Transistör, Simulation, Microwaves, Performance, Transistor
- Yıl: 1993
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu çalışmada, mikrodalga transistorun verilen bir frekansta ve kutuplama noktasında, geometrik yönteme dayandırılmış bir analiz kullanılarak performansı bilgisayarla simüle edilerek performans eğrileri elde edilmiştir. Bu yöntemde bütün tasarım bilgileri giriş empedans düzleminde yer almaktadır. Bilineer dönüşümlere gereksinim sonucu olarak, bütün tasarım parametreleri, merkez ve yarıçapları giriş empedans düzleminde bulunan dairelerle temsil edilebilmektedir. Verilen bir gürültü faktörü ve giriş VSWR çifti için elde edilebilecek kararlı maksimum transdüser güç kazancı ve karşılığı giriş ve çıkış sonlandırmaları grafikten analizle bulu nabilir. Daha da önemlisi bunların analitik ifadeleri, hesaplamaları çok hızlandırır. Analiz sonucunda Gürültü faktörü, Giriş VSWR ve Kazanç değişimleri bir dosyaya kaydedilerek doğrudan gözlenebilir. VStfR-KAZANÇ-GüRüLTO parametrelerine bağlı ikili kom binezonlar yatay ve düşey ekseni değişken yaparak değişik eğri grupları bilgisayar ekranında çizdirilir. Programda kullanıcıya, bu çizimlerin Plotter 'a çıktıları için bir seçenek bırakılmıştır. Bu sayede mikrodalga kuvvetlendirici tasarımcısı transistor karekterizasyon eğrilerini tedarik etmiş olacak ve böylece hangi ko şul altında birinin lehine diğerinden ne kadar feda edebileceğine doğrudan karar vererek, gerçekçi bir tasarım yapma olanağı bulacaktır.
Özet (Çeviri)
SUMMARY In this study, by using a graphical design method for a low-noise low VSWR microwave amplifier, perfor mance curves of two-port systems are obtanied. In this method, all design data are included in input- empedans plane. As a result of the need for bilinear transforms, all design parameters can be represented by circles the origins and radius of which are in the input- empedans plane. For a given noise figure and input VSWR couple, maximum stable obtainable transducer power gain and its correspon ding input and output terminations can be found by graphic analzy. The analytic expressions of these, makes all the computations faster, As a result of the analysis, changes in values of Noise figure, input VSWR and Gain can be observed directly by writing them into a file. Different curve groups depending on VSWR-BAIN-NOISE parameters are plotted on computer. In the program, to help the designer an option for plotter outputs of the curves is included for the user.
Benzer Tezler
- Mikrodalga transistörlerinin yapay sinir ağı eşdeğerlikleri
Artificial neural network equivalencies of active microwave devices
HAMİD TORPİ
Doktora
Türkçe
1997
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ
- Performance assesment of pseudomorphicMODFETs through Monte Carlo simulations
Örgü uyumsuz MODFET'lerin Monte Carlo simülasyonları yoluyla performanslarının belirlenmesi
SELÇUK ÖZER
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Computer aided design of microwave power amplifiers
Mikrodalga güç yükselteçlerinin bilgisayar destekli tasarımı
MUSTAFA ÖZME
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN GÜNALP
- Yarıiletken heteroyapılarda sıcaklığın ve basıncın yüklü parçacıklara etkisinin bilgisayar analizi
Computer analysis of temperature and pressure effects on the charged particles in semiconductor heterostructures
DERYA ÖZÜBERK
- 2-18Gh2 Mmic distributed amplifiers
2-18Gh2 Düzeyinde monolitik tümleşik dağıtılmış yükseltici devreleri
SANLI ERGÜN
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH ATALAR