n-InP yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of Schottky diode on n-type InP semiconductor and investigating its electrical properties
- Tez No: 167924
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. ADİL CANIMOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: InP, Ohmik kontak, Schottky diyot, I-V ve C-V ölçümleri. ıı, InP, Ohmic contact, Schottky diode, I-V and C-V measurements. m
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET n-InP YARIİLETKENİ ÜZERİNE SHOTTKY DİYODUNUN YAPIMI, DİYOTUN ELEKTRİKSEL ÖZELİKLERİNİN İNCELENMESİ DÖNMEZ, Hüseyin Niğde Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Ana Bilim Dalı Danışman : Yrd. Doç. Dr. Adil CANIMÖĞLU Ağustos 2005, 53 sayfa Ohmik kontak yapmanın yöntemlerinden biri, n-tipi InP (İndiyum Fosfat) yarıiletkeni üzerine oluşturulan metalin kalaylandığı tekniktir. Metalin düşük erime sıcaklığı (230°C) ohmik kontak yapma esnasında yarıiletken yapısının değiştirmeyeceğini gösterir. Schottky kontaklar yapılmadan önce yarıiletken numuneler temizlendi ve yakıldı. Schottky kontaklar vakum altında gümüş kalaylaması ile oluşturuldu. Yapılan her Schottky diyotu TO-5 transistor başlığı üzerine monte edildi. Schottky diyotları I-V ve C-V ölçümlerinde kullanıldı. Her diyot için elde edilen I-V ve C-V datalan tartışıldı. Schottky diyotunun elektriksel özellikleri, yarıiletkenin yüzeylerindeki duruma büyük oranda bağlı olduğu bulundu.
Özet (Çeviri)
SUMMARY PRODUCTION OF SCHOTTKY DIODE ON N-TYPE InP SEMICONDUCTOR, AND INVESTIGATING ITS ELECTRICAL PROPERTIES DÖNMEZ, Hüseyin Nigde University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor : Yrd. Doç. Dr. Adil CANIMO?LU August 2005, 53 pages A common method of forming ohmic contacts is the alloying technique whereby a metal (tin) is alloyed to the heavily doped substrate of the n-InP sample. The low metling temperature (230°C) ensured that there was no change in the composition of the InP during the contact formation. The samples were cleaned and etched before the making of Schottky contacts. The Schottky contacts were produced by the evaporation of silver globules under vacuum. Each fabricated Schottky diode was mounted on a TO- 5 transistor header. The mounted Schottky diyotes were used for I-V and C-V measurements. The I-V and C-V spectra of each diode are discussed. It is found that the electrical properties of a Schottky diode depend to a large extent on the surface of the semiconductor.
Benzer Tezler
- n-GaAs yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of Schottky diode on n-type GaAs semiconductor, and investigating its electrical properties
ŞAKİR ŞANE
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. REFİK KAYALI
- n-InP yarıiletkeni üzerine schottky diyotunun yapımı, diyotun akım-voltaj ve kapasitans-voltaj özeliklerinin incelenmesi
Production of schottky diode on n-InP semiconductor and investigation current-voltage and capacitance-voltage properties
GÜLCAN ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ADİL CANIMOĞLU
- Au, Cu ve Al/n-InP Schottky eklemlerin karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
The determination of characteristic parameters of Au, Cu and Al/n-InP Schottky contacts
HİDAYET ÇETİN
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ENİSE AYYILDIZ
- Pb1-xSnxTe/BaF2 yarıiletkenin elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Electrical properties of Pb1-xSnxTe/BaF2 semiconductor
ALİ İHSAN KILIÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Gözenekli silisyumda He-Ne lazerinin yapısal etkileri
Structural effects of He-Ne laser on porous silicon
AHMET OGEDAY OLCAYTO
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMEL ÇINGI