Al/p-Si/Sn schottky yapılarının akım-voltaj karekteristiklerinin incelenmesi
The investigation of current-voltage characteristics of the Al/p-Si/Sn schottky structures
- Tez No: 182617
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. AHMET GÜMÜŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, Silisyum, idealite faktörü, metal-yarıiletken kontak, omik kontak, doðrultucu kontak, yüzey durumları oksit, donor, akseptör, Schottky diode, silicon, ideality factor, metal-semiconductor contacts, ohmic contact, rectifying contact, surface states, oxide, donor
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalıºmada, yüksek özdirençli [111] doðrultusunda kesilmiº p-tipi Si kristalindenyapı Al/p-Si/Sn Schottky diyot yapı nı akı iletim mekanizması ve karakteristiklan sı n mparametreleri araºtı ldı Schottky diyot yapı ndaki omik kontak, Al-Si (p-tipi)rı . sıðıolan 577 0C'de alaºı yapısisteminin ötektik sıcaklı m lması ile; doðrultucu kontak iseSn metalinin p-tipi Si'a vakumda ı sal buharlaºtı lması yöntemiyle gerçekleºtirildi.sı rırma iºlemleri 10-5 torr basıBuharlaºtı nçta gerçekleºtirildi.Yapı n akıları m-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklı nda, karanlı ortamda yaklaºıðı k kolarak 0-4 Volt aralı nda ters ve düz beslemlerde alı ºtı Yapı ait parametrelerinðı nmı r. yabulunmasında akım-voltaj karakteristikleri kullanı . Diyot parametreleri Cheung veldıCheung tarafından verilen yöntemle hesaplandı Ayrı Schottky diyot yapı nı I-V. ca, sı nmıile Schottky çiziminden eÖ p= 0.73 eV, doðru beslem [dV/dlnIkarakteristikleri yardı]-I ve H(I)-I karakteristiklerinden eÖ p= 0.75 eV deðerleri bulundu. Diyot idealiteçarpanın = 1.64 ile diyot seri direnci Rs=6.45 k⦠ve Rs=8.87 k⦠olarak bulundu.
Özet (Çeviri)
In this study Al/p-Si/Sn Schottky diode made of p-type Si Crystal that was cut in the[111] direction of high resistivity and it is parameters characteristics have beenresearched. The ohmic contact in the Schottky diode was fulfilled by making p-type Al-Si alloy at 577 0C which was the eutectic temperature of P+P structure and the was madewith the contact of Sn metal and p-type Si. Evaporation processes was done under thepressure of 10-5 torr.Current-Voltage (I-V) measurements of the sample at room temperature and darkmedium have been taken for the range of approximately 0-4 Volts of forward andreverse bias. So in order to find the parameters relating to the structure thecharacteristics of current-voltage (I-V) were used. The diode parameters have beencalculated by the use of methods given by N.V. Cheung and S.K. Cheung. In addition,by using the I-V characteristics of the Schottky diode structure, eÖ p= 0.73 eV, wasfound from Schottky drawing, and eÖ p= 0.75 eV from [dV/dlnI ]-I and H(I)-Icharacteristics. To the values found, n=1.64 with diode seri resistance Rs=6.45k⦠andRs=8.87 k⦠were found.
Benzer Tezler
- P- tipi silisyum yarıiletkeni ile yapılan bipolar ve simetrik kontak yapıların I-V ve C-V karakteristikleri incelenerek çeşitli parametrelerin hesaplanması
The Study of I-V and C-V characteristic of bipolar and symmetric contact structures by using the semiconductor of p-type
ABDULKADİR DARTICI
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Hidrostatik basınç altında metal/p-Si schottky diyotların elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of metal/p-Si schottky diodes under hydrostatic pressure
GÜVEN ÇANKAYA
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NAZIM UÇAR
- İletken polimer/p-Si diyortlarının üretimi ve elektriksel özellikleri
Electrical proporties and production of conducting polymer/p-Si diodes
MALİK KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Plazma nitrürleme ile Si(100) yüzeyi üzerine büyütülen arayüzey tabakasının Schottky diyot parametreleri üzerine etkisi
The effect of the interface layer grown on Si(100) surface by plasma nitridation on the Schottky diode parameters
BEHİYE BOYARBAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ENİSE AYYILDIZ