Geri Dön

SiO2-Nb2O5 esaslı çok katmanlı yansıtmacı sistemler

SiO2-Nb2O5 based multilayer antireflecting coatings

  1. Tez No: 166359
  2. Yazar: SELEN ERKAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. GALİP TEPEHAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

SiO2 - Nb2O5 ESASLI ÇOK KATMANLI YANSITMAYİCî SİSTEMLER ÖZET Bu çalışmada NbıOs ve SiO2 ince filmlerinin karışımlarından oluşturulan üç katlı yansıtmayıcı filmler elde edilmiştir. Film hazırlama tekniği olarak sol-gel döndürerek kaplama yöntemi kullanılmıştır. Farklı konsantrasyonlardan hazırlanan Si(>2 - NbsOs karışımlarına 100 °C de 15 dakika ısıl işlem uygulanmış ve geçirgenlik - dalga boyu ve geçirgenlik - yansıtma değerlerinden kırma indis ve kalınlıkları belirlenmiştir. Belirlenen bu değerlerden üç katmanlı sistem için teorinin Önerdiği en uygun indis ve kalınlık değerleri seçilerek yansıtmayıcı sistem tasarlanmıştır. Corning 2947 cam üzerine gerçekleştirilen sistemde 720 nm dalga boyu değerinde camın %11 olan yansıtma değerinden %3 yansıtma değerine inilmiştir. viii

Özet (Çeviri)

Si02 - Nb2Os BASED MULTILAYER ANTIREFLECTÎNG COATINGS SUMMARY In this work, three layer antireflecting films are obtained from the mixture of NÎ32O5 and SİO2 thin films. Sol-gel spin coating method is used to prepare the film. Si02 Nb205 mixtures prepared at various concentrations are heat treated at 100 °C for 15 minutes. Thicknesses and refractive indices are calculated from their reflectance and transmittance. The films coated on Corning 2947 glass and its reflectance is reduced to % 3 from % 11. DC

Benzer Tezler

  1. Investigation of SiO2 / P-Si structure by DLTS and various admittance techniques

    SiO2 / P-Si yapısının DLTS ve çeşitli admıttans teknikleri ile belirlenmesi

    SERHAT ÖZDER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU

  2. X-ray photoelectron spectroscopic investigation of gold particles deposited on SiO2/Si system

    SiO2/Si numunesi üzerine depolanan altın parçacıklarının x-ışını fotoelektron spektroskopisi yöntemi ile incelenmesi

    FERDİ KARADAŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Kimyaİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEFİK SÜZER

  3. Formation of semiconductor nanocrystals in SiO2 by ion implantation

    SiO2 içinde yarıiletken nanokristallerin iyon ekme tekniği ile oluşturulması

    UĞUR SERİNCAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

  4. Growth and characterization of thin SiO2 and Ta2O5 dielectric layers by Nd: Yag laser oxidation

    Nd: Yag lazer oksitleme yöntemi kullanılarak ince SiO2 ve Ta2O5 dielektrik tabakaların büyütülmesi ve karakterize edilmesi

    GÜLNUR AYGÜN ÖZYÜZER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF.DR. RAŞİT TURAN

    PROF.DR. SİNAN BİLİKMEN

  5. Investigation of electrical properties of surface structures by X-ray photoelectron spectroscopic technique under external voltage stimuli

    Dışarıdan verilen voltaj yardımıyla yüzey yapılarının elektriksel özelliklerinin x-ışını fotoelektron spektroskopisi kullanılarak incelenmesi

    KORCAN DEMİROK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Kimyaİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Kimya Bölümü

    PROF.DR. ŞEFİK SÜZER