CdS yarı iletken bileşiğinin spray pyrolysis yöntemi ile elde edilmesi ve bazı fiziksel özellikleri
Production of CdS semiconductor compound films by spray pyrolysis method and some of their physical properties
- Tez No: 119775
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN KUL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Spray-Pyrolysis, X-Işını Kırınımı deseni, Optik Absorpsiyon, Ohmik ve Space-Charge-Limited İletim, Ohmik iletim, Sprey piroliz, X ışını kırınımı, Yarı iletken filmler, Spray-Pyrolysis, X-Ray Diffraction, Optical Absorption, Ohmic Conduction, Space-Charge-Limited Conduction, Spray pyrolysis, X ray diffraction, Semiconductor films
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Yüksek Lisans Tezi CdS YARIİLETKEN BİLEŞİĞİNİN SPRAY PYROLYSİS YÖNTEMİ İLE ELDE EDİLMESİ VE BAZI FİZİKSEL ÖZELLİKLERİ ELİF GEDİK Anadolu Üniversitesi Fen Bilimler Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yard. Doç. Dr. Metin KUL 2002, Sayfa 100 Bu çalışmada CdS yarıiletken filmlerinin spray pyrolysis yöntemi ile elde edilmesi ve bazı elektriksel ve optiksel özellikleri incelenmiştir. Filmler 225, 250, 275, 300 ve 325°C taban sıcaklıklarında elde edilmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden filmlerin polikristal oldukları belirlenmiştir. Absorpsiyon spektrumlarından filmlerin yasak enerji aralığı değerleri 2,37-2,43eV ve 2,58- 3,38eV olarak hesaplanmıştır ve direkt bant geçişine sahiptir. Filmler n-tipi elektriksel iletim özelliği göstermektedirler. CdS filmlerinin oda sıcaklığında ve karanlıkta alınan I-V ölçümleri incelenmiş ve iki farklı space charge limited iletim mekanizması olduğu görülmüştür. Bunlar, ohmik bölgenin space charge limited (SCL) bölgesi ya da trap filled limited (TFL) bölgesi tarafından takip edilmesidir. Filmlerin elektriksel iletkenlikleri 5,llxl0“7-3,99xl0~6(ohm-cm)~1, serbest taşıyıcı yoğunluğu 7,13xl01:,-2,49xl016cm*3, tuzak enerji seviyesi 0,66- 0,7eV ve tuzak yoğunluğu 3,35xl014-3,74xl0l3cm”3 olarak hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Master of Science Thesis PRODUCTION OF CdS SEMICONDUCTOR COMPOUND FILMS BY SPRAY PYROLYSIS METHOD AND SOME OF THEIR PHYSICAL PROPERTIES ELİF GEDİK Anadolu University Graduate School of Natural and Applied Science Physics Program Supervisor: Yard. Doç. Dr. Metin KUL 2002, Pages 100 In this study, CdS films were produced by the spray pyrolysis method and their electrical and optical properties were investigated. They were produced at 225°C, 250°C, 275°C, 300°C and 325°C substrate temperatures. The x-ray diffraction of the films showed that they are polycrystalline. The absorpsion spectra of the films showed that this compound is a direct band gap material whose band gap values varied between 2,37-2,43eV and 2,58-3,38eV. All the films showed n-type conductivities. The I-V measurements of the CdS films at room temperature and in dark indicated that the conduction mechanism carried out by the space-charge-limited (SCL) characteristics with two different properties which are that the ohmic region is either followed by the SCL region or by the trap-filled-limited (TFL) region. The conductivity values varied between 5,llxl0~7-3,99xl0~6 (ohm-cm)“1, the free carrier densities 7,13xl015- 2,49xl016cm”3, trap densities 3,35xl014-3,74xl015cm 3 and trap energy levels 0,66- 0,7eV.
Benzer Tezler
- II-VI bileşiklerinin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigations of electrical optical properties of II-VI compounds
FUNDA KIYMET ACIOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL
- Synthesis of some sulfides and oxides through solid-state reactions and structural properties
Başlık çevirisi yok
HALİL GÜLER
Yüksek Lisans
İngilizce
1990
KimyaOrta Doğu Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MERAL KIZILYALLI
- Yarı iletkenlerde yük taşıyıcılarının yoğunluk mobilite ölçümleri ve modellenmesi
Density, mobility measurements and modellings of charge carriers in semiconductors
EDA ÇETİNÖRGÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAMAZAN ESEN
- Tuzaklı yapılarda elektriksel iletkenliğin sıcaklıkla değişimi
The variation of the electrical conductivity by the temperature in structure with traps
MURAT KARA
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. AHMET ŞENOL AYBEK
- In2S3, CdS ve In1-xCdxS yarı iletken ince filmlerinin Sılar Metodu ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
In2S3, CdS and In1-xCdxS semiconductor thin films growth by Sılar method and characterization
MUTLU KUNDAKÇI
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM