Geri Dön

Katılarda infrared aktif merkezlerin incelenmesi

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 11538
  2. Yazar: NİLÜFER ÖZTÜRK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. BÜNYAMİN ÖZBAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Galyum arsenit, Katılar, Kristal yapı, Kristal örgü, Gallium arsenide, Solids, Crystal structure, Crystal lattice
  7. Yıl: 1990
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

QZET Bu çalışmada kristal yapılarda bulunan noktasal kusurları oluşturan atomların ve bu kusur merkezlerinin simetrisinin infrared spektrumu ile tanımlanabileceği gösterilmek istenmiştir. Bunun için önce kuramsal olarak kristal yapıda örgü titreşimlerini ve tedirginlik kuramını inceledik sonra LEC tekniği ile büyütülmüş olan bor (B) ve silisyum (Si) katkılı Galyum Arsenür (GaAs) kristalinden alınmış bir infrared spektrumu ile deneysel ve kuramsal sonuçları vererek bu merkezleri belirlemeye çalıştık, GaAs : B, Si kristallerinde oluşan kusur merkezlerini i:LB(Ga)( 517,0 cm“1), 10B(Ga)(540,2 cm-1) ve da ha çok B(Ga)-Si(As)(349,0; 570,9; 596,0; 661,0 ve 684,8 cm”"1) çiftlerinin meydana getirdiği açıklanmıştır.

Özet (Çeviri)

II SUMMARY în this study, the definition of the symmetries of the atoms which caused the point defects into the crystal structure and this defect centers are wanted to“be shown. At the first step we theoretically examined the lattice vibrations in the crystal structure and the perturbation theory. în the second one, by using the theoretical and experimental results of the infrared spectrum of galyum arsenide crystals (GaAs) grown by the LEO tecnique doped with silicon (Si) and boron (B) impurities we tried to define this centers. As a result, the defect centers in the galyum arsenide crystals GaAs: B, Si due to xxB(Ga)(517,0 cm”x), xoB(Ga)(540,2 cm~x) and furthermore B(Ga)-Si(As) pairs (349,0; 570,9; 596,0; 661,0 and 684,8 cm"1) is explained.

Benzer Tezler

  1. Gökada kümelerinde beklenen gama-ışınları

    Başlık çevirisi yok

    AYSUN AKYÜZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1993

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET EMİN ÖZEL

  2. Thermally modified polyetylene films by the addition of perlite

    Isıl özellik gösteren perlit katkılı polietilen filmler

    HİLMİ ONAY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1992

    KimyaOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. TEOMAN TİNÇER

  3. Tabakalı Gate yarı iletken bileşiğinin optik özelliklerini fotoluminesans tekniği ile incelenmesi

    The investigation of optical properties of layered ga te semiconducter using photo luninescu technique

    MURAT GÜLNAHAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2000

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU

  4. Polietilenin uv ile bozunmasına özel katkı maddelerinin etkisinin sıcaklıkla değişiminin incelenmesi

    The Effects of special additives and heat on the degradation of polyethylene by using uv irradiation

    YALÇIN YILDIZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ.DR. NURSELİ UYANIK

  5. Sorption/desorption studies of cesium and neptunium on some days and soils

    Başlık çevirisi yok

    E.ŞEBNEM AKSOYOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1987

    KimyaOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. HASAN N. ERTEN