Tuzaklı yapılarda elektriksel iletkenliğin sıcaklıkla değişimi
The variation of the electrical conductivity by the temperature in structure with traps
- Tez No: 198394
- Danışmanlar: DR. AHMET ŞENOL AYBEK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Akımdaki İlk Artış Metodu, Aktivasyon Enerjisi, AS ve RC Metodları, Pik Şekli Metodu, TSC veTL Yöntemleri, Activation Energies of Traps, AS and RC Methods, Initial RiseMethod, Peak Shape Method, TSC and TL Methods
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
iiÖZETYüksek Lisans TeziTUZAKLI YAPILARDA ELEKTRİKSEL İLETKENLİĞİN SICAKLIKLADEĞİŞİMİMurat KARAAnadolu ÜniversitesiFen Bilimleri EnstitüsüFizik Anabilim DalıDanışman: Öğr.Grv.Dr. A.Şenol AYBEK2005, Sayfa 58Bu çalışmada, ısıl yolla uyarılmış akım tekniği incelendi. Isıl yollauyarılmış akım tekniği yarı iletkenlerdeki yük taşıyıcılarının belirlenmesindeyaygın olarak kullanılan bir tekniktir. Isıl yolla uyarılmış akımölçümlerinden elde edilen bilgilerin incelendiği çeşitli teknikler vardır.Bunlar, dengemsi analiz, ısıtma hızı, pik şekli ve akımdaki ilk artışyöntemleridir. CdS yarı iletken filminin aktivasyon enerji değerleri akımdakiilk artış ve pik şekli yöntemleri kullanılarak belirlenmiştir. Aktivasyon enerjideğerlerinin 0,017-0,143 eV arasında yer aldığı hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
iiiABSTRACTMaster of Science ThesisTHE VARIATION OF THE ELECTRICAL CONDUCTIVITY BY THETEMPERATURE IN STRUCTURE WITH TRAPSMurat KARAAnadolu UniversityGraduate School of SciencesPhysics ProgramSupervisor: Dr. A. Şenol AYBEK2005, 58 pagesIn this study, thermally stimulated current technique (TSC) wasstudied. Thermally stimulated current is a measurement technique widelyused for the investigation of charge carrier traps in semiconductor materials.There are various of techniques for determining the trap parametersobtained from the TSC. These are quasiequilibrum analysis, heating rate,peak shape and initial rise methods. The Activation energies of CdSsemiconductor films were determined from using initial rise and peak shapetechniques. Various trapping levels at CdS films have been found to liebetween 0,017 and 0,143 eV .
Benzer Tezler
- ZnO filmlerinin elektrik, optik, yapısal ve yüzeysel özellikleri üzerine kalay katkısının etkisi
The Effect of tin doping on electric, optic, structural and surface properties of ZnO films
VİLDAN BİLGİN
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SALİH KÖSE
- Atom trapping atomic absorption spectrometry using organic solvent atomization
Atom tuzaklı atomik absorbsiyon spektrometrisinde atomlaştırma için organik çözücü kullanımı
SUAT KUMSER
Yüksek Lisans
İngilizce
1996
KimyaOrta Doğu Teknik ÜniversitesiKimya Bilim Dalı
PROF. DR. O. YAVUZ ATAMAN
- İzmir Orman Bölge Müdürlüğünde böceklere karşı feromonların kullanılması üzerine araştırmalar
Untersuchungen über die vervendung von pheromonen für die bekampfung von insekten in der forstdirektion İzmir
ZEYNEL ARSLANGÜNDOĞDU
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Ormancılık ve Orman Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiOrman Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KÜÇÜKOSMANOĞLU
- Interference studies in atom trapping atomic absorption spectrometry
Atom tuzaklı atomik absorpsiyon spektrometrisinde girişim çalışmaları
RAFİK S. HELLES
Yüksek Lisans
İngilizce
1993
KimyaOrta Doğu Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAVUZ ATAMAN
- Determination of Bi and Sb BY atom trapping atomic absorbtion spectrometry using slotted quartz tube
Atom tuzaklı atomik absorbsiyon spektrometrisi ve yarıklı kuvars boru kullanarak Bi ve Sb tayini
MIHRIGUL MAHMUT
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
KimyaOrta Doğu Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. O. YAVUZ ATAMAN