Bor'un silikondaki difüzyon mekanizması
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 98293
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. ENGİN BAŞARAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Bor, Difüzyon, Silisyum, Boron, Diffusion, Silicon
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
IV ÖZET - ' V^ 1 % V Difüzyon en genel anlamda maddenin, sistemin bir yerinden djğer bir yerine» / transfer edilmesi sürecidir. Bu difüzyon sürecinin nasıl bir mek'ârfrztTTayla gerçekleştiği, bu konunun yarıiletken cihaz teknolojisinde oynadığı oskaılık rolü nedeniyle, yarım yüzyıldır çok yoğun olarak çalışılmış ve bu çalışmaların neticesinde yarıiletken cihazlar günlük hayatımızın vaz geçilemez ihtiyaçları olmuştur. Bor' un silikon içerisindeki difüzyonu yarıiletken cihazlarda p-tipi bölgeler elde etmek için evrensel bir teknik olup, günümüze kadar yarıiletken cihazların fabrikasyonunda kullanılmıştır. Silikon kristali içerisindeki bor katkı profilini hemen hemen bütün araştırmacılar p-n eklem tekniğiyle elde etmiştir. Cihaz teknolojisinde çok önemli bir aşama olan silikon yüzeyin oksitle kaplanması, araştırmacıların çalışmalarını oksit ortamda difüzyonun hızlanmasından dolayı bu yöne çekmiştir. Bor' un difüzyon mekanizması tam olarak, noktasal kusurların özelliklerinin ve silikon yüzeydeki oksidasyon kinetiğinin araştırılması ile anlaşılmıştır. Bu çalışmaların sonucunda, bor ve fosfor gibi katkı maddelerinin difüzyon mekanizmaları ve bu mekkanizmanın difüzyon parametrelerine karşı gösterdikleri davranış anlaşılmıştır
Özet (Çeviri)
SUMMARY Generally, diffusion is a transfer process in which matter is transferred from one place to another place of system. The mechanism of this diffusion process have studied more intensively for last half century due to crucial role in semiconductor device technology and the result of this interest, semiconductor devices have became more important necessity of our day life. The diffusion of Boron in semiconductor devices is a universal technique to obtain p-type regions. The characteristic concentration profile of boron in silicon is obtained by using p-n junction methode. The oxidation process, which is one of the most important part of devices fabrication, guided to the researcher to this research area due to enhancement of diffusion in oxidizing ambient. The diffusion mechanism of boron is understood after the determination of the properties of point defects and the oxidation kinetics at silicon surface. Finally, the diffusion mechanism of boron and phosphorus and behaviour with diffusion parameter, is understood.
Benzer Tezler
- Bor'un sıvı-sıvı ekstraksiyonunda kullanmak üzere değişik yöntemlerle 1,3-diol sentezi
Synthesis of 1,3 diols with different methods to use for liquid-liquid extraction of boron
MEHMET KARAKAPLAN
- Nötron transmisyon tekniği ile Bor'un kantitatif analizi
Quantitive boron detection by neutron transmission method
ERDİNÇ EREN
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Nükleer Mühendislikİstanbul Teknik ÜniversitesiNükleer Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET BAYÜLKEN
- Bor ekstraksiyonu için yeni bir diol sentezi ve bor'un sıvı-sıvı ekstraksiyonunda kullanımı
Başlık çevirisi yok
SERVET TURAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Kimya MühendisliğiDicle ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. HALİL HOŞGÖREN
- Karboksilli asidlerle bor'un sulu çözeltilerden ekstraksiyonu sentezi ve uygulama alanları
With corboxylated acid, synthesis, extraction form bor's liquid solution and it's applied areas
ABİT KATIKAYA
- Türkiye ve dünyada bor
Boron in Turkey and the world
İSMAİL HAKKI ARSLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Endüstri ve Endüstri MühendisliğiGazi ÜniversitesiEndüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YALÇIN EROL