Düşük boyutlu AlxGa1,xAs/GaAs sistemlerin elektronik özellikleri
Electronic perties of low mansion AlxGaı-xAs/GaAs systems
- Tez No: 78917
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Kuantum kuyusu, Quantum well
- Yıl: 1998
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Trakya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Güncel teknolojik uygulamalarda önemli bir yer tutan kuantum kuyularının fiziksel özellikleri incelenmiştir. Temel olarak GaAs/AlxGaı-xAs kuantum kuyuları alınmıştır. Bu tür kuyuların kristal yapışma eklenen sığ donor ve akseptör olarak isimlendirilen yabancı atomların, elektrik veya manyetik alan uygulanmasıyla ve yabancı atom konumunun değiştirilmesi ile meydana gelen fiziksel değişimler incelenmiştir. Ayrıca yabancı atomun elektronlarla etkileşmesi sabit ve uzaysal bağımlı olmak üzere iki farklı perdeleme altında irdelenmiştir. Bu çalışmalar tek ve birden fazla kuantum kuyusunun bir araya gelmesi ile oluşan yapılarla, simetrik ve asimetrik kuantum kuyularına çeşitlendirilmiştir. Dördüncü mertebeden Runge-Kutta ve Hasse varyasyonel hesaplama yöntemleri kullanılan nümerik yöntemlerdir. Hesaplamalar sonucunda yabancı atom bağlanma enerjisinin kuyu ve engel genişliğine, uygulanan elektrik ve manyetik alana bağlılıkları teorik olarak gösterilmiştir. Sonuçlar limit durumlarda benzeri çalışmalarla uyum içerisindedir. Uzaya bağımlı dielektrik fonksiyonun bir dielektrik sabit kullanımına kıyasla akseptör bağlanma enerjisini arttırırken donor ve eksitonlar üzerinde etkin olmadığı görülmüştür. Akseptör geçiş enerjilerinde dielektrik fonksiyonun sabit olarak alınmasının deneyle daha iyi uyum sağladığı bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
SUMMARY The physical properties of quantum wells, which has a big importance in technological applications, are investigated. The quantum wells studied are GaAs/AlxGai-xAs type wells. We investigate how their physical properties affected when an impurity atom, namely a shallow donor or an acceptor, placed in the well. The dependence of the impurity binding energy on the well and barrier thickness, and the effects of an applied electric and magnetic field are studied, theoretically. The Coulomb interaction between the impurity and an electron is found by using two different kinds of screening, a spatially dependent function and a constant. Then the work is expanded to the multiple and asymmetric quantum wells. The fourth-order Runge Kutta and Hasse variational methods are employed in the calculations. The results are in agreement at the limit cases with the works previously carried out on the subject. It is seen that the use of a spatially dependent screening in comparison with the use of a constant increases the binding energy of acceptors but the effect on shallow donors and excitons is quite small. The use of a constant screening instead of spatially dependent screening is shown to yield better agreement with experimental results.
Benzer Tezler
- Photoionization and polarization of electrons in bulk and low-dimensional semiconductors
Başlık çevirisi yok
KHALED FAİSAL ILAİWİ
- Electronik properties of semiconductor heterojunctions
Yarıiletken heteroyapılarının elektronik özellikleri
MARWAN İZZAT EL KAWİNİ
- Electronic structure of low dimensional semiconductor system
Düşük boyutlu yarıiletken sistemlerin elektronik yapısı
OĞUZ GÜLSEREN
Doktora
İngilizce
1992
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiPROF. DR. SALİM ÇIRACI
- Superconducting systems of low dimensionality
Düşük boyutlu üstüniletken sistemler
M. ZAFER GEDİK
Doktora
İngilizce
1992
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiPROF. DR. SALİM ÇIRACI
- The Electronic and transport properties of modulation doped heterostructures
Modülasyon katkılı bhetero-yapıların elektronik ve transport özellikleri
MOHAMED AYMAN MOGDY ELDENGİ
Doktora
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK