Efficiency optimization of silicon solar cells
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 4068
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MÜZEYYEN SARITAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: verim, silikon güneş pili, fotoakım, fotovoltaj, düzeltme faktörü, AMI şartı, n /p, n /p/p. vı, efficiency, silicon solar cell, photocurrent, photovoltage, correction factor, AMI condition, n /p, n /p/p. IV
- Yıl: 1988
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET SİLİKON GÜNEŞ PİLLERİNDE VERİM OPTİMİZASYONU GÖKPINAR Hasan Yüksek Lisans Tezi, Elektrik ve Elektronik Müh. Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Müzeyyen SARITAŞ Ekim 1988, 118 sahife Bu çalışmada, güneş enerjisini doğrudan elektrik enerjisine dünüştürmenin temel prensipleri ve tarihçesi gözden geçirildi ve silikon güneş pillerinin verimini be lirleyen faktörler incelendi. Silikon güneş pilinin akım- voltaj karakteristiklerini elde etmek için, n tipi yüzey ve p tipi taban silikon yarıiletkenlerinin paralel iki düz- 9 lem plaka halinde birleştiği model üzerinde, süreklilik ve akım denklemleri, ilgili sınır şartları altında çözüldü. 7\- CF.J.V /P. eşitliğiyle verilen, t\ verimini yük seltmek için, belirli atmosfer şartlarında pil yüzeyine çarpan ışık fotonlarının toplam enerjisi P. sabit iken, kı sa devre fotoakım yoğunluğu J, açık devre fotovoltajı V ve düzeltme faktörü CF nin mümkün olduğunca büyütül mesi gerekir. Ancak, bu faktörler aynı parametrelere ve birbirlerine bağlı olarak değişmektedir. CF, J ve V den & & ^ ' sc oc biri, belirli bir parametrenin fonksiyonu olarak büyürken diğerleri küçülebilmektedir ve dolayısıyla verimin doğrudan maksimum yapılması mümkün değildir. Bu nedenle, büyüklük ve madde parametrelerinin en uygun değerlerinin belirlenmesin de, FORTRAN dilinde yazılan bir bilgisayar programı kulla nıldı. AMI şartlarında, ısı kayıpları ve yarıilekten-iletken temas noktalarındaki kaçaklar ihmal edilerek, en iyi mal-zemenin kullanılması, n tipi yüzey ve p tipi taban yarı iletkenlerinin tam ve paralel olarak birleşmesi, pil yüzeyi ne çarpan ışık fotonlarının %90 inin iç tabakalara geçiri lebilmesi durumunda, n /p/p düzeneği için teorik verimin üst sınırı % 27.3 olarak hesaplandı. Bu değer, malzeme ka litesi ve ihmal edilen diğer faktörler nedeniyle, uygulama da, ölçüldüğü rapor edilen, % 19.1 lik silikon güneş pili veriminin çok üzerindedir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT EFFICIENCY OPTIMIZATION OF SILICON SOLAR CELLS GÖKPINAR Hasan M. S. in Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Müzeyyen SARITAŞ October 1988, 118 pages The basic principles and the history of direct conversion of solar energy into electrical energy are reviewed and the factors determining the efficiency of silicon solar cells are investigated in this study. To derive the cur rent -voltage characteristics of a silicon solar cell, the continuity and current equations are solved under the related boundary conditions, on a plane-parallel model of an n-type surface and a p-type base silicon semi-conductor. To maximize the efficiency, 7} = CF.J.V /P., the J ' l sc OC 1 short circuit photocurrent density J, the open circuit photovoltage V and the correction factor CF must be as F & oc high as possible where the total energy, P., of the solar photons is constant, under certain atmospheric conditions. But, these factors depend on the same parameters and are related to each other. When one of CF, J and V is sc oc increasing as a function of a certain parameter, the others may be decreasing, and therefore a straightforward maximization of efficiency is not possible. Hence, to determine the optimum values of the dimensional and material parameters, a computer program in FORTRAN language is used. Under AMI condition, by neglecting the heat losses and leakages at the ohmic contacts and by assuming that the best quality material is used, the junction of n-type surface Xlllayer and p-type bulk base is abrupt, and 90 % of light photons are transmitted through the surface layer, the upper limit of the theoretical efficiency for n /p/p structure is calculated as 27.3 %. This value is much higher than the measured value of silicon solar cell energy convergion efficiency, 19.1 %, due to the quality of the materials used, and the other neglected factors.
Benzer Tezler
- Fotovoltayik-fototermik dönüştürücülerde verim optimizasyonu
The Efficiency optimization of the photovoltaic photothermic transformers
KUBİLAY ERKAYA
- Uyarlamalı süzgeçler
Adaptive filters
RIDVAN AYSEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. AHMET H. KAYRAN
- Membranlarla gaz ayırma
Gas separation by membranes
İSMAİL BÜLBÜL
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ.DR. BİRGÜL TANTEKİN ERSOLMAZ
- Güç transformatörlerinin optimum tasarımına yönelik çalışmaların incelenmesi
Başlık çevirisi yok
LEVENT CAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURDAN GÜZELBEYOĞLU
- Anahtarlamalı güç kaynağı transformatörü tasarımı ve magnetik malzeme seçimi
Başlık çevirisi yok
AHMET GÜRBÜZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMİN TACER