Schottky diyotlarında ters akımların nötron bombardımanından sonra sıcaklığa bağlı olarak değişiminin incelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 29382
- Danışmanlar: PROF. DR. DURUL ÖREN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Akım, Diyodlar, Elektronik aletler, Nötron, Current, Diodes, Electronic equipments, Neutron
- Yıl: 1993
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu çalışmada, önce piyasada yaygın olarak modern elek tronik cihazlarda kullanılan Schottky diyotları ters besleme yapılarak, sıcaklığa bağlı olarak değişimleri incelenmiştir. Daha sonra nötron radyasyonunun diyotların karakteristikle rinde oluşturdukları değişiklikler incelendi. Schottky diyotları (BA-159, BA-157) İ.T.Ü. TRIGA MARK II Araştırma Reaktöründe değişik nötron akılarında ışınlandı ve (I-T), (lnJ-l/kT), (C-V), (1/C2-V) karakteristikleri çizilerek Schottky engel yükseklikleri hesaplanmıştır. Bu engel yüksekliklerinin zaman içindeki değişimi hesaplandı ve sonuçlar yorumlandı.
Özet (Çeviri)
SUMMARY In the present work, firstly, Schottky diodes which are commonly used in modern electronic instruments are reverse biased and studied under heat treatment. Neutron radiation testing was performed on two different types Schottky diodes to investigate the changes in the charac teristics of them after neutron exposure. The Schottky diodes (BA-159, BA-157) were irradiated in TRIGA MARK II Research Reactor in Technical University of Istanbul. Experimental procedure is explained and (I-T) (InJ-l/kT), (C-V), (1/C2-V) characteristics are drawn. By means of these characteristics Schottky barier heights are calculated. And the changes in the barier heights of these diodes have been determined and discussed during the time after neutron radiation.
Benzer Tezler
- Au-Sb/n-Si/Cu Schottky diyodlarında seri direncin 1-V ve C-V karakteristiklerine etkisi
Başlık çevirisi yok
BAHRİ BATI
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ KÖKÇE
- Au-Sb/n-Si/Cu Schottky diyodlarında seri direncin I-V ve C-V karekteristiklerine etkileri
Başlık çevirisi yok
BAHRİ BATI
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ KÖKÇE
- Amorf silisyum güneş pillerinde“degrading”olayının incelenmesi
Degradation of amorphous silicon solar cells
TÜLAY SERİN
Doktora
Türkçe
1988
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ARSIN AYDINURAZ
- n-tipi GaAs yarı iletkeni üzerine oluşturulan Sn/n-Ga As kontak yapılarında arayüzey parametrelerinin belirlenmesi
The Determination of the interfacial parameters in Sn-n-GaAs contact structures formed on to then-tipi Ga As semiconductor
HÜLYA ÇİFTÇİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENİSE AYYILDIZ
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM NUHOĞLU
- Metal/ yarıiletken MIS yapıların karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
Determining the characteristic parameters of metal/ semiconductor MIS structure
NESİM BUĞUR