Characterization of the modified iomization type semiconductor photographic system
Geliştirilmiş iyonizasyon tipli yarıiletken fotograf sisteminin karakterizasyonu
- Tez No: 68632
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BÜLENT AKINOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: İyonizasyon tipli yarıiletken fotoğraf sistemi, yarıiletken elektrod, Bi flim, dağlama. vi, Fotoğraf, Yarı iletkenler, İyonlaşma, Ionization type semiconductor photographic system, semi conductor electrode, Bi film, etching. IV, Photograph, Semiconductors, Ionization
- Yıl: 1997
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZ GELİŞTİRİLMİŞ IYONIZASYON TİPLİ YARIİLETKEN FOTOĞRAF SİSTEMİNİN KARAKTERİZASYONU Ganioğlu, Okhan Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez yöneticisi : Doç. Dr. Bülent G. Akınoğlu Eylül 1997, 59 sayfa Geliştirilmiş yarıiletken elekrotlu iyonizasyon tipli yarıiletken fotoğraf sistemi çalışıldı. Sistemin akım- voltaj ve radyasyon- voltaj özellikleri basıncın bir fonksiyonu şeklinde deneysel olarak elde edildi. GaAs plaka belli bir dalga boyu aralığındaki ışık ile aydınlatılarak fotoiletkenliği kontrol edildi. Yarıiletken maddenin gaz boşalmasını stabilize ettiği gözlendi. Üç ayrı örnek için üç tane içice dairesel kapak kullanılarak sistem içindeki Bi film üzerinde üç ayrı bölge üç ayrı süre ile aydınlatıldı. Deneyler üç ayrı basınç altında tekrar edildi. İmaj kayıt etmek için aydınlatma süresinin 30 dakikanın üzerinde olması gerektiği bulundu.SEM analizleri sonucu GaAs plakanın iletkenliğindeki bölgesel değişmelerden dolayı, Bi üzerinde dağlama bölgeleri oluştuğu gözlenmiştir. Bize göre bu tip değişmeler geliştirilmiş sistemle Bi üzerine görüntü oluşturmanın en önemli problemlerinden bir tanesidir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT CHARACTERIZATION OF THE MODIFIED IONIZATION TYPE SEMICONDUCTOR PHOTOGRAPHIC SYSTEM Ganioğlu, Okhan M.S., Department of Physics Supervisor : Assoc. Prof. Bülent G. Akınoğlu September 1997, 59 pages The modified semiconductor photographic system of the ionization type with semiconducting electrode in parallel-plane geometry has been studied. Current- Voltage and Radiation- Voltage characteristics of the system are obtained experimentally as a function of pressure. The GaAs plate was irradiated with light in a particular wavelength range that was used to control the photoconductivity of the material. The semiconductor material was found to stabilize the discharge. IllThree different parts of the surface of the Bi film were exposed for three different times for three samples and pressures by using three concentric circular covers. It is found that the effective exposure time should be over 30 minutes to obtain sufficient etching to record image. SEM analysis showed that etching pits are formed on the Bi film due to the spatial variations of the conductivity (or photoconductivity) of GaAs plate. We believe that such variations would be one of the major drawbacks of image formation on Bi film using modified system.
Benzer Tezler
- İyonlaşabilen gruplar içeren N-izopropilakrilamid kopolimer jellerinin sentez ve karakterizasyonu
Başlık çevirisi yok
SEVAL ARAS
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimyagerlik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CANDAN ERBİL
- Yüksek gerilim hatlarında yürüyen dalgalara korona etkilerinin incelenmesi
Analysis of corona effects for travelling waves on transmission lines
MEHMET ÖZALTINOK
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. MUZAFFER ÖZKAYA
- InSe ve InSe:Bi yarıiletkenlerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Growth and electrical characterization of InSe and InSe:Bi semiconductors
UĞUR MUSTAFA AYDEMİR
- Cyclam içeren çapraz bağlı mikrokürelerin karakterizasyonu ve metal iyonlarının adsorpsiyonundaki seçiciliği
Characterization of cyclam containing cross-linked microbeads and their selectivity onto adsorption of metal ions
CENGİZ KAVAKLI
- Geliştirilmiş Ebers-Moll modelinin tranzistorlu gerilim kuvvetlendiricilerinde minimum distorsiyon şartına uygulanması
Application of modified Ebers-Moll model to distortion minimization in bipolar transistor amplifiers
SADRİ ÖZCAN
Doktora
Türkçe
1989
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. ERTUĞRUL YAZGAN