Geri Dön

Electromigration-induced trangranular void motion in interconnects with special reference to computer simulation

Ara bağlantı elemanlarında elektrogöç'e bağlı tanecik içi boşluk hareketi ve bilgisayar modellemesi

  1. Tez No: 93086
  2. Yazar: ERSİN EMRE ÖREN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. TARIK ÖMER OĞURTANI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Elektrogöç, yüzey difüzyonu, metalleştirme, boşluk morfolojisi. iv, Bozulma, Boşluk hareketi, Elektronik devreler, İnce filmler, Electromigration, surface diffusion, metallization, void morphology. iii, Degradation, Void motion, Electronic circuits, Thin films
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

oz ARA BAĞLANTI ELEMANLARINDA ELEKTROGÖÇ'E BAĞLI TANECİK İÇİ BOŞLUK HAREKETİ VE BİLGİSAYAR MODELLEMESİ ÖREN, Ersin Emre Yüksek Lisans, Metalürji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Tank Ö. OĞURTANI Eylül 2000, 169 sayfa Bu çalışmanın amacı; mikro-elektronik devrelerdeki metalik ince filmlerin bozulma nedenlerinin ve yaşam sürelerinin tahminini sağlamak için gerekli, boşluk dinamiği ve boşlukların şekil değişikliklerinin ayrıntılı bir şekilde incelenmesidir. Bu analiz, boşluğun silindirik bir şekilde film kalınlığı boyunca uzadığı kabul edilerek iki boyut ile sımrlandınlmıştır. Elektrik alanın yan-durağan olduğu kabul edilmiştir. Laplace denklemi“Dolaylı Sımr Elemanı”yöntemi, IBEM kullanılarak çözülmüştür. Boşluk hareketi sırasında boşluk sınırları boyunca elektrik alanının teğetsel bileşeni hesaplanmıştır. Kapiler etkinin hesaplanmasında, bölgesel eğrilik ile kimyasal potensiyel arasında Herring ilişkisinin olduğu kabul edilmiş ve yüzey katmanının özel Helmholtz serbest enerjisi ile bağlantısı sağlanmıştır. Farklı başlangıç boşluk şekilleri kullamlmış, ve bunların şekil değişiklikleri,“dilimleme”yordamı ortaya konularak hesaplanmış ve sonuçta elde edilen“lineer olmayan kısmi diferansiyel denklem”sayısal olarak Euler'in“belirli fark”yöntemi kullanılarak çözülmüştür. Uygulanan elektrik alan, özel yüzey Helmholtz serbest enerjisi, metalik ara- bağlantılann kalınlığı ve başlangıç boşluk morfolojisi gibi farklı deney koşullarında, boşluk hareketi ve şekil değişikliklerin, çok zengin bilgisayar simülasyon sonuçlan elde edilmiştir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT ELECTROMIGRATION - INDUCED TRANSGRANULAR VOID MOTION IN INTERCONNECTS WITH SPECIAL REFERENCE TO COMPUTER SIMULATIONS ÖREN, Ersin Emre Master, Department of Metallurgical and Materials Engineering Supervisor: Prof. Dr. Tank Ö. O?URTANI September 2000, 169 pages The purpose of this work is to provide such a comprehensive picture of void dynamics and shape changes that one should eventually be able to predict main reasons and conditions under which failure of metallic thin films occurs. Our analysis follows a continuum formalism of surface diffusion and mass accumulations under the action of the electrostatic potential and capillary effects in unpassivated interconnects with finite width. This analysis is limited to two dimensions, in such a case; the void is 'cylindrical' and extends throughout the film thickness. The electrical field assumed to be quasi-static in nature. The Laplace equation is solved by utilizing Indirect Boundary Element Method, IBEM. The tangential component of the electric field intensity over the void boundary was calculated during void evolution. In the calculation of the capillary effect, it has been assumed that the Herring' s relationship between local curvature and the chemical potential is valid and connected by specific Helmholtz free energy of surface layer. Different initial void morphologies have been used, and their shape variations are calculated by introducing a discretization procedure, and the resulted nonlinear partial differential equation is solved numerically by Euler's method of finite difference. Very rich computer simulation results have been obtained in regards to void motion and shape changes under various experimental conditions such applied electric field, specific surface Helmholtz free energy, interconnect width and finally the initial void morphology.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    90695

    Computer simulation of electromigration in integrated circuits

    Entegre devrelerde elektromigrasyon bilgisayar simulasyonu

    ÖNDER UYSAL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TARIK ÖMER OĞURTANI

  2. Tez No

    36212

    Controlled lateral and perpendicular motion of atoms on metal surfaces

    Atomların metal yüzeylerinde yatay ve düşey yönde kontrollü hareketleri

    ALPER BULDUM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    PROF. SALİM ÇINARCI

  3. Tez No

    67021

    Elektrodifüzyon yoluyla Ag katkısının Bi1.6 Pbo.4 Ca 2.3 Cu3.3 O10 (2223) süperiletkenlerin yapısal özellikleri üzerine etkisi

    The effect of Ag doped by electrodifussion on structure properties of the Bi1.6Pbo.4Sr2Ca2jCu3.3O10 superconductors

    MUSTAFA YILMAZLAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKaradeniz Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HÜSEYİN CÖMERT

Geri Dön