Geri Dön

GaAs/GaAlAs iki boyutlu yarı iletken aygıtlarda yüksek frekans modülasyon olayların incelenmesi

Investigation of high frequency modulation behaviour on GaAs/GaAlAs 2-D Semiconductor devices

  1. Tez No: 105407
  2. Yazar: RIFAT YENİDÜNYA
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÇETİN ARIKAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Yüksek frekans, İki boyutlu yapılar, High frequency, Two dimensional structures
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET GaAs/GaAlAs İki Boyutlu Yarıiletken Aygıtlarda Yüksek Frekans Modülasyon Olaylarının İncelenmesi Çalışmada öncelikli olarak“Hot Electron Lasing and Light Emitting Semiconductor Heterostructure”HELLISH yapılarının çalışması ve özelliklerinin araştırılması üzerinde durulmuştur. Yine aynı yapıdan türetilen ve çift yönlü çalışabilme özelliği gösteren Top Hat HELLISH elemanının uygulamaya yönelik özellikleri farklı teknikler kullanılarak araştırılmıştır. En son aşamada yine TOP HAT HELLISH elemanı kullanılarak yapılabilecek bir devrenin nasıl olması gerektiği TOP HAT HELLISH elemanının basit eşdeğer devresi de kullanılarak incelenmiştir. XI

Özet (Çeviri)

SUMMARY Investigation of High Frequency Modulation Behaviour on GaAs/GaAlAs 2-D Semiconductor Devices This study is focused mainly on operation principles and properties of“ hot electron lasing and light emitting semiconductor heterostructure”HELLISH devices. The properties of a derivative of this device,called Top Hat HELLISH, which is capable of operating bidirectionally, has been investigated by using different techniques as well. At the last stage the structure of the possible circuit using Top Hat HELLISH has been discussed whh the help of the simple equivalent circuit of the Top Hat HELLISH device. XU

Benzer Tezler

  1. Modülasyon katkılı hetero-eklemlerin elektronik özellikleri

    Electronic properties of modulation doped heterojunctions

    A. TÜRKER TÜZEMEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZDEMİR

  2. Kuantum tellerinde yabancı atom, elektrik alan ve tel geometrisinin etkileri

    Impurity problem in quantum well wires, elektric field and the effects of wire geometry

    MUSTAFA ULAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

  3. Geçiş modunda GaAlAs/GaAs fotokatotların kuantum verimi ve değerlerinin belirlenmesi

    Determination of quantum yield values of GaAlAs/GaAs transmission mode photocathodes

    ÖMER FARUK FARSAKOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. ZENGİN D. MEHMET

  4. GaAs-Alo 3Gao 7As kuantum çukurları sistemlerinde düzlemsel fotoiletkenlik

    Başlık çevirisi yok

    YÜKSEL ERGÜN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALİ GÜNGÖR

  5. GaAs MESFET karıştırıcılarda AF geribeslemenin gürültü sayısı üzerine etkisi

    The Effect of if feedback on MESFET mixers noise figure

    RIZA SEZER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI