n-InP yarıiletkeni üzerine schottky diyotunun yapımı, diyotun akım-voltaj ve kapasitans-voltaj özeliklerinin incelenmesi
Production of schottky diode on n-InP semiconductor and investigation current-voltage and capacitance-voltage properties
- Tez No: 182620
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ADİL CANIMOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: n-InP, Ohmik kontak, Schottky diyot, ince film, I-V ve C-Völçümleri, metal-yarıiletken kontakları
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, birkaç n-InP Schottky diyotu yapıldı. Bu diyotların performansınıbelirlemek için I-V ve C-V ölçümleri kullanıldı. n-InP numunelerin mat yüzeyi üzerin 2adet ohmik kontak yapıldı. Bu işlemden sonra, Schottky kontaklar yapılmadan önce n-InP numunelerin temizlendi ve yakıldı. Daha sonra, bu numuneler 10-7 torr' luk vakumsistemin içine yerleştirildi ve numunenin parlak kısmına kalaylama yöntemi ile gümüşnoktalar yerleştirerek, 2 adet Schottky kontak yapıldı. Yapılan her Schottky diyot TO-5transistör başlığı üzerine monte edildi. Bu Schottky diyotların I-V ve C-V ölçümleriyapıldı. Her diyotun I-V ve C-V verileri tartışıldı. Schottky diyotun elektrikselözelikleri, belirgin bir şekilde numunelerin yüzey temizliklerine bağlı olduğu bulundu.
Özet (Çeviri)
In this work, several InP Schottky diodes were developed and I-V and C-Vmeasurements were performed to determine the performance of these diodes. Twoohmic contacts were made on the substrate of n-InP samples. After this process, n-InPsample substrates were cleaned and etched before formation of the Schottky contacts.Then, these samples were placed in a vacuum system at 10-7 torr and two Schottkycontacts were developed on the samples evaporating the silver dots on their shiny parts.Each fabricated Schottky diode was mounted on a TO-5 transistor header. I-V and C-Vmeasurements of these Schottky diodes were carried out. I-V and C-V spectra of eachdiode were discussed. It is found that the electrical properties of a Schottky diodesignificantly depend on the cleanlines of the surface of the samples.Key_words : n-InP, Ohmic contact, Schottky diode, thin film, I-V and C-Vmeasurements, metal-semiconductor contacts.
Benzer Tezler
- n-InP yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of Schottky diode on n-type InP semiconductor and investigating its electrical properties
HÜSEYİN DÖNMEZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ADİL CANIMOĞLU
- n-GaAs yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of Schottky diode on n-type GaAs semiconductor, and investigating its electrical properties
ŞAKİR ŞANE
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. REFİK KAYALI
- Au, Cu ve Al/n-InP Schottky eklemlerin karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
The determination of characteristic parameters of Au, Cu and Al/n-InP Schottky contacts
HİDAYET ÇETİN
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ENİSE AYYILDIZ
- Pb1-xSnxTe/BaF2 yarıiletkenin elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Electrical properties of Pb1-xSnxTe/BaF2 semiconductor
ALİ İHSAN KILIÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Gözenekli silisyumda He-Ne lazerinin yapısal etkileri
Structural effects of He-Ne laser on porous silicon
AHMET OGEDAY OLCAYTO
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMEL ÇINGI