Effect of localized states on the photocurrent in amorphous silicon alloys
Amorf silisyum alaşımlarındaki yerel durumların foto akıma etkisi
- Tez No: 255265
- Danışmanlar: DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: İnce filmler, Thin films
- Yıl: 2009
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Amorf silisyum alaşımı ince filimler plazma yardımcılı kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle büyütüldü. Optoelektronik ölçümlerin yapılabilmesi için, saydam metal elektrot biriktirilerek diyot yapılar üretildi. Yasak enerji aralığındaki yerel durum yoğunlukları ve fotoakım mekanizmaları inceleyen kuramsal altyapı çalışıldı. Bu bilgiler ışığında, sönümlü fotoakım kullanan uçuş süresi ölçüm tekniği, filmlerdeki bant eteklerinin karakteristik enerjilerinin ve yaygın durumlardaki taşıyıcı hareketliliğinin elde edilmesi için kullanıldı. Filmlerdeki gerçek yerel durum yoğunlukları, sabit foto-akım ölçümü vasıtasıyla elde edilen optik soğurma katsayısı kullanılarak belirlendi. Son olarak, yapıya az miktarda Oksijen atomu karışmasının taşıyıcı hareketliliğine ve yerel durum yoğunluğuna olumsuz etkisi gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
Amorphous Silicon alloy thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition technique. In order to make optoelectronic measurements, diode structures were fabricated by depositing transparent metal electrodes. Theoretical background of localized density of states in the mobility gap and photocurrent mechanisms has been revisited. In light of this, time of flight technique, using transient photocurrent, was utilized to determine mobility in extended states and characteristic energy of tail states in the film. The actual density of states (DOS) in the mobility gap of the deposited films were determined by using absorption coefficients obtained via constant photocurrent measurements. Finally, adverse effects of small Oxygen incorporation on mobility and DOS were observed.
Benzer Tezler
- Amorf silisyumda staebler wronski etkisinin fotoiletkenlik parametresi üzerindeki rolü
The Role of staebler-wronski effect on the prameter of photocondictivity in amorphus silicon
SEVİLAY UĞUR
- Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile amorf silisyum filmlerde yerleşik durum yoğunluğunun belirlenmesi
Başlık çevirisi yok
GÜLEN AKTAŞ
- Düzgün olmayan alanda SF6, N2 ve SF6+N2 gazlarında boşalma gerilimlerine elektrod yüzey pürüzlülüğünün etkileri
Effects of electrode surface roughness on corona inception and breakdown voltages in SF6, N2 and SF6+N2 in non-uniform fields
MURTAZA FARSADİ
Doktora
Türkçe
1989
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. MUZAFFER ÖZKAYA
- Organik tabanlı güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
Organik tabanli güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
SAEEDULLAH SAJJAD
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET ALTINDAL
- Killi zeminlerin şişme davranışına ön yüklemenin etkisi
Effect of pre-loading on swelling behaviour of clay soils
CENGİZ ACAR