Geri Dön

n-tipi GaAs yarı iletkeni üzerine oluşturulan Sn/n-Ga As kontak yapılarında arayüzey parametrelerinin belirlenmesi

The Determination of the interfacial parameters in Sn-n-GaAs contact structures formed on to then-tipi Ga As semiconductor

  1. Tez No: 105284
  2. Yazar: HÜLYA ÇİFTÇİ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ENİSE AYYILDIZ, YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM NUHOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Schottky diyodları, Yarı iletkenler, Schottky diodes, Semiconductors
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET Sn/n-GaAs (Te) Schottky diyotlarını elde etmek için: [100] doğrultusundan büyütülmüş, 450 //m kalınlığında, iki yüzü parlatılmış, 1-5 x \011 cm'3 taşıyıcı konsantrasyonlu n tipi GaAs yarıiletkeni kullanıldı. Schottky kontak yapımından önce, yarıiletken yüzeyindeki kirliliklerin giderilmesi için sırasıyla: ultrasonik olarak trikloretilen, aseton ve metanolda temizlik, kimyasal temizlik ve deiyonize su ile bol yıkama yapıldı. Sonra numunenin bir yüzüne Au-Ge (%88,%12) alaşımıyla omik kontak yapıldı. Daha sonra, doğrultucu kontak yapmak için % 99,99 saflığında Sn, yarıiletkenin arka yüzeyine buharlaştırıldı. Buharlaştırma işlemleri 10-5 torr'da gerçekleştirildi. Sn/n-GaAs Schottky diyotlanmn akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında yapıldı. Diyotlann idealite faktörlerinin değerleri doğru beslem I-V karakteristiklerinden 1,2,3 ve 4 nolu diyotlar için sırasıyla 1.07, 1.08, 1.08 ve 1.09 olarak elde edildi. Diyotlann engel yükseklikleri ters beslem C~2-V ve doğru beslem I-V karakteristiklerinden elde edildi. C-V karakteristiklerinden bulunan engel yüksekliklerinin I-V karakteristiklerinden bulunandan daha büyük olduğu görüldü. Ayrıca engel yükseklikleri, doğru beslem I-V karakteristiklerinin deneysel değerleri kullanılarak yüzey potansiyel- gerilim 0Fs,V) grafiklerinden de bulundu. Bu değerlerin diğer metotlarla elde edilen değerlerle uyum içinde olduğu görüldü. Schottky diyotlarmın frekansa bağlı C-V ölçümleri de alındı. Bu ölçümler yardımıyla arayüzey hal yoğunluk değerleri elde edildi.

Özet (Çeviri)

11 SUMMARY In order to fabricate Schottky diodes, it was used polished (as received from manufacturer) n-GaAs (Te) semiconductor with [100] orientation, 450um in thick and having donor concentration of 1 - 5 x 1017 x cm'2. Before making contacts, the n-GaAs wafer was ultrasonically degreased into trichloroethlene, acetone and methanol for approximately 2 min, respectively, and then chemically etched with a H2SO4: H2O2: H2O (5:1:1) solution for 1 min to remove undesirable impurities on the surface of the semiconductor. Then, the samples were washed with deionized water. Au-Ge (8 8%, 12%) alloged was to the back of the samples for making ohmic contacts. The Sn/n-GaAs Schottky contact was formed by evaporating Sn. The current -voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements of Sn/n-GaAs Schottky diodes were carried out at room temperature. From the forward bias current-voltage characteristics, the values of the idealite factory of Sn/n-GaAs Schottky diodes were found to be 1.07, 1.08, 1.08 and 1.09 for the diodes 1,2,3 and 4, respectively. It was determined that the barrier heights obtained from the capacitance-voltage characteristics are greater than those of the current - voltage characteristics. Further more, the barrier heights were calculated from the surface potential-voltage curves plotted by using experimental values of the forward bias I-V characteristics. It was found that our data are agreement with those obtained with the other methods. The density distribution of interface states of the diodes was obtained from low and high frequency capacitance- voltage values.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    45037

    Metal yarıiletken (ms) ve anodik oksit ve sülfür ince izolasyon tabakalı metal-ince izolasyon tabakası-yarıiletken (mıs) diyotların elektriksel özellikleri

    Başlık çevirisi yok

    FEVZULLAH TEMURTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDumlupınar Üniversitesi

    Y.DOÇ.DR. M. ALİ EBEOĞLU

  2. Tez No

    65656

    CrNiCo/MBE n-GaAs schottky diyotlarında termal tavlamanın ve numune sıcaklığının elektriksel karakteristiklere etkileri

    Effect of thermal annealing and sample temperature on electrical characteristics CrNiCo/MBE n-GaAs schottky diodes

    AHMET GÜMÜŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECATİ YALÇIN

  3. Tez No

    76977

    Si ve GaAs alt yapılı yarı iletken materyallerin mikroyapılarının ve bazı özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of micro structures and some properties of semiconductors having Si or GaAs substraties

    SÜLEYMAN AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Eğitim ve ÖğretimAtatürk Üniversitesi

    Fizik Eğitimi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUSUF ATICI

  4. Tez No

    50041

    n-GaAs anodik MOS yapısının banzetim teknikleri kullanılarak incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    ABDULLAH A. DEREOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDumlupınar Üniversitesi

    Y.DOÇ.DR. MEHMET ALİ EBEOĞLU

  5. Tez No

    33493

    AlxGa1-x As / GaAs Graded ındex separate confinement heterostructure single quantum well lasers

    AlxGa1-x As / Ga As değişken kırılma indisli ayrık hapisli heteroyapı tek kuvantum kuyulu lazerler

    MÜMTAZ KORAY BOZKURT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ATİLLA AYDINLI

Geri Dön