Geri Dön

Yarı iletkenlerde yük taşıyıcılarının yoğunluk mobilite ölçümleri ve modellenmesi

Density, mobility measurements and modellings of charge carriers in semiconductors

  1. Tez No: 112507
  2. Yazar: EDA ÇETİNÖRGÜ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. RAMAZAN ESEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Yan İletkenler, CdS, Kimyasal Depolama Yöntemi, Mobilite, İletkenlik, Hareketlilik, Hareketlilik ölçümleri, Kadmiyum sülfür, Yarı iletkenler, Yük taşımacılığı, Semiconductors, CdS, Chemical Bath Deposition, Mobility, Conductivity. «SESSK?» ^kOmaktasyon, Mobility measurements, Cadmium sulfide, Freight transportation, Conductivity
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çukurova Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

CdS yarı iletken malzemeler; güneş pilleri, fotovoltaik ve fotoiletken dedektör, fotosensör, transistor yapımında kullanılan yarıiletken ince filmler içinde oldukça fazla oranda çalışılmaktadır. Aynı zamanda heteroeklem güneş pillerinde, dar band aralıklı CU2S ve InP gibi yarıiletkenlerde pencere katmanı olarak kullanılmaktadır.Yan iletken materyalin elektriksel ve optiksel özelliklerini karakterize eden en önemli büyüklükler; iletkenlik, serbest taşıyıcı yoğunlukları, elektron ve deşik mobiliteleri /4 ve //p, geçirgenlik ve yasak enerji aralığı Eg dir. Bu çalışmada CdS ince filmler cam alt tabakalar üzerine kimyasal depolama yöntemiyle oluşturuldu ve geçirgenlik, band aralığı, iletkenlik, serbest taşıyıcı yoğunlukları ve mobilite çalışıldı. Bu filmlerin özellikleri, aygıt performansını belirleyen kalınlık, optik soğurma, yasak enerji aralığı, iletkenlik ve mobilite cinsinden belirlendi ve ölçümlerin, daha önce yayınlanmış sonuçlarla uyum içinde olduğu gözlendi.

Özet (Çeviri)

Among the thin films CdS has been the one which has been extensively studied in order to make solar cells, photovoltaic and photoconductive dedectors, photosensors, transistors. Also it has been used as a window material in heterojunction solar cells together with narrow band gap semiconductors like CU2S and InP. The most important quantities characterizing the electrical and optical properties of semiconductor materials are the conductivity, the concentrations of free carriers, the carrier mobilities /^ and jup, transmission and band gap (Eg). In the present work CdS thin films were deposited on to glass substrates by chemical bath deposition and transmission, band gap, conductivity, density of free carriers and mobility were studied. These film properties investigated in terms of thickness, optical absorbtion, band gap, conductivity and mobility. It is observed that our measurements are in accordance with the published values.

Benzer Tezler

  1. The Electronic and transport properties of modulation doped heterostructures

    Modülasyon katkılı bhetero-yapıların elektronik ve transport özellikleri

    MOHAMED AYMAN MOGDY ELDENGİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

  2. Ground state properties of double-wire semiconducting systems

    Çift kuantum tellerinde taban enerji seviyesi özellikleri

    NİHAL MUTLUAY MÜSTECAPLIOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1997

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    YRD. DOÇ. DR. BİLAL TANATAR

  3. Tuzaklı yapılarda elektriksel iletkenliğin sıcaklıkla değişimi

    The variation of the electrical conductivity by the temperature in structure with traps

    MURAT KARA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. AHMET ŞENOL AYBEK

  4. Gain measurements via spontaneous emission in quantum well semiconductor lasers

    Kuvantum kuyulu yarıiletken lazerlerde kendiliğinden salım ile kazanç ölçümleri

    TALAL AZFAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1996

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    PROF.DR. ATİLLA AYDINLI

  5. Yarıiletken aletlerin nümerik modellemesi

    Numerical modelling of semiconductor devices

    M. İZZETTİN YILMAZER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZDEMİR