Geri Dön

Au/(AgCdS:PVP)/n-Si schottky diyotların akım-voltaj (I-V) ve kapasitans/iletkenlik-voltaj (C/G-V) özelliklerinin karanlık ve 100 mw/cm2 ışık şiddeti altında incelenmesi

Investigation of current-voltage (I-V) and apacitance/conductivity-voltage (C/G-V) properties of Au/(AgCdS:PVP)/n-Si schottky diodes in dark and under 100 mw/cm2 illumination intensity

PDF İndir

  1. Tez No: 860414
  2. Yazar: GAMZE ASLANBAŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. PERİHAN DURMUŞ, PROF. DR. HAYRİYE GÖKÇEN ÇETİNKAYA
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Polimer Bilim ve Teknolojisi, Energy, Physics and Physics Engineering, Polymer Science and Technology
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, Au/(AgCdS:PVP)/n-Si (MPS) tipi Schottky bariyer diyotlarını (SBDs), fosfor katkılı ve 1 .cm dirençli n-Si levha üzerine üretildi. Fabrikasyon işlemlerden sonra oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirildi. Ln(I)-V grafikleri düşük/orta eğilim bölgeleri (LBR, MBR) olarak adlandırılan iki farklı doğrusal parçayı gösterdiği ortaya konuldu. Bu ln(I)-V grafiğinin hem karanlıkta hem de 100 mW/cm2 aydınlatma yoğunluğu altında arayüzey tabakasının yapının elektriksel karakteristiklerine olan etkisini araştırmak amacıyla Termiyonik Emisyon teorisi, Cheung ve Norde fonksiyonu kullanılarak ileri öngerilim I-V eğrilerinden n idealite faktörü, I0 ters doyma akımı ve B(I-V) sıfır beslem bariyer engel yüksekliği gibi temel elektriksel parametler elde edildi ve sonuçlar birbirleriyle karşılaştırıldı. Elde edilen sonuçların birbirinden farklılıklarının nedenleri olarak hesaplamalarda kullanılan yöntem farkı, NSS arayüzey durumlarının varlığı ve engel homojensizliğine atfedildi. Daha sonra Card ve Rhoderick yöntemi kullanılarak, enerjiye bağlı Nss ve (Ec-Ess) grafikleri, I-V eğrileri, özellikle de voltaja bağlı n ve B değerleri kullanılarak çizildi. Yapının 1 MHz frekans altında çizilen 1/C2-V eğrisinden ND katkı atomlarının yoğunluğu, B bariyer engel yüksekliği, WD tüketim tabakası kalınlığı, RS seri direnç, VD difüzyon potansiyeli, NSS arayüzey durumları ve EF fermi enerjisi karakteristikleri elde edildi ve diyotun C-V ve G/-V grafikleri çizildi. Au/(AgCdS:PVP)/n-Si Schottky diyotunun arayüzey durumlarının voltaj bağımlılığını araştırmak için Yüksek-Düşük (1 MHz & 3 kHz) Frekans Kapasitans Metodu kullanıldı. Elde edilen sonuçların mevcut literatür göz önüne alındığında, MPS yapı için uygun olduğu görüldü. Deneysel sonuçlar, hazırlanan Au/(AgCdS:PVP)/n-Si (MPS) Schottky diyotlarının ışığa duyarlı olduğunu ve (AgCdS:PVP) ara yüzey katmanının geleneksel izolatörlerde, fotodiyotlarda, foto sensör uygulamalarında ve güneş pillerinde başarıyla kullanılabileceğini göstermektedir.

Özet (Çeviri)

In this study, Au/(AgCdS:PVP)/n-Si (MPS) type Schottky barrier diodes (SBDs) were produced on phosphorus-doped n-Si sheet with a resistance of 1 .cm. After fabrication processes, current-voltage (I-V) measurements were performed at room temperature. It was revealed that Ln(I)-V graphs show two different linear parts called low/medium trend regions (LBR, MBR). In order to investigate the effect of this ln(I)-V graph on the electrical characteristics of the interfacial layer of the structure both in the dark and under 100 mW/cm2 illumination intensity, thermionic emission theory, Cheung and Norde function were used, and n ideality factor, I0 reverse saturation were obtained from forward bias I-V curves. Basic electrical parameters such as current and B(I-V) zero power barrier barrier height were obtained and the results were compared with each other. The reasons for the differences between the obtained results were attributed to the difference in the method used in the calculations, the existence of NSS interface states and barrier inhomogeneity. Then, using the Card and Rhoderick method, energy-dependent Nss and (Ec-Ess) graphs, I-V curves, especially voltage-dependent n and B values were drawn. The density of ND dopant atoms, B barrier barrier height, WD consumption layer thickness, RS series resistance, VD diffusion potential, NSS interface states and EF fermi energy characteristics were obtained from the 1/C2-V curve of the structure drawn under 1 MHz frequency, and the C-V and EF fermi energy characteristics of the diode were obtained. G/-V graphs were drawn. High-Low (1 MHz & 3 kHz) Frequency Capacitance Method was used to investigate the voltage dependence of the interfacial states of the Au/(AgCdS:PVP)/n-Si Schottky diode. The results obtained were found to be suitable for the MPS structure, considering the existing literature. Experimental results show that the prepared Au/(AgCdS:PVP)/n-Si (MPS) Schottky diodes are photosensitive and the (AgCdS:PVP) interfacial layer can be used successfully in conventional insulators, photodiodes, photo sensor applications and solar cells.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    394462

    Farklı sürelerle CdCl2 ortamında ısıl işlem görmüş ince film CdTe/CdS güneş pillerinin elektriksel karakterizasyon yöntemleriyle incelenmesi

    Investigation of thin film CdTe/CdS solar cells treated in CdCl2 for different durations by electrical characterization techniques

    ŞADAN ÖZDEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HABİBE BAYHAN

  2. Tez No

    562239

    CZTS ince film güneş pilleri için plazmonik etki ile güneş pili veriminin arttırılması

    Increasing solar cell efficiency with plasmonic effects for CZTS thin film solar cells

    SERAP YİĞİT GEZGİN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAMDİ ŞÜKÜR KILIÇ

  3. Tez No

    184045

    Kimyasal biriktirme yöntemi ile CdS, ZnS ve PbS yarıiletken nano yapıların üretilmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of CdS, ZnS and PbS semiconductor nanostructure with chemical bath deposition

    CEMALETTİN TÜRKMEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    EnerjiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL

  4. Tez No

    246238

    Selective plasmonic control of excitons and their non-radiative energy transfer in colloidal semiconductor quantum dot solids

    Kolloidal yarıiletken kuvantum noktacık filmlerinde ekzitonların seçimli plazmonik kontrolü ve radyasyonsuz enerji transferleri

    TUNCAY ÖZEL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HİLMİ VOLKAN DEMİR

  5. Tez No

    444722

    Polimer güneş pillerinde yarıiletken ince filmlerin elektron taşıyan tabaka olarak kullanılması

    Using semiconductor thin films as a electron transport layer in polymer solar cells

    SİNEM BOZAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    EnerjiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERAP GÜNEŞ

Geri Dön