Metal-yalıtkan-yarıiletken (MYY) yapılarda akım iletimi ve sığa özellikleri
Current transport and capacity properties in metal-insulator-semiconductor (MIS) structure
- Tez No: 133266
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: mis yapılar, engel yüksekliği, idealite faktörü, Schottky kontaklar, Schottky kontakları, Sığa özellikleri, mis structure, barrier height, ideality factor, Schottky contacts Page Number : 75 Adviser : Asst. Prof. Dr. Metin ÖZER, Schottky contacts, Capacity properties, Ideality factor
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
METAL-YALITKAN-YARIILETKEN (M Y Y) YAPILARDA AKIM İLETİMİ VE SIĞA ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Yunus BAŞ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Ekim 2003 ÖZET Bu çalışmada n-GaAs yarıiletken üzerine buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar, oda koşullarında hava ile teması (100 saat) sağlanarak yalıtkan tabakası oluşturulup Au/n-GaAs MİS Schottky diyodu elde edildi. Çalışmada Au/n-GaAs (MİS) Schottky diyodunun temel bazı fiziksel parametrelerinin sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi amaçlandı. Au/n-GaAs (MİS) yapının I-V ve C-V ölçümleri farklı sıcaklıklar için 1MHz frekansta gerçekleştirildi. Bu ölçümlerden yapının idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç, yasak enerji aralığı, gibi bazı temel karakteristikleri sıcaklığa bağlı olarak hesaplandı. Bilim Kodu : 404.05.01
Özet (Çeviri)
CURRENT TRANSPORT AND CAPACITY PROPERTIES IN METAL- INSULATOR-SEMICONDUCTOR (MIS) STRUCTURE (M.Sc. Thesis) Yunus BAŞ GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY October 2003 ABSTRACT In this study; by means of the method of evaparation on the semiconductor n-GaAs; Au/n-GaAs was obtained in the room conditions by providing ohmic and Schottky contacts with the air (100 hours) and forming on insulating layer. The investigation of the changes in some physical parameters of Au/n-GaAs Schottky diode with respect to heat is aimed in the study I-V and C-V measurement of Au/n-GaAs (MIS) were done at the frequency MHz for the different temperature values. Some of the basic characteristics such as ideality factor, barrier height, serial resistant, energy gap of the structure were computed with respect to heat by mean of the compilations done in the experiments. Science Code : 404.05.01
Benzer Tezler
- Metal-yalıtkan-yarı iletken yapıdaki gözenekli silisyum güneş pillerinin elektriksel karakteristikleri
Electrical characteristics of porous silicon solar cells at metal-insulator-semiconductor structure
ÖZGE TÜZÜN
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ŞENER OKTİK
- Al/SiNx/p-Si(100) (MYY) Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin düşük sıcaklıklarda incelenmesi
Investigation of electrical characteristics of Al/SiNx/p-Si(100) (MIS) Schottky diodes at low temperatures
SEDAT ZEYREK
Doktora
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. MAHİR BÜLBÜL
- AI-SiO2-pSİ (MYY) güneş pillerinin sıcaklığa bağlı elektriksel karakteristikleri
Başlık çevirisi yok
CANAN TEMEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Güneş pillerinde arayüzey durumlarının C-V karakteristiklerine etkisi
Interface states effect on the capacitance-voltage characteristics
ERCAN YILDIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapılarında yüzey durumlarının tayini
Determination of surface states in metal/insulator/semiconductor/metal structures
BAYRAM ÜNAL