Geri Dön

Amorf ınte yarıiletken malzemesinin fiziksel özelliklerinin araştırılması

Investigating of physcial properties of amorphous inte semiconductor material

  1. Tez No: 185314
  2. Yazar: HANDAN BOSTANCI
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: InTe, Elektriksel İletkenlik, Amorf Yarıiletken, Dielektrik Sabiti, InTe, Electrical Conductivity, Amorphous Semiconductour, Dielectric constantI
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Fırat Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZETYÜKSEK LİSANS TEZİAMORF InTe YARIİLETKEN MALZEMESİNİN FİZİKSEL ÖZELLİKLERİNİNARAŞTIRILMASIHandan BOSTANCIFırat ÜniversitesiFen Bilimleri EnstitüsüFizik Anabilim Dalı2006, Sayfa : 80Bu çalışmada, InTe amorf yarıiletken malzemenin, X ışını difraksiyonu, elektrikseliletkenliği, optik ve dielektrik özellikleri araştırıldı. X-ışını difraksiyon sonuçları InTenumunesinin amorf yapıya sahip olduğunu gösterir. Numunenin elektriksel iletkenliğininsıcaklığa bağlılığı araştırıldı ve bulunan sonuçlar numunenin bir amorf yarıiletken olduğunudoğrular. InTe numunesi fotoiletkenlik özellik gösterir. Numunenin optik band aralığı ve optiksabitleri geçirgenlik ve yansıma spektrumları kullanılarak hesaplandı. Numunede doğrudanoptik geçişler meydana geldi. Numunenin kırılma indisi dispersiyon eğrisi tek osilatör modelineuydu. Numunenin dielektrik özellikleri frekansın ve sıcaklığın bir fonsiyonu olarak araştırıldı.Dielektrik parametrelerin sıcaklık ve frekansla değiştiği bulundu. Elektrik modulus eğrileridielektrik relaksasyon olayını analiz etmek için kullanıldı.

Özet (Çeviri)

ABSTRACTMASTER THESISINVESTIGATING OF PHYSICAL PROPERTIES OF AMORPHOUS InTeSEMICONDUCTOR MATERIALHandan BOSTANCIFırat UniversityGraduate School of Natural and Applied SciencesDepartment of Physics2006, Page: 80In this study, X-ray diffraction, electrical conductivity, optical and dielectrical propertiesof the InTe amorphous semiconductor material have been investigated. X-ray diffraction resultsshow that InTe sample has an amorphous structure. Temperature dependence of electricalconductivity of the sample has been investigated and the obtained results confirm that InTe is anamorphous semiconductor. The InTe sample shows photoconductivity behavior. The opticalband gap and optical constants of the sample were calculated using transmittance andreflectance spectra. In the sample, the direct optical transitions take place. The refractive indexdispersion curve of the sample obeys the single oscillator model. The dielectrical properties ofthe sample have been investigated as a function of frequency and temperature. It was found thatthe dielectrical parameters were changed with temperature and frequency. The electricalmodulus curves were used to analyze the dielectrical relaxation processes.

Benzer Tezler

  1. Amorf germanyum filimlerin elektriksel iletim özellikleri

    Başlık çevirisi yok

    AYNUR ERAY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ

  2. Amorf silisyum güneş pillerinde“degrading”olayının incelenmesi

    Degradation of amorphous silicon solar cells

    TÜLAY SERİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ARSIN AYDINURAZ

  3. Sürekli ortam kusurlarının topolojik ve diferensiyel geometrik tarifleri ve ayar teorileri

    Differential geometric and topological description of continuum defects and gauge theories

    ABDULLAH VERÇİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TEKİN DERELİ