Geri Dön

Kimyasal biriktirme yöntemi ile CdS, ZnS ve PbS yarıiletken nano yapıların üretilmesi ve karakterizasyonu

Growth and characterization of CdS, ZnS and PbS semiconductor nanostructure with chemical bath deposition

PDF İndir

  1. Tez No: 184045
  2. Yazar: CEMALETTİN TÜRKMEN
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Enerji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Savunma ve Savunma Teknolojileri, Energy, Physics and Physics Engineering, Defense and Defense Technologies
  6. Anahtar Kelimeler: Yarıiletken nano yapılar, ince filmler, eksitonlar, X-ışınıdedektörleri, γ-ışını dedektörleri, kızılötesi dedektörler, termal dedektörler, güneşpilleri, p-n eklemler, metal-yarıiletken eklemler, Semiconductor nanostructures, thin films, excitons, X-ray dedectors, γ-ray dedectors, infrared dedectors, thermal dedectors, solar cells, p-n junctions, metal-semiconductor junctions
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Güneş pilleri ve kızılötesi dedektörler gibi optoelektronik devreler içinyarıiletken nano kristaller Kimyasal Biriktirme Yöntemi ile üretilmiştir. Yarıiletkentekli kristaller ve nano kristaller XRD, EDS ve SEM ölçümleri ile araştırılmıştır. SEMgörüntüsünden GaSe tabakaların kalınlığının 3 nm ile 10 nm arasında değiştiğibelirlenmiştir. Cam tabanlar üzerinde CdS nano kistallerin boyutunun 5 nm ile 50 nmarasında olduğu belirlenmiştir. Yarıiletkenlerin band aralığı optik absorbansölçümlerinden bulunmuştur. GaSe tekli kristallerin eksiton bağlanma enerjisi 20 meVolarak hesaplanmıştır. Tüm numunelerin elektriksel özdirenci iki nokta Akım-Gerilimölçümlerinden hesaplanmıştır. Cam üzerine üretilen PbS nano kristallerin elektrikselözdirenci 5 cm olarak belirlenmiştir. CdS nano yapılar için yeni bir taban olan GaSeyüzeyler ilk olarak burada rapor edilmiştir. GaSe üzerine üretilen CdS nano kristallerinelektriksel iletkenliğinin, cam üzerine üretilen CdS nano kristallere göre 50 kat fazlaolduğu görülmüştür. Akım-Gerilim ve Kapasitans-Gerilim ölçümleri için Au/p-GaSeve Ag/n-CdS eklemler oluşturulmuştur. GaSe nano tabakaların serbest taşıyıcıyoğunluğu, Kapasitans-Gerilim ölçümlerinden, 3x1014 cm3 olarak hesaplanmıştır.Ayrıca serbest taşıyıcı yüklerin taşınabilirliği ve eklemlerin engel yüksekliği buölçümler ile belirlenmiştir. Optoelektronik devre yapımları için Au/p-GaSe/n-CdS,p-GaSe/p-PbS, Ag/p-PbS/n-CdS eklemler ve CdZnS kuantum noktalar oluşturulmuştur.Bu optoelektronik araçların savunma teknolojisinde kullanılması amaçlanmıştır.

Özet (Çeviri)

Semiconductor nanocrystals were grown by Chemical Bath Depositiontechnique for optoelectronic devices such as IR dedectors, solar cells. Semiconductorsingle crystals and nanocrystals were investigated by XRD, EDS and SEM. Thicknessof GaSe layers were determined between 3 nm and 10 nm with SEM image. CdS nanoparticals on the glass substrate were determined between 5 nm and 50 nm. Band gap ofsemiconductors were found by optical absorbtion mesurement. Exciton binding energyof GaSe single crystals were calculated as 20 meV. Electrical resistivity of all sampleswas calculated with Current-Voltage mesurement by two point contact. Electricalresistivity of PbS nanocrystals was calculated as 5 cm on the glass substrate. CdSnanocrystals on GaSe substrates were reported. Electrical conductivity for CdSnanocrystals on a GaSe substrate increased 50 times according to CdS on glasssubstrates. Au/p-GaSe and Ag/n-CdS junctions were formed for Current-Voltage andCapacitans-Voltage measurements. Carrier density of GaSe layers was calculated as3x1014 cm3 with Capacitans-Voltage measurements. In addition to that carrier mobilityand barrier heigth were also determinated by these measurements. Optoelectronicdevices were made with Au/p-GaSe/n-CdS, p-GaSe/p-PbS, Ag/p-PbS/n-CdSheterojunctions and CdZnS quantum dots. These optoelectronic devices were purposedfor the defence technology

Benzer Tezler

  1. Tez No

    67083

    Kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile biyouyumlu pirolitik karbon kaplama

    Biocompatible pyrolitic carbon coatings with chemical vapor deposition technique

    HAYATİ EKREN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Makine MühendisliğiKocaeli Üniversitesi

    Gemi İnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSEYİN ŞİNASİ ONUR

  2. Tez No

    142999

    Preparation of TiO2 thin films on metal substrates by cathodic arc deposition technique

    Ark fiziksel buhar biriktirme yöntemi ile metalik taban malzemeleri üzerinde TiO2 ince filmlerin üretimi

    BAHADIR KEPENEK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ ÇAKIR

  3. Tez No

    119355

    Pb(Zr 0.52 Ti 0.48)O3 films on stainless steel by chemical solution deposition

    Kimyasal çözeltiden biriktirme yöntemiyle paslanmaz çelik üzerinde hazırlanan Pb(Zr 0.52 Ti 0.48)O3 filmler

    FARUK ALTAN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2002

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MACİT ÖZENBAŞ

  4. Tez No

    35710

    Hot filament assisted chemical vapor deposition of diamont coatings

    Sıcak filaman yardımlı kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle elmas kaplama

    AYKAN AKBAŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. A. MACİT ÖZENBAŞ

  5. Tez No

    75145

    Molibden nitrür kaplamaların aşınma davranışı

    Başlık çevirisi yok

    İ.BÜLENT NİLÜFER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SABRİ KAYALI

Geri Dön