Geri Dön

Germanyum ve silisyum 'dan yapılmış metal-yarıiletken metal yapılarında azınlık taşıyıcılarının elektriksel iletkenliğe etkisi

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 173686
  2. Yazar: NECMİ SERİN
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. UĞUR BÜGET
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1977
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Ankara Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET Çalışmada ilk olarak Metal-yarıiletken kontağında akım akışını ifade eden emisyon, Mf vizyon, Bethe, Schottky ve Crowel ve Sze teorileri için Bilgisayar programı yapılmıştır. Değişik sıcaklık değerleri için hesaplanan akım değerlerinden teorik akım-gerilim eğrileri çizilmiştir. 10fi-cra resistivitell <111> doğrultusundaki Germanyum ve Silisyum'dan Metal-yarıiletken-Metal yapıları imal edilmiştir. Çeşitli sıcaklıklarda deneysel olarak çizilen akım-gerilim eğrilerinin, teorik olarak çizilen eğrilerle uyum içinde olduğu görülmüştür. Akım-gerilim Ölçülerinden, Germanyum ve Silisyum yapıları için 0 elektron engel yüksekliği, 0, delik engel yüksekliği, Tg etkin yaşama süresi ve Al tın'' in difüzyon yapmadaki etkin delik sayısı bulunmuş ve bunların bilinen değerlere yakın olduğu tespit edilmiştir. Au-Ge-Sb (Alaşım),Au-Ge-Al (Alaşım), Au-Ge-Sn, Au-Ge-Şn (Alaşım),Au-Si-Sb (Alaşım), Au-Si-Al (Alaşım),Au-Si-Sn,Au-Si-Sn(Alaşım) yapılarının kapasite-gerilim ölçüler i, sıcaklık sabit, frekans değişken ve frekans sabit olmak üzere çeşitli sıcak lıklarda yapılmıştır. Germanyum yapılarının etkin kapasitesinin sıcaklığa ve frekansa çok sıkı bağlı olduğu, Silisyum yapılarında bu bağlılığın çok az veya hiç olmadığı görülmüştür. Kapasite-gerilim ölçülerinden Germanyum ve Silisyum yapılarındaki V, difüzyon potansiyeli ve Nd donor yoğunluğu tayin edilmiş ve bunların bilinen değer lere yakın olduğu görülmüştür. Azınlık taşıyıcılarının oluşturduğu difüzyon kapasitesi alçak ve yüksek frekans sınırlarında çözülmüştür. Yüksek frekanstaki difüzyon kapasitesi göz önüne alınarak Au-Ge-Sb (Alaşım), Au-Ge-Sn, Au-Ge-Sn (Alaşım) ve Au-Ge-Al (Alaşım) yapıları için iki eşdeğer devre önerilmiş, ve bunların etkin kapasitelerinin sıcaklığa, frekansa, ge rilime bağlılığı açıklanmıştır. Buradan ve teorik olarak azınlık taşıyıcı oranının Ger manyum yapılarında daha büyük bulunmasından, azınlık taşıyıcılarının Germanyum5 da daha etkin olduğunu doğrulamıştır. Au-Ge-Sb (Alaşım), Au-Ge-Sn, Au-Ge-Sn (Alaşım) yapıları için önerilen modele uygun olarak, kapasite-gerilim ölçülerinden, delik difüzyon sabiti D tayin edilmiştir., Bunun verilen değere çok yakın olması, hem D p nin kapasite-gerilim ölçülerinden bulu nab ileceğini göstermiş ve hem de azınlık taşıyıcılarının etkisini bir kez daha doğrula mıştır.

Özet (Çeviri)

Özet çevirisi mevcut değil.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    111144

    Demir çelik sektörü ve demir çelik sektöründe sermaye maliyeti

    Iron and steel sector and cost of capital in iron and steel sector

    ALİ DİKMEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    İşletmeMarmara Üniversitesi

    Sermaye Piyasası ve Borsa Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MAHMUT HAYATİ ERİŞ

  2. Tez No

    206394

    Burdur ili mermer sektörünün kurumsal ve ekonomik yapısı

    İnstitutional and economic structure of marble sector in burdur

    AHMET SARITAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    EkonomiAkdeniz Üniversitesi

    İşletme Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. AYŞE KURUÜZÜM

  3. Tez No

    177205

    Carrier dynamics in silicon and germanium nanocrystals

    Silisyum ve germanyum nanoörgülerde tasıyıcı dinamiği

    CEM SEVİK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2008

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY

  4. Tez No

    222805

    Germanium alloys for optoelectronic devices

    Optoelektronik aygıtlar için germanyum bileşikleri

    AYŞE ERBİL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2008

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. ATİLLA AYDINLI

  5. Tez No

    39929

    Developing a computer model for the estimation of physical parameters of diffusion of an element during the doping process

    Katkılama süresince bir elementin fiziksel difüzyon parametrelerinin belirlenmesi için bir komputer modeli geliştirilmesi

    MUSTAFA YILMAZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1995

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. REFİK KAYALI

Geri Dön