Gallium arsenide/aluminium gallium arsenide double heterostructure laser diodes
Galyum arsenit/alüminyum galyum arsenit çift heterojen yapılı lazer diyotları
- Tez No: 82604
- Danışmanlar: Belirtilmemiş.
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Lazer diyot, galyum arsenit, heterojen yapı, eşik akım yoğunluğu. vı, Alüminyum, Lazer diyodu, Laser diode, gallium arsenide, heterostructure, threshold current density. IV, Aluminum, Laser diodes
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
öz GALYUM ARSENİT / ALÜMİNYUM GALYUM ARSENİT ÇİFT HETEROJEN YAPILI LASER DİYOTLAR Gezer, Cem Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Ramazan Aydın Ocak 1999, 63 sayfa GaAs/AlGaAs çift heterojen yapılı lazer diyotlar, iki çevreleyici AlGaAs tabaka araşma yerleştirilmiş aktif bir GaAs tabakasından oluşmaktadır. Çevreleyici tabakalar, optiksel kazancın sağlandığı aktif bölgeye taşıyıcıları sıkıştırmak için aktif tabakaya göre daha yüksek bir yasak bant enerjisine sahiptir. Bu optiksel sıkıştırma iç kayıpları azaltıp, lazerin düşük eşik akımlarında çalışmasına izin verir. Aktif bölge kalınlığı lazer diyotun eşik akım yoğunluğunu oda sıcaklığında miliamper akım seviyesine düşürmek için oldukça ince yapılmaktadır.Aktif tabakanın enerji aralığına eşdeğer voltajdan daha büyük bir meyil voltajı uygulanırsa, elektronlarla boşlukların birleşmesi sonucu oluşan bir ışıma aktif tabakada etkileşmeli olarak üretilebilir. Işıma heterojen kesişim düzleminde oluşur. Bu çalışmada, GaAs/AlGaAs çift heterojen yapılı lazer diyotlann özellikleri sayısal olarak analiz edilmiş ve elde edilen sonuçlar sunulmuştur.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT GALLIUM ARSENIDE / ALUMINUM GALLIUM ARSENIDE DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASER DIODES Gezer, Cem M.S., Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Ramazan Aydın January 1999, 63 pages GaAs/AlGaAs double heterostructure laser diodes consist of an active GaAs layer placed between two surrounding AlGaAs layers. These surrounding layers have higher bandgap energy than that of the active layer to confine the injected carriers to the active region where the optical gain is provided. This optical confinement allows internal losses to be reduced for the laser operation at low threshold currents. The active layer is made as sufficiently thin in order to decrease the threshold current density of the laser diode to milliampere range at room temperature. IllIf a bias voltage larger than the voltage equivalent of the active layer energy gap is applied, stimulated emission of radiation can be produced in the active layer from the radiation emitted when electrons recombine with holes. The radiation is emitted in the plane of heterojunctions. In this study, the characteristics of GaAs/AlGaAs double heterostructure laser diodes were numerically analyzed and the results obtained were presented.
Benzer Tezler
- P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films
HAYRETTİN YÜZER
- Silisyum S-dope edilmiş galyum arsenid (GaAs) epitaksiyel yapıların fotoiletkenlik özelliklerinin incelenmsi
Başlık çevirisi yok
YENER ÖZKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Katılarda infrared aktif merkezlerin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
NİLÜFER ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
1990
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜNYAMİN ÖZBAY
- Ridge waveguide ga As / Alx ga1-x as multiple quantom well laser diodes
Sırt dalga kılavuzu Ga As / Alx Ga1-x As çoklu kuantum kuyu lazer diyodlar
ABDULLAH KAMURAN TÜRKOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI