Yarıiletken elektrotlu iyonizasyon sisteminin karakteristik özellikleri
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 76312
- Danışmanlar: PROF. DR. KEMAL ÇOLAKOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Gaz boşalması, Filamentasyon, Breakdown (Eşik), Yüksek-özdirençli yarıiletken katot, İyonlaşma, Gas discharge, Filamentation, Breakdown, Ionization
- Yıl: 1998
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
YARIİLETKEN ELEKTROTLU IYONIZASYON SİSTEMİN KARAKTERİSTİK ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Selva (Yavuz) BÜYÜKAKKAŞ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Haziran 1998 ÖZET Paralel düzlem elektrotlar arasında oluşan de boşalması incelenmiştir. Yüksek dirençli yarıiletken GaAs katotlu sistem geniş bir p (16-760 Torr) gaz basıncı ve d (10um-5mm) elektrotlar arası aralıkta ilk defa çalışılmıştır. Materyalin fotoiletkenliğini kontrol etmek için belirli bir dalga boyu bölgesindeki ışıkla yarıiletken GaAs plakanın arka yüzeyi aydınlatılmıştır. Deneyler kararlı boşalma ışıması bölgesinde yarıiletkenin uzaysal dağılmış direnç gibi kullanılması durumunda akınım düzenli geçtiğim göstermiştir. Gaz boşalma akımındaki kararlılığın kaybolması, esas olarak Townsend boşalmasından Glow boşalmaya geçişte elektrotlar arası aralıktaki pozitif iyonların uzay yüklerini oluşturmasına bağlıdır. Bilim kodu : 404.05.01.
Özet (Çeviri)
CHARACTERISTIC FEATURES OF THE IONIZATION SYSTEM WITH SEMICONDUCTING ELECTRODES (M.Sc. Thesis) Selva (Yavuz) BÜYÜKAKKAŞ GAZİ UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY June 1998 ABSTRACT A dc discharge generated between parallel plate electrodes are studied. The gas discharge system with the high-resistivity semiconducting GaAs cathode have been studied in a wide range of the gas pressure p (16-760 Torr) and of inter-electrode distance d (10jim-5mm) for the first time. The cathode was irradiated on the back-side with light in a particular wavelength range that was used to control the photoconductivity of the material. The experiments showed that the presence of the distributed resistance affects the passage of the discharge current so that the discharge glows uniformly throughout the cathode surface. The loss of stability was primarily due to the formation of a space charge of positive ions in the discharge gap which changed the discharge from the Townsend to the Glow type. Science Code :404.05.01.
Benzer Tezler
- Characterization of the modified iomization type semiconductor photographic system
Geliştirilmiş iyonizasyon tipli yarıiletken fotograf sisteminin karakterizasyonu
OKHAN GANİOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BÜLENT AKINOĞLU
- Dieloectric formulation of the three-and two dimensional quantum many-electron systems
Üç ve iki boyutlu kuantum çok-elektronlu elektronik sistemlerin dielektrik formülasyonu
CEYHUN BULUTAY
Doktora
İngilizce
1997
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN GÜNALP
- Bileşik yarıiletken HgS'ün ECALE yöntemiyle Au(111) elektrot üzerinde sentezi ve adsorbsiyon-desorbsiyon kinetiğinin incelenmesi
Synthesis of compound semiconductor HgS on single crystal Au(111) electrode by ECALE technique and investigated adsorption-desorption kinetics
MURAT ALANYALIOĞLU
- Referans kısmi boşalma kaynağının yüksek doğru gerilim koşullarında incelenmesi
Analysis of partial discharge reference source under high direct voltage conditions
ÖZCAN KALENDERLİ
Doktora
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. MUZAFFER ÖZKAYA
- Design and implementation of microprocessor-controlled single channel functional electrical stimulator
Mikroişlemci kontrollü tek kanallı fonksiyonel elektriksel stimülatörün tasarım ve gerçekleştirilmesi
MEHMET ŞAYAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Tıbbi BiyolojiBoğaziçi ÜniversitesiBiyomedikal Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMED ÖZKAN