Geri Dön

RF güç yükselticiler için sayısal kontrol tabanlı gan transistörlü zarf izleyici güç kaynağı tasarımı

Design of digitally controlled envelope tracking power supply with gan transistor for rf power amplifiers

PDF İndir

  1. Tez No: 752633
  2. Yazar: MELİS CANSU AYDOĞMUŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. COŞKU KASNAKOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Alçaltan çevirici, GaN transistör, Güç yükselteç, Sayısal kontrol, Zarf izleyici, Güç yükseltici, Sayısal denetim, Transistör, Çeviriciler, Buck converter, Digital control, Envelope tracking, GaN transistor, Power amplifiers, Power amplifier, Numerical control, Transistor, Converters
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Tobb Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Cep telefonları, kablosuz modemler, baz istasyonları ve daha birçok alanda kullanılan kablosuz haberleşme artan talep ve gelişen teknoloji ile birlikte oldukça önem kazanmıştır. Kablosuz haberleşmenin önemli bir bloğunu RF güç yükselticiler oluşturur. RF sistemlerde en çok güç tüketen birimlerin başında güç yükselteçleri gelir. Bu nedenle güç yükselteç tasarımında verim en önemli parametrelerden biridir. Klasik güç yükselteçleri verimli değildir. Güç yükselteçlerde verimliliği arttırmak için kullanılan gerilim modülasyon tekniklerinden biri de zarf izleme yöntemidir. Bu yöntemde güç yükseltecini besleyen güç kaynağı referans aldığı sinyale göre çıkış gerilimini yükseltip alçaltarak RF sistemin ihtiyacına göre çıkış gerilimi oluşturur. Bu çalışmada güç yükselteçlerde zarf izleyen anahtarlamalı güç kaynağı tasarımı anlatılmıştır. Bu güç kaynağı 9V-12V giriş geriliminde çalışan, 750 KHz anahtarlama frekansına sahip, 5 KHz'e kadar zarf izleyebilen, 1A çıkış akımı ve 5V çıkış gerilimi sağlayabilen bir tasarımdır. Bu güç kaynağı senkron alçaltan çevirici topolojiyle tasarlanmıştır. Bu çalışmada ayrıca esnek çözümler sunan sayısal kontrolcü tasarımına, yüksek hızlarda daha verimli çalışan GaN (Gallium Nitride) transistör kullanımına ve çeşitli analizlere yer verilmiştir.

Özet (Çeviri)

Wireless communication, which is used in mobile phones, modems, base stations and many other areas has gained importance with increasing demand and developing technology. RF power amplifiers are one of the most important blocks in wireless communication. Power amplifiers consume the most power in RF systems. Therefore, efficiency is one of the most important parameters in power amplifier design. Classical power amplifiers are not efficient. Envelope tracking is one of the voltage modulation techniques that is used to increase efficiency in power amplifiers. In this method, the power source feeding the power amplifier creates an output voltage according to the needs of the RF system by increasing and decreasing the output voltage. In this study, envelope tracking power supply design is explained. This supply is capable of operating with 9-12V input voltage, has 750 KHz switching frequency, follows reference signal up to 5kHz, supplies 1A output current and 5V output voltage. The power supply is a design with synchronous buck converter topology. Also this study includes digital control design providing flexible solutions, use of GaN (Gallium Nitride) transistors that work more efficiently at high speeds and various analyzes.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    554347

    High voltage conversion efficiency charge pump based power management integrated circuit for bioimplants

    Biyoimplantlar için gerilim dönüştürme verimi yüksek yük pompası tabanlı güç yönetimi tümdevresi

    MELİH BİLMEZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ TUFAN COŞKUN KARALAR

  2. Tez No

    434219

    A digitally controlled class-E amplifier for MRI

    MRG cihazları için tasarlanmış sayısal kontrollü güç yükselteci

    REDI PONI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERGİN ATALAR

  3. Tez No

    421170

    Linearity and efficiency improvement on RF power amplifiers

    RF kuvvetlendiricilerde doğrusallık ve verimin iyileştirilmesi

    ÖMER AYDIN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Ana Bilim Dalı

    PROF. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI

  4. Tez No

    232251

    Haberleşme sistemlerinde doğrusal olmayan mikrodalga güç kuvvetlendiricilerinin sebep olduğu bozulmaların doğrusallaştırma teknikleri ile giderilmesi

    Reducing the intermodulation distortion in communication systems caused by microwave power amplifiers using linearization techniques

    ALPARSLAN ÇAĞRI YAPICI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEBRAİL ÇİFLİKLİ

  5. Tez No

    153645

    CMOS class-e power amplifier modelling and design including channel resistance effects

    CMOS e-sınıfı güç yükselticinin kanal direnç etkilerini içeren modellemesi ve tasarımı

    İBRAHİM DEMİR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞİMŞEK DEMİR

    PROF. DR. CANAN TOKER

Geri Dön