Bileşik yarıiletken HgS'ün ECALE yöntemiyle Au(111) elektrot üzerinde sentezi ve adsorbsiyon-desorbsiyon kinetiğinin incelenmesi
Synthesis of compound semiconductor HgS on single crystal Au(111) electrode by ECALE technique and investigated adsorption-desorption kinetics
- Tez No: 105320
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ÜMİT DEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Kimya, Chemistry
- Anahtar Kelimeler: Adsorpsiyon, Depozisyon sistemi, ECALE yöntemi, Sentez, İnce filmler, Adsorption, Deposition system, ECALE method, Synthesis, Thin films
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Kimya Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET HgS tek tabakasının tek kristal formlu Au(lll) substrat üzerinde elektrodepozisyonu ECALE yöntemiyle çalışıldı. S ve Hg atomik tabakaları, ardışık olarak potansiyel altı depozisyonu (UPD) ile depozit edildi. Adsorbsiyon ve desorbsiyon proseslerinin kinetiği, dönüşümlü voltametri, kronoamperometri ve kronokulometri teknikleri kullanılarak incelendi. Dönüşümlü voltametri deneyleri; S-Au(lll) substrat üzerindeki Hg depozisyonunun çıplak Au(lll) substratma göre daha pozitif potansiyellerde gerçekleştiğini göstermektedir. Bu durum, Hg-Au ve Hg-S atomları arasındaki çekim kuvvetlerinin farklılığından kaynaklanmaktadır. Kronoamperometri çalışmalarına göre; Au(lll) substrat üzerinde S depozisyonu Langmuir tip mekanizmayla ilerlerken, sıyrılması 2- boyutlu ani çekirdek oluşumu ve büyümesine dayalı instantaneous tip mekanizmaya uygunluk göstermektedir. Tek tabaka S depozit edilmiş Au(lll) substrat üzerinde Hg depozisyonu, yine Langmuir tip mekanizmayı izlerken, sıyrılması Langmuir tip mekanizmayı da içeren 2-boyutlu progressive mekanizmaya uygunluk göstermektedir. Bu sonuçlar, S-Au(lll) yüzeyinde Hg'nm önce rasgele olarak adsorblandığım, daha sonra yeniden düzenlenerek tek tabaka ve tek kristal formda film oluşturduğunu göstermektedir.
Özet (Çeviri)
SUMMARY The electrodeposition of HgS monolayers onto single crystal Au(lll) substrate was studied by ECALE. The films were deposited by sequential underpotential deposition (UPD) of partial monolayers of S and Hg atoms onto Au(lll). The kinetics of deposition and desorption processes was investigated by using cyclic voltammetry, chronocoulometry, and chronoamperometry techniques. The potential of Hg deposition on S-Au(lll) has shifted to more positive potentials than on bare Au(lll). This situation results from difference of Hg-Au and Hg-S interatomic attractive forces. The chronoamperometric results at single crystal Au(l 11) electrode indicate that S deposition takes place in a Langmuir-type mechanism while the stripping of sulfide follows two-dimensional instantaneous nucleation and growth mechanism. Hg deposition at S-Au(lll) electrode also takes place in a Langmuir-type mechanism while the stripping of mercury follows two-dimensional progressive nucleation and growth mechanism which is accompanied by a Langmuir-type desorption. Our results suggest that mercury is adsorbed on to S-Au(lll) surface randomly first then it reorganizes itself to form well-ordered structure. Finally, it strips off in a two-dimensional nucleation and growth fashion.
Benzer Tezler
- Ga2Te3 yarıiletken kristalinin büyütülmesi ve anahtarlama özelliğinin incelenmesi
The growth of Ga2Te3 semiconducting crytal and the investigation of the switching effect
ŞAKİR AYDOĞAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ALİ KEMAL YOĞURTÇU
- 960 MeV yüksek enerjili 32S+58Ni reaksiyonu ile oluşan yeni bileşik çekirdekler
Başlık çevirisi yok
ALİ TUTAY
Doktora
Türkçe
1995
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. ADNAN TAYMAZ
- GaTe, GaTe:Er ve GaTe:Cu yarıiletkenlerinin büyütülmesi, elektriksel ve optik karakterizasyonu
Growth electrical and optical characterisation of GaTe, GaTe: Er and GaTe: Cu semiconductors
HÜSNÜ SALİH GÜDER
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU