Pn eklem güneş pillerinin verim parametreleri ve bunları ölçme yöntemleri
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 12326
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. HALDUN KARABIYIK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Güneş pilleri, Verim, Solar cells, Yield
- Yıl: 1990
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Selçuk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu çalışmada numune olarak, elektronik devrelerde ışığa duyarlı eleman olarak kullanılmak üzere hazırlanmış bir n+p eklemli silisyum güneş pili kullanıldı. Pilin karanlık bir ortamda ters ve doğru beslen akım-gerilim eğrileri ölçüldü. Bu eğrilerden, doyma akımı için I =1,55x10 mA, seri direnç için Rs= 3,73 Q ve parelel direnç için de R = 1 MÖ değerleri bulundu. Yine karanlık ortam koşullarında, 1) Doğru beslem ve düşük alanlarda difüzyon akımının <n«l>, 2) Doğru beslem ve yüksek alanlarda yeniden birleşme (re combination) akımının (n=;2), 3) Ters beslemde ise çoğalma (generation) akımının etkin olduğu gözlendi. Yapay aydınlatma altında pilin pratik verimi ^=%6,54 ve AMI, 5 aydınlatması ile kuantum verimi ölçümlerinden hesaplanan pratik verim *[ =* %12 elde edildi. Taşıyıcı yarıömrü için _3 t=2,6x10 sn ve difüzyon mesafesi için L=0,318 cm değerleri bulundu. Bunların literatürde verilen değerler ile uyumlu olduğu görüldü.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT In this study we have used an n p-Si junction solar cell which was prepared to use as a light sensitive device in electronic circuits. In a dark medium the forward and reverse biased current-voltage curves were measured. From these cur - -5 ves, for the saturation current I = 1.55x10 mA, the series o resistance R = 3.73 Q and the parallel resistance R = 1 MÛ s r p values were found. Besides, in the dark medium the following results were obtained: 1) In weak fields of forward bias the diffusion current <n*l), 2) In high fields of forward bias the recombination cui - rent (n«2), and 3) In the reverse bias the generation current mechanisms were found effective. The practical efficiency of the cell under artificial il lumination was V = 6.54 %, and under the AM 1.5 solar illumi nation conditions we have calculated a practical efficiency ^ = 12 % from the quantum efficiency measurements. For the -3 carrier lifetime t = 2.6x10 sec. and for the diffusion length L = 0.318 cm values were obtained. These parameters are in good agreement with the values in the literature.
Benzer Tezler
- Bakır difüzyonunun CuGaSe2-Ga As güneş pillerinin karakteristiklerine etkisi
The effect of the copper diffusion on the characteristics of CuGaSe2-Ga As solar cells
EMİN BACAKSIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiKaradeniz Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET SADIGOV
- p-n Eklemlerde safsızlık yoğunluklarının eklem parametrelerine bağlılığı
The Dependence of the junction parameters on the impurity densities in p-n junction
ALİ YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HALUK ŞAFAK
- Yeniden kristalleştirilmiş InSb filmlerinin elektriksel özellikleri
Başlık çevirisi yok
ATİLLA KILIÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NECDET BAŞTÜRK
- Bor'un silikondaki difüzyon mekanizması
Başlık çevirisi yok
SİNAN KAZAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ENGİN BAŞARAN