Geri Dön

ZnS yarıiletken bileşiğinin spray pyrolysis yöntemi ile elde edilmesi

Production of compound ZnS semiconductor films by spray pyrolysis method

  1. Tez No: 109779
  2. Yazar: EVREN ARABACI
  3. Danışmanlar: PROF.DR. MUHSİN ZOR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: II- VI Grup Bileşik Yarıiletkenler, Spray-Pyrolysis, Optik Absorpsiyon, X-Işını Kırınımı, Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM), X ışını kırınımı, Yarı iletkenler, Çinko sülfür, II-VI Compound Semiconductors, Spray-Pyrolysis Method, Optical Absorption, X-Ray Diffraction, Scanning Electron Microscopy (SEM), X ray diffraction, Semiconductors, Zinc sulfide
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET Yüksek Lisans Tezi ZnS YARIİLETKEN BİLEŞİĞİNİN SPRAY PYROLYSIS YÖNTEMİ İLE ELDE EDİLMESİ EVREN ARABACI Anadolu Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Muhsin ZOR 2001, 80 sayfa Bu çalışmada II- VI grup ikili bileşiklerinden olan ZnS yarıiletken filmin elde edilme özellikleri incelenmiştir.ZnS yarıiletken filmi spray- pyrolysis yöntemi ile 275°C, 300°C, 335°C ve 425°C taban sıcaklıklarında elde edilmiştir. Belirtilen taban sıcaklığı için elde edilen filmlerin x-ışmı kırınım desenleri incelenerek ZnS yapısındaki filmin 425°C 'den daha düşük elde edilme sıcaklıklarında amorf yapıda ve bu değerde ise polikristal yapıya sahip olduğu belirlenmiştir. ZnS yarıiletken filminin optik özelliklerinin incelenmesi ile direkt band geçişine sahip olduğu ve elde edilme sıcaklığına göre 3,29eV-3,99eV arasında yasak enerji aralığının olduğu saptanmıştır. Elde edilen bütün filmlerin n-tipi iletkenlik gösterdiği belirlenmiştir.Taramalı elektron mikroskobu (SEM) görüntüleri yardımıyla oluşturulan filmlerin topografik yapısı incelenmiştir. 425°C 'den daha düşük taban sıcaklıklarında yüzeye iyi tutunamadıkları belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

11 ABSTRACT Master of Science Thesis PRODUCTION OF COMPOUND ZnS SEMICONDUCTOR FILMS BY SPRAY PYROLYSIS METHOD EVREN ARABACI Anadolu University Graduate School of Natural and Applied Sciences Physics Program Supervisor: Prof.Dr. Muhsin ZOR 2001, 80 pages In this work, ZnS semiconducting material belonging to the II- VI group have been produced by means of spray pyrolysis method at 275°C, 300°C, 335°C and 425°C substrate temperatures. From the x-ray diffraction of pattern it is seen that films produced at 425°C are polycrystalline in structure whereas the ones produced at lower temperatures are amorphous. The materials observed to have a direct band gap, which are varied between 3,29eV-3,99eV due to the substrate temperatures. All the films exhibited n- type conduction characteristics. The SEM micrographs of the films have shown that layered-type stackings are dominant with well-defined boundaries. The adherence of the films produced at substrate temperatures below 425°C observed to be rather weak.

Benzer Tezler

  1. Bazı spineller ve YBiPt kristallerinde paramanyetik rezonans incelemeleri

    Paramagnetic resonance studies on some spinels and YBiPt crystals

    SADIK GÜNER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BEKİR AKTAŞ

  2. CdS ve ZnS yarıiletken bileşiklerin bazı optoelektronik özelliklerinin incelenmesi

    A Study of some optoelectronic properties of CdS and ZnS semiconductor compounds

    ERDOĞAN GÖÇER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞERAFETTİN EREL

  3. Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen ZnS yarı iletken filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of structural optical and electrical properties of ZnS semiconductor films obtained by chemical bath deposition method

    FATMA GÖDE

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. MUHSİN ZOR

  4. Kimyasal biriktirme yöntemi ile CdS, ZnS ve PbS yarıiletken nano yapıların üretilmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of CdS, ZnS and PbS semiconductor nanostructure with chemical bath deposition

    CEMALETTİN TÜRKMEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    EnerjiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL

  5. Çok tabakalı yarıiletken ince film aygıtların üretimi ve modellemesi

    The Production and modelling of multilayered semiconductor thin film devices

    HÜLYA METİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAMAZAN ESEN