The Electronic and transport properties of modulation doped heterostructures
Modülasyon katkılı bhetero-yapıların elektronik ve transport özellikleri
- Tez No: 35471
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: düşük- boyutlu yarı iletkenler, kendisiyle uyumlu alan, trans port, nötral yabancı atomlar, mobilite, Atomlar, Modülasyon yöntemleri, Yarı iletkenler, low- dimensional semiconductors, self- consistent field, transport, neutral impurity, mobility, Atoms, Modulation methods, Semiconductors
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZ MODULASYON KATKILI HETERO-YAPILARIN ELEKTRONİK VE TRANSPORT ÖZELLİKLERİ ELDEGNI, Mohamed Ayman Magdy Doktora Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Mehmet TOMAK Haziran 1994, 74 sayfa. Modulasyon- katkılı InGaAs/InAlAs hetero- yapıların alt bantları kendisiyle uyumlu varyasyonel yöntemle hesaplanmıştır. Çok- cisimcik değiş- tokuş etkileri yerel-yoğunluk yaklaşımı içinde dikkate alınmıştır. GaAs/AlGaAs heteroyapılarında yük taşıyıcılarının nötral yabancı atomlardan saçılmaları için sürüklenme mobilitesi hesaplanmıştır. Nötral ya bancı atomlardan saçılma ile ümitlenmiş mobilitenin yabancı atom pozisyonuna, yoğunluğuna ve sıcaklığa bağımlılığı bulunmuştur. Gözlenen bağımlılıklar fiziksel terimlerle açıklanmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT THE ELECTRONIC AND TRANSPORT PROPERTIES OF MODULATION DOPED HETEROSTRUCTURES ELDEGNI, Mohamed Ayman Magdy Ph. D. in Physics Supervisor: Prof. Dr. Mehmet TOMAK June 1994, 74 pages. The subband structure of modulation- doped InGaAs/InAlAs het- erostructures is calculated in a variational self- consistent manner. The depen dence on various device parameters are examined. The many- body exchange and correlation effects are taken into account in the local- density- functional approximation. The drift mobility is calculated for the scattering of carriers by neu tral impurities in GaAs/AlGaAs heterostructures. The dependence of the neu tral impurity scattering limited mobility on impurity position, concentration and temperature is determined. The observed dependences are explained in physical terms.
Benzer Tezler
- Electrical characterization of GaInP/InGaAs/GaAs modulation doped field effect transistor structures
GaInP/InGaAs/GaAs modüle katkılı alan etkili transistör yapılarının elektriksel karakterizasyonu
YAVUZ CİVAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- NiMn,NiMnP+ ve CrFe alaşım ince filmlerinde elektron spin rezonans (ESR) ve direnç ölçümleri
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA ÖZDEMİR
Doktora
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YILDIRHAN ÖNER
- La3Lu2Ga3O12: Cı3+: Nd3+ lazer kristallerinde sıcaklığın Cr3+-Nd3+ enerji transferine etkisi
Başlık çevirisi yok
GÜLEFŞAN YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÖNÜL ÖZEN
- Silisyum dioksit depozisyon sistemi
Silicon dioxide deposition system
BARBAROS ŞEKERKIRAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF. DR. DURAN LEBLEBİCİ
- İşlenmemiş ve işlenmiş sar dataları üzerinde DCT ve vektör kuantlama ile sıkıştırma algoritmalarının incelenmesi
Başlık çevirisi yok
İ.METE AŞÇIOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bilim Dalı
PROF. DR. BİNGÜL YAZGAN