Geçiş modunda GaAlAs/GaAs fotokatotların kuantum verimi ve değerlerinin belirlenmesi
Determination of quantum yield values of GaAlAs/GaAs transmission mode photocathodes
- Tez No: 22807
- Danışmanlar: DOÇ.DR. ZENGİN D. MEHMET
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Geçiş Modunda GaAlAs/GaAs Fotokatot, Görüntü Yoğunlaştırma, KuantunfVerimi, Kuantum Verimi nin Spektral Bağımlılığı, İç Kuantum Verimi, Dış Ku antum Verimi, Difüzyon Uzunluğu, Normalize Edil miş Yüzey Yeniden Birleşme Hızı, Fotokatotlar, Kuantum verimi, GaAIAs/GaAs Transmission Mode Photocathode, Image Intensification, Quantum Yield, Spectral Dependence of Quantum Yield, Internal Quantum Efficiency, External Quantum Efficiency, Diffusion Length, Normalized Surface Recombination Velocity, Photocathodes
- Yıl: 1992
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
m ÖZET Doktora Tezi GEÇİŞ MODUNDA GaAlAs/GaAs FOTOKATOTLARIN KUANTUM VERİMİ DEĞERLERİNİN BELİRLENMESİ Ömer Faruk FARSAKOĞLU Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç. Dr. D. Mehmet ZENGİN 1991, Sayfa: 111 Jüri: Doç. Dr. D. Mehmet ZENGİN Prof. Dr. Necmi SERİN Prof. Dr. Kerim KIYMAÇ Geçiş modunda GaAlAs/GaAs fotokatotlann enerji-band yapılan ve algılama ortamı incelenmiştir. Görüntü yoğunlaştırmada düşük yoğunlukta foton algılanması ile elektron görüntüsü sağlayan bu fotokatotlann incelenen enerji-band yapısı baz alınarak ve difüzyon uzunluğu L, normalize edilmiş yüzey yeniden birleştirme hızı Sj^, Cs-0 yüzeyinden elektron çıkma olasılığı P, GaAs aktif tabaka kalınlığı d ve optik soğurma katsayüanna a(hv) bağlı kalınarak kuantum verimi değerlerinin 600-900 nm band aralığında spektral değişimi hesaplanmıştır. Kullanılan spektral bölge içerisinde; bu parametrelerin değişimlerinin kuantum verimi ve kuantum veriminin spektral bağımlılığına etkisi belirlenmiştir. İç uyanlmalar ihmal edildiğinde; Sj^ değerlerinin mevcut olmaması durumunda kuantum veriminin spektral bağımlılığının ortadan kalktığı görülmektedir. GaAs aktif tabaka içerisinde iç uyarma etkisinin gözönüne alınmasıyla iç uyarma fonksiyonu hesaplanarak kuantum verimi, kuantum veriminin spektral bağımlılığı ve dış kuantum veriminin üçlü ortogonal sistemde (L, SN) yüzey değişimlerine iç kuantum verimi Tliç'in etkisi incelenmiştir. Sj^ değerlerinin mevcut olmaması durumunda kuantum veriminin spektral bağımlılığı iç uyarma etkisinden dolayı oluşmaktadır. Üçlü ortogonal sistemde (L, Sj^) yüzey değişimlerinden geçiş modunda GaAlAs/GaAs fotokatodun t^ değerlerinin elde edilebileceği belirlen miştir.
Özet (Çeviri)
IV ABSTRACT Ph. D. Thesis DETERMINATION OF QUANTUM YIELD VALUES OF GaAIAs/GaAs TRANSMISSION MODE PHOTOCATHODES Ömer Faruk FARSAKOGLU Ankara University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. D. Mehmet ZENGİN 1991, Page: 111 Jury: Assoc. Prof. Dr. D. Mehmet ZENGİN Prof. Dr. Necmi SERİN Prof. Dr. Kerim KIYMAÇ The energy-band structure and the detection media of GaAIAs/GaAs transmission mode photocathodes have been investigated. The spectral variation of the quantum yield of these photocathodes for a low light level imaging at the interval of 600-900 nm depending on the energy-band structure and the parameters such as the diffusion length L, the normalized surface recombination velocity S^ Cs-0 surface escape probability P, GaAs active layer with a thickness d and GaAs optical obsorption coefficients a(hv) were calculated. On the spectral region used; the effect of the variation of the parameters on the quantum yield and its spectral dependence was determined. When Sj^ values are not available without taking into account internal excitations, the spectral dependence of the quantum yield is found out to be vanishing. By calculating the internal excitation function with taking into account internal excitations in GaAs active layer, the effect of the internal quantum efficiency rj^ on the variation of (L, SN) surfaces of the quantum yield, its spectral dependence and the external quantum efficiency on the three orthogonal axes was investigated. When Sj^ values are not available, the spectral dependence of the quantum yield occurs due to the internal excitations. rjin values to be obtained from GaAIAs/GaAs transmission mode photocathodes have been determined by the variation of (L, S^) surfaces on the orthogonal projection.
Benzer Tezler
- Bazı maleik anhidrit terpolimerlerinin sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization terpolymers of some maleic anhydride
ALİ BOZTUĞ
- Synthesis and electrochemistry of tricarbonyl cyclooctatetraenemetal (O) complexes of group 6 elements
Grup 6 elementlerinin trikarbonilsiklooktatetraenmetal (O) komplekslerinin sentezi ve elektrokimyası
GÜRKAN ATINÇ YILMAZ
- Computer aided design of the self oscillating microwave mesfet mixer
Kendinden uyarmalı çift geçitli GaAs mesfet karıştırıcının bilgisayar destekli tasarımı
AHMAD HAKİMİ DARSİNOOİEH
Yüksek Lisans
İngilizce
1990
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI
- Neoclassical ratation of tokamak plasmas in the plateau regime
Plato bölgesinde tokamak plazmalarının neoklasik dönemi
MİLENA A.ANGELOVA
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Astronomi ve Uzay Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiHavacılık Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. UMUR DAYBELGE
- Ballistic performance and impact behavior of alumina armor ceramic
Alümina zırh seramiklerinin balistik performansı ve çarpışma davranışı
MURAT VURAL
Doktora
İngilizce
1998
Uçak Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiHavacılık ve Uzay Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. M. ZEKİ ERİM
