Geri Dön

Silisyum-silisyum dioksit sistemlerinin fiziksel özellikleri

The Physical properties of silicon-silicon dioxide systems

  1. Tez No: 9480
  2. Yazar: ŞENOL ERTEN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. H. MÜMTAZ KIZILYALLI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Silisyumun oksitlenmesi, oksit yükü MOS, C-V tekniği, Oksitlenme, Silisyum, Silisyum dioksit, Silicon oxidation, oxide charge, MOS, C-V technique, Oxidation, Silicon, Silicon dioxide
  7. Yıl: 1990
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Ankara Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

İİİ ÖZET Yüksek Lisans Tezi SİLİSYUM-SİLİSYUM DİOKSİT SİSTEMLERİNİN FİZİKSEL ÖZELLİKLERİ Şenol ERTEN Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : Doç. Dr. H. Mümtaz KIZILYALLI 1990, Sayfa : 55 Jüri : Doç. Dr. H. Mümtaz Kızılyallı Prof. Aymelek özer Doç, Dr | Satılmış Atağ Silisyumun oksitlenme mekanizması ve kinetikleri tanımlandı. Boron türü katkıların, suyun ve klorun oksitlenme kinetiklerine etkisi incelenmiştir. Hızlı oksitlenme fazına dair modeller ve bunlar üzerine kurulan yeni model verilmiştir. RCA pul temizleme işlemi; tekrar edilebilirlik ve nitelik açılarından tercih edilen kuru oksitleme tekniği, TCA ve TCE'nin rolleri, yüksek basıncın oksit kalınlığı üzerindeki etkisi ve diğer oksitleme teknikleri anlatılmıştır. VLSI teknolojisinde olumsuz etkiyi haiz zorlamalar ve karekteristik durulma zamanları verilmiştir. Oksit ve ok- sit-silisytım arayüzeyinde mevcut olan yükler tanımlanmış ve bu yüklerin özellikleri araştırılmıştır. MOS yapısının fiziği ve arayüzey durum yoğunluğunun belirlenmesinde kullanılan C-V yöntemi incelenmiştir.

Özet (Çeviri)

IV ABSTRACT Masters Thesis THE PHYSICAL PROPERTIES OF SILICON-SILICON DIOXIDE SYSTEMS Şenol ERTEN Ankara University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor : Assoc. Prof. Dr. H. Mümtaz KIZILYALLI 1990, Page : 55 Jury : Assoc. Prof. Dr. H. Mümtaz Kızılyallı flppjfrffpjv. Ay*np;Lpic. &SPF. föPPPl. ?F9f»\ PP*. gftoJLpjLŞ. A.t*ığ. The oxidation mechanism and kinetics of silicon were defined. The effects of the dopants like boron, water and cholorine on oxidation kinetics have been investigated. The models due to rapid oxidation phase and new model based on them have been given. RCA cleaning prosess, dry oxidation technique which is prefered in terms of reproducibility and quality, the roles of TCA and TCE, the effect of high pressure on oxide thickness, and other oxidation techniques have been studied. The stress which has a negative effect on VLSI technology and chracteristic relaxation times have been given. The charges which exist at oxide and oxide-silicon interface are defined, and their properties have been investigated. The physics of MOS structure and the determination of the density of interface states by C-V technique have been reviewed.

Benzer Tezler

  1. Düşük basınçta kimyasal buhardan depolama yöntemi ile katkılı ve katkısız silisyum dioksit tabakalarının depolanması

    Deposition of undoped and doped silicondioxide films by low pressure chemical vapor deposition

    MEHMET ÖNDER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ

  2. P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films

    HAYRETTİN YÜZER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. A. HİKMET ÜÇIŞIK

  3. Sentetik silisyum dioksit üretim prosesindeki sülfatlı atık suyun tekrar geri kullanılabilirliğinin incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    MURAT ECE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Kimya MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SELAHATTİN GÖKMEN

  4. Silisyum dioksit depozisyon sistemi

    Silicon dioxide deposition system

    BARBAROS ŞEKERKIRAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. DURAN LEBLEBİCİ