Ag-gözenekli silisyum eklemlerin kapasitif özellikleri
Capacitive properties of Ag-porous silicon junctios
- Tez No: 139835
- Danışmanlar: PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Gözenekli Silisyum, Nispi Nem, Kapasitif-Esaslı Sensörler, Ag- Gözenekli Silisyum Eklemler, Nem Sensörleri vıı, Porous Silicon, Relative Humidity, Capacity-Based Sensors, Ag-Porous Silicon Junctions, Humidity Sensors vm
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Özdirenci 0.006-0.015 Ocm ve kalınlığı yaklaşık 381 fj.ni olan Sb katkılı «-tipi monokristalik silisyumun yüzey bölgesinde elektrokimyasal yöntemle gözenekli silisyum (GS) tabakası oluşturuldu. GS filmin gözenekliliği % 35-50 olarak hesaplandı; kalınlığı 5-20 um arasında ölçüldü; optik geçirgenliğine spektrofotometre ile 300-1000 nm aralığında bakıldı; soğurma katsayısı hesaplanarak absorbsiyon katsayısı spektrumu çizildi ve yasak enerji aralığı yaklaşık 1.41 eV olarak bulundu. Elektron demeti yöntemiyle Ag-GS eklemleri elde edildi. Eklemlerin yüzey kontakları yapılıp aydınlık ve karanlık ortamlarda akım-voltaj karakteristikleri ölçüldü. Ag-GS eklemin daha yüksek doğrultma katsayısına ve daha küçük ışık duyarlılığına sahip olduğu görüldü. Ag-GS eklemlerin farklı ortamlarda (normal, aydınlık, karanlık ve nem) 0.05-100 kHz frekanslarda (seri ve paralel olarak) kapasitans-voltaj karakteristikleri ölçüldü. Ag-GS eklemin kalınlığının iyonlaşmış akseptörlerin konsantrasyonu ile ters orantılı olduğu bulundu. Ag-GS-Si eklemlerin kapasitansına nemin etkisi incelendi. % 35-95 nispi nemlik aralığında kapasitansta 5 nF'dan 800 nF'a kadar keskin bir artış elde edildi. BelH bir nispi nemlikte frekans azaldıkça kapasitansın arttığı gözlendi. Nemin etkisi ile Ag-GS-Si eklemin kapasitansındaki artışın, Ag-GS eklemine göre daha keskin olduğu belirlendi. Ag-GS-Si eklemlerin nem ortamına tepki süresi incelendi. Ag-GS-Si eklemlerin nem ortamından normal oda ortamına çıkarıldıktan sonra kapasitansın ilk değerine ulaşma süresi yaklaşık 10-20 saniye olarak tespit edildi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Porous silicon (PS) layer has been formed by electrochemical method at surface region of Sb- doped «-type monocrystalline silicon with 0.006-0.015 Qcm resistivity and 381 um thickness approximately. The porosity of PS film has been calculated as 35-50 %; the thickness of PS film has been measured between 5-20 um; optical transmission has been investigated at 300- 1000 nm interval by using spectrophotometer; absorption coefficient spectrum has bçen drawn by being calculated absorption coefficient, and energy gap has been found 1.41 eV approximately. Ag-PS junctions have been obtained by electron beam method. After surface contacts of junctions have been made, current-voltage characteristics have been measured in the light and dark medium. It has been seen that Ag-PS junction has higher rectification coefficient and lower light sensitivity. Capacitance-voltage characteristics of Ag-PS junctions have been measured in different medium (normal, light, dark, and humidity) at frequencies of 0.05-100 kHz (as series and parallel). It has been found that the thickness of Ag-PS junction is inversely propotional wjth the concentration of ionized acceptors. The effect of humidity on Ag-PS-Si junctions' capacitance has been investigated, A sharp increase from 5 nF to 800 nF in capacitance has been obtained at interval 35-95 % relative humidity. The decrease of frequency to the increase of capacitance has been observed at a certain relative humidity. The increase in capacitance of Ag-PS-Si junction with the effect of humidity has been determined sharper than Ag-PS junction's. The response time of Ag-PS-Si junctions' capacitance to humidity medium has been investigated. After Ag-PS-Si junctions has been taken out from humidity medium to normal room medium, the reach time to the initial value of capacitance has been found 10-20 seconds approximately.
Benzer Tezler
- Metal-gözenekli silisyum eklemlerin elektriksel özellikleri
The Electrical properties of metal-prous silicon junctions
SUNA ÖZTEMEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Radiation induced molecular imprinting of d-glucose onto poly(2-hydroxyethyl methacrylate) matrices using various crosslinking agents
D-glikozun farklı çapraz bağlayıcılar kullanılarak poli(2-hidroksietil metakrilat) matriks üzerine radyasyonla başlatılan moleküler baskılanması
ZELİHA ATEŞ
- Pore strucure of starch based food materials by network modelling
Nişastalı gıda maddelerinin gözenek yapılarının ağ modelleme yöntemi ile incelenmesi
VOLKAN ERKUTLU
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Gıda MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiGıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ZEYNEP KATNAŞ
- Simulation of the pore structure of starch based solid foods BY 2-D network modelling
Nişastalı gıda maddelerinin gözenek yapılarının iki boyutlu ağ modelleme yöntemi ile benzetimi
ALP GÜR
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Gıda MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiGıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ZEYNEP KATNAŞ
- Makro gözenekli sıcaklık duyarlı poli (N-izopropilakrilamit-ko-akrilamit) hidrojellerinin sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of macroporous and thermo-sensitive poly (N-isopropylacrylamide-co-acrylamide) hydrogels
SİMİN KİPER