Geri Dön

Güneş pillerinde arayüzey durumlarının C-V karakteristiklerine etkisi

Interface states effect on the capacitance-voltage characteristics

  1. Tez No: 85920
  2. Yazar: ERCAN YILDIZ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Metal-yahtkan-yaniletken, ideal olmayan davranışlar, seri direnç, Schottky engeli, Güneş pilleri, Metaller, Yalıtkanlar, Yarı iletkenler, metal-insulator-semiconductor, non-ideal behaviours, series resistance, Schottky barrier Page Number :55 Adviser : Assist Prof. Şemsettin ALTINDAL, Solar cells, Metals, Insulators, Semiconductors
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Metal-yalıtkan-yaniletken (MYY) güneş pillerinde arayüzey durumlarnnn ve seri direncin etkisi detaylı olarak çalışıldı. Numunelerde oksit tabakası termal olarak büyütüldü. Al-Si02-pSi Metal-yalıtkan-yaniletken (MYY) güneş piUerinin kapasitans-voltaj(C-V) ve iletkenlik-voltaj(G-V) karakteristikleri 20 kHz - 1 MHz frekans aralığında ölçüldü. MİS tipi güneş pilleri ideal olmayan kapasitans-voltaj(C-V) karakteristikleri gösterdi. Sonuç olarak seri direncin frekansa bağlı olarak değiştiği ve artan frekansla azaldığı gözlendi. İdeal olmayan bu davranışlar MYY güneş pilindeki yüksek arayüzey durumlannm büyüklük ve dağılımına atfedildi. Bilim kodu : 404.05.01

Özet (Çeviri)

A detailed study of the effect of interface states and series resistance in metal- insulator-semiconductor (MIS) solar cells has been done.The thicknesses of the samples are grown about 30Â thermally. Capacitance - voltage (C-V), and conductance-voltage (G-V) characteristics of Al-Si02-pSi metal-insulator- semiconductor (MIS) solar cells were made in the frequency range between 20 kHz and 1MHz at room temperature. The MIS type solar cells showed non- ideal behaviours with C-V characteristics. Consequently, series resistance was strongly frequency dependent and changed decrease with the increases of frequency. This non-ideal behaviour was attributed to an order of magnitude higher density of interface state density in the MIS solar cells. Science code : 404.05.01

Benzer Tezler

  1. AI-SiO2-pSİ (MYY) güneş pillerinin sıcaklığa bağlı elektriksel karakteristikleri

    Başlık çevirisi yok

    CANAN TEMEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  2. Güneş pili seri direncinin belirlenmesi ile ilgili yöntemler

    Başlık çevirisi yok

    METİN KUL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1989

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. MUHSİN ZOR

  3. Silikon güneş pillerinde fotovoltaik ölçümler

    Başlık çevirisi yok

    ÖZGÜL PARLAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1989

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Y.DOÇ.DR. İSA ESME

  4. Yarıiletken güneş pillerinde azınlık taşıyıcıların yarıömür tayin yöntemleri

    The determining methods of minority carrier lifetime in semiconductor solar cells

    HAZİRET DURMUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HALDUN KARABIYIK

  5. Efficiency optimization of silicon solar cells

    Başlık çevirisi yok

    HASAN GÖKPINAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1988

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    DOÇ. DR. MÜZEYYEN SARITAŞ