Geri Dön

Bakır difüzyonunun CuGaSe2-Ga As güneş pillerinin karakteristiklerine etkisi

The effect of the copper diffusion on the characteristics of CuGaSe2-Ga As solar cells

  1. Tez No: 66907
  2. Yazar: EMİN BACAKSIZ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET SADIGOV
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: CuGaSe2-GaAs, Güneş Pili, Heteroeklem, p-n Eklemi, Difuzyon, Kısa Devre Akımı, Açık Devre Gerilimi, Bakır, Difüzyon, Güneş pilleri, Copper, Diffusion, Solar cells
  7. Yıl: 1997
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Karadeniz Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

CuGaSe2 ve GaAs yarıiletkenlerinin örgü parametreleri ve termal genleşme katsayıları arasındaki fark çok küçük olduğu için (CuGaSe2 ve GaAs için sırasıyla a;=5,618Â ve a2=5,653Â; a^xlO“6 K”1 ve a2=5,8xl0“6 K'J) CuGaSe^GaAs heteroçiftinin bileşenleri ”ideal“ heteroeklemin bileşenlerine çok yakındır. Üstelik CuGaSe2, yasak enerji aralığı Eg=l,68 eV olan direk geçişli ve yüksek soğurma katsayılarına sahip (104-105cm”1) bir yarıiletken olduğu için, CuGaSe2 esaslı güneş pili hazırlamaya uygundur. CuGaSe2-GaAs güneş pilleri vakum ortamında nGaAs altlığın üzerine CuGaSe2 ince filminin buharlaştırılması ile elde edilir. CuGaSe2-GaAs güneş pillerinin kristal yapısı ve fotoelektriksel karakteristikleri x-ışınlan kırınımı, taramalı elektron mikroskobu ve fotoelektrik ölçümleri ile incelendi. CuGaSe2-GaAs güneş pillerinin, %6,1 verime, Jsc=28 mA/cm2 kısa devre akım yoğunluğuna ve Voc~0,52 V açık devre gerilimine sahip olduğu gösterildi. GaAs altlıkta, bakır konsantrasyonunun dağılımı x-ışınlan floresans tekniği kullanılarak ölçüldü. CuGaSe2 ince filminin GaAs altlık üzerinde çökelmesi boyunca, akseptör tipli bakırın altlığa difüzyonu sonucunda GaAs içinde p-n ekleminin oluştuğu gözlendi. Böylece iki seri pCuGaSe^pGaAs-nGaAs hetero-homo eklemi elde edildi.

Özet (Çeviri)

The components of CuGaSer-GaAs heteropair are very close to components of

Benzer Tezler

  1. CulnSe2-GaAs eklemlerin elektriksel özellikleri

    Electrical properties of CulnSe2-GaAs junctions

    BANU SÜNGÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2000

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TAYYAR CAFEROV

  2. Kozmetik amaçlı lipozom preparatları üzerinde araştırmalar

    Investigations on cosmetical liposome preparations

    MERYEM SEDEF SAYGILI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2000

    Eczacılık ve Farmakolojiİstanbul Üniversitesi

    Farmasötik Teknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. GÜNSEL BAYRAKTAR ALPMEN

  3. Hafik Madentepe bakır curuflarının sülfürik asit, asidik ferrik sülfat ve amonyak liçi koşullarının belirlenmesi

    Determination of conditions for sulphuric acid, acidic ferric sulphate and ammonia leaching of Hafik Madentepe copper slags

    SALİH AYDOĞAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2000

    Maden Mühendisliği ve MadencilikCumhuriyet Üniversitesi

    Maden Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. MEHMET CANBAZOĞLU

  4. y-ışınlarının Cu-GaAs eklemlerin elektriksel karakteristiklerine etkisi

    Effect of y-irradiation on the electrical characteristics of Cu-GaAs junctions

    SERÇO SERKİS YEŞİLKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TAYYAR CAFEROV