Ir katkılı ZnO filmlerinin üretilmesi ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Production and investigation of some physical properties of ir doped ZnO films
- Tez No: 282872
- Danışmanlar: DOÇ. DR. FERHUNDE ATAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: ZnO:Ir, Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği, Spektroskopik Elipsometre, X-Işını Kırınımı, Optik Özellikler, Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM), Alan Emisyon Taramalı Elektron Mikroskobu (FESEM), Elektriksel Özellikler, Atomik kuvvet mikroskobu, Elipsometri, Sprey piroliz yöntemi, X ışını kırınımı, Yarı iletken filmler, Çinko oksit, İnce filmler, İridyum, ZnO:Ir, Ultrasonic Spray Pyrolysis Technique, Spectroscopic Ellipsometer, X-Ray Diffraction, Optical Properties, Atomic Force Microscope, Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM), Electrical Properties, Ellipsometry, Spray pyrolysis method, X ray diffraction, Semiconductor films, Zinc oxide, Thin films, Iridium
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Günümüzde sürekli gelişen ve yenilikler arayan opto-elektronik teknolojisinde saydam iletken oksit malzemelere ihtiyaç duyulmaktadır. Bu çalışmada n-tipi saydam iletken grubuna ait olan ZnO filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile farklı Ir katkı oranlarında (%4, %8, %12) elde edilmiştir. Üretilen filmlerin yapısal, optiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleri incelenerek, Ir katkı elementinin etkisi araştırılmıştır. ZnO:Ir filmlerinin spektroskopik elipsometre ile kalınlıkları ve bazı optik parametreleri (sönüm katsayısı ve kırılma indisi) belirlenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden, tüm filmlerin polikristal yapıda oluştuğu ve %12 Ir katkı oranının yapısal özellikleri iyileştirmek açısından en iyi katkı oranı olduğu belirlenmiştir. ZnO:Ir filmlerinin optik özellikleri incelenmiş ve 3.19-3.22 eV arasında yasak enerji araklıklarına sahip oldukları saptanmıştır. Atomik Kuvvet Mikroskobu ile filmlerin üç boyutlu yüzey topografileri ve yüzey pürüzlülükleri incelenmiştir. Alan Emisyon Taramalı Elektron Mikroskobu ile filmlerin yüzey özellikleri incelenmiş ve Enerji Dağılımlı X-ışınları Spektrometresi ile elemental analizleri yapılmıştır. Filmlerin iletim mekanizmalarını ve özdirenç değerlerini belirlemek amacıyla iki uç metodu kullanılmıştır. Tüm sonuçlar opto-elektronik endüstrisi ve fotovoltaik güneş pili uygulamaları açısından değerlendirilmiş ve Ir katkısının her bir fiziksel özellik üzerinde önemli bir etki yarattığı belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
Transparent conducting oxide materials are needed in opto-electronic technology which is developing and searching for novelty day by day. In this work, ZnO films which belong to n-type transparent conducting oxide group have been produced by ultrasonic spray pyrolysis technique at different Ir incorporation rates (4 %, 8 %, 12 %). The effect of Ir incorporation element has been searched by investigating the structural, optical, surface and electrical properties of the produced films. Thicknesses and some optical parameters (refractive index and extinction coefficient) have been determined by spectroscopic ellipsometer. It was determined from X-ray diffraction patterns that all of the films have polycrystalline structure and Ir incorporation at 12 % made the best improvement in point of view of the structural properties. Optical properties have been investigated, and it was determined that ZnO:Ir films have band gap values between 3.19 eV and 3.22 eV. Three dimensional surface topography and surface roughness of the films have been investigated by Atomic Force Microscope. Surface properties of the films have been investigated by Field Emission Scanning Electron Microscope and elemental analyses have been made bı Energy Dispersive X-ray Spectrometer. Two-probe method has been used to determine the conduction mechanisms and resistivity values of the films. All results have been appreciated in point of view of optoelectronic industry and photovoltaic solar cell applications and it has been concluded that Ir incorporation has a noticeable affect on each physical property.
Benzer Tezler
- Geçirgen ve iletken elektrot olarak karbon nanotüp katkılı indiyum kalay oksit ince filmlerin geliştirilmesi
Development of carbon nanotube doped indium tin oxide transparent conductive electrode
GÖKÇEN GÖKÇELİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN KARATEPE YAVUZ
- Poli (D,L-laktik asit) ve Laurus nobilis L. ile biyobozunur polimer kompozitlerin sentezi ve antibakteriyel etkisinin belirlenmesi
Synthesis and antibacterial effect of poly (D, L-lactic acid) and Laurus nobilis L. and biodegradable polymer composites
AYÇA AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Kimya MühendisliğiOndokuz Mayıs ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FEZA GEYİKÇİ
- Bor katkılı ince film kaplamaların sol-jel yöntemiyle hazırlanması ve karakterizasyonu
Preparation of boron doped thin film coatings by sol-jel method and characterization
AHMET HALUK CÖMERT
- Experimental and computational investigation of zinc oxide based surface acoustic wave devices
Çinko oksit tabanlı yüzey akustik dalga aygıtlarının deneysel ve hesaplamalı olarak geliştirilmesi
ELİF ÖZGÖZTAŞI
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN