Geri Dön

Farklı oranlarda bi katkılı ZnO ara yüzey tabakalı Al/(Bi:ZnO)/p-Si (MIS) fotodiyotların optik ve elektrik parametrelerinin incelenmesi

Optical and electrical parameters of Al/(Bi:ZnO)/p-Si (MIS) photodiodeodes with different ratios of bi doped zno interfacial layer

  1. Tez No: 841968
  2. Yazar: AHMET DEMİRCİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL, DOÇ. DR. HAYRİYE GÖKÇEN ÇETİNKAYA
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MIS, Metal-yarı iletken sistemler, Tabakalı yarı iletkenler, Metal insulator semiconductor, Metal-semiconductor systems, Layered semiconductors
  7. Yıl: 2023
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, farklı ağırlık yüzdelerinde (% 0,1, 0,3, 0,5 Bi) içerikle karıştırılan Bi katkılı ZnO (Bi:ZnO) nano-kompozitler, spin-kaplama yöntemi ile p-Si alttaş üzerine kaplandı. Bi katkılı ZnO ara katmanına sahip Schottky yapısının bazı temel elektriksel ve optik parametreleri karanlıkta ve farklı aydınlatma şiddetlerinde (20, 40, 60, 80, 100 mW/cm2) elde edildi. Al/(Bi:ZnO)/p-Si (MIS) tipi yapının optik ve elektriksel özellikleri, akım-gerilim/zaman (I-V/t) ve kapasitans/iletkenlik-gerilim (C/G/w-V) ölçümleri (1 MHz) kullanılarak elde edildi. İdealite faktörü (n), sıfır-beslem engel yüksekliği (ΦBo) ve seri direnç (Rs) gibi bazı elektriksel parametreler, karanlık ve 100mW/cm2 aydınlatma şiddetinde hesaplandı. Yapının Rs değeri artan katkı oranı ve ışık şiddetiyle azalmaktadır. Elde edilen sonuçlardan, hazırlanan yapının ışığa oldukça duyarlı olduğu ve dolayısıyla optik uygulamalar için uygun olduğu görülmüştür.

Özet (Çeviri)

In this study, Bi-doped ZnO (Bi:ZnO) nanocomposites mixed with different weight percentages (0.1, 0.3, 0.5% Bi) were coated on p-Si substrate by spin-coating method. Some basic electrical and optical parameters of the Schottky structure with Bi doped ZnO interlayer were obtained in the dark and at different illumination intensities (20, 40, 60, 80, 100 mW/cm2). The optical and electrical properties of the Al/(Bi:ZnO)/p-Si (MIS) type structure were obtained using current-voltage/time (I-V/t) and capacitance/conductivity-voltage (C/G/w-V) measurements (1 MHz). Some electrical parameters such as the ideality factor (n), zero-feed barrier height (ΦBo) and series resistance (Rs) were calculated in the dark and at an illumination intensity of 100 mW/cm2. The Rs value of the structure decreases with increasing doping ratio and irradiance. The results obtained show that the prepared structure is highly photosensitive and hence suitable for optical applications.

Benzer Tezler

  1. Bazı esterlerin kinetik incelenmesi ve termodinamik parametrelerin belirlenmesi

    Kinetic study and detesmination of thermodnamic parameters of some esters

    İBRAHİM TAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Kimya MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA CEBE

  2. Testosteron dihidrotestosteron ve östrojenin benign prostat hiperplazisindeki etyolojik rolleri

    The roles of testosterone, dihydrotestosterone and estradiole on the etiology of benign prostatic hyperplasia

    HALUK TOKUÇOĞLU

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    ÜrolojiGazi Üniversitesi

    Üroloji Ana Bilim Dalı

  3. Süt formüllerinin tüketim uygulamaları ve süt formüllerinin C vitamini içeriği ile pH değerleri

    Başlık çevirisi yok

    GÖNÜL VAROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Besin Hijyeni ve Teknolojisiİstanbul Üniversitesi

    Çocuk Gelişimi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TÜRKAN KUTLUAY