Geri Dön

Computer aided design of microwave power amplifiers

Mikrodalga güç yükselteçlerinin bilgisayar destekli tasarımı

  1. Tez No: 68446
  2. Yazar: MUSTAFA ÖZME
  3. Danışmanlar: PROF. DR. NİLGÜN GÜNALP
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Yük Çekme (YÇ), GüçYükselteç(GY), Doğrusal Olmayan Model iv, Bilgisayar destekli tasarım, Mikrodalgalar, Load-Pull (LP), Power Amplifier (PA), Nonlinear Models(NM) m, Computer aided design, Microwaves
  7. Yıl: 1997
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

öz MİKRODALGA GÜÇ YÜKSELTEÇLERİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ TASARIMI Özme, Mustafa Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Nilgün Günalp Aralık 1997, 101 sayfa İki farklı tipte yüksek frekans güç yükselteci (GY), yük çekme (YÇ) yöntemi kullanılarak tasarlanmıştır. Bu devrelerden birincisinde BJT ikincisisinde ise GaAs MESFET transistörleri kullanılmıştır.Her iki yükselteçin tasarımları belirtilen aşamalarda gerçekleştirilmiştir: (1) yükselteçlerin bloklarının belirlenmesi (2) yük çekme yönteminin bilgisayar ortamında simule edilmesi ve transistörlerin giriş ve çıkış empedanslarının doğrusal olmayan modellerinden elde edilmesi (3) elde edilen empedans bilgisinde uyumlama devrelerinin tasarlanması ve başlangıç yükseltecinin belirlenmesi (4) tasarlanan yükselteçin istenilen performası sağlaması için optimize edilmesi (5) elde edilen son yükselteçin kurulması ve test edilmesi. Yükselteçlerden BJT transistörlerle tasarlanan devrenin simulasyon sonucuna göre frekans bandı boyunca çıkış gücü 25 dBm'den fazla, verimlilik 35%, harmonik seviyesi -30 dBm'den daha iyi ve kazancı 22 dB'dir. BJT yükselteci 0.5 mm FR4 kart üzerine kurularak test edilmiştir. Bu test sonuçlarına göre çıkış gücü 24.5 dBm'den fazla, verimliliği 33 % ve harmonik seviyeleri -30 dBm'den daha iyi ve kazancı 21.5-21.8 dB arasında ölçülmüştür. GaAs MESFET modelleri kullanılarak tasarlanan yükselteç ise simulasyon sonuçlarına göre 9.4-9.6 GHz frekans bandı boyunca 26 dBm çıkış gücü, 31 dB gain ve 32 % verimlilikle elde edilmiştir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT COMPUTER AIDED DESIGN OF MICROWAVE POWER AMPLIFIERS Özme, Mustafa M.S., Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Prof. Dr. Nilgün Günalp December 1997, 101 pages Two different high frequency power amplifiers(PA) are designed by using the load-pull(LP) method. One of them is a narrowband BJT amplifier operating at 1.88-1.9 GHz, and the other is designed using GaAs MESFET to operate in the frequency range 9.4-9.6 GHz. The design for each amplifier consists of the following steps: (1) Specifying the line-up of the amplifier; (2) Load-Pull simulation of the transistors to get the the required input and output impedances at the specified power levels, gain, and efficiency and (3) Matching of the impedances and initial amplifier design; (4) Optimization of the amplifier, and finally (5) construction and the test of the amplifier. Steps (2), (3) and (4) are performed on the nonlinear simulator LIBRA by using the nonlinear models(NM) of the transistors for both amplifiers. The BJT amplifier is constructed on a 0.5 mm FR4 PCB material and tested. According to the computer simulation, output power is 25 dBm, efficiency is 35%, harmonic levels are less than -30 dBm and gain is 22 dB. The measured results are more than 24.5 dBm output power, better than 33% power added efficiency, less than -30 dBm harmonic levels, and gain is between 21.5-21.8 dB. The GaAs amplifier is designed for a gain of more than 30 dB, output power more than 26 dBm with a power added efficiency of 32 %.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    21738

    Geniş bandlı empedans uydurucu devre tasarımı için genişletilmiş frekans bandı yaklaşımı ile çözüm

    Extended frequency band approach for broad band impedance metching circuit design

    ELVAN BANU SALTIK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI

  2. Tez No

    46170

    İkinci harmonik şavaktan pompalamalı dağılmış parametreli karıştırıcı tasarımı

    Başlık çevirisi yok

    MUSTAFA TUNA ORDU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. OSMAN PALAMUSTÇUOĞULLARI

  3. Tez No

    46269

    Milimetre dalga boyunda yüzgeç hat karıştırıcı tasarımı

    Balanced finline mixer design in millimeter wawe band

    DEMET SEVİL ARMAĞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞLU

  4. Tez No

    29655

    2-40 GHZ high performance mmic SPDT switches

    2-40 GHZ düzeyinde yüksek verimli tek giriş çift çıkışlı monolitik, tümleşik anahtar devreleri

    FERİT ÖZTÜRK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1993

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH ATALAR

  5. Tez No

    39275

    2-8 MBit/s fiber optik hat teçhizatı arayüz devresinin sahada programlanabilir kapı dizisi ile tasarlanması ve gerçeklenmesi

    Designing and implementing 2MBit/s and 8 MBit/s fiber optic line terminating equipment interface circuit by using field programmable gate array

    ÜMİT GÖĞÜSGEREN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1993

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. AHMET DERVİŞOĞLU

Geri Dön