Geri Dön

Fabrication and characterization of amorphans silikon microcavities

Amorf silikon mikroçınlaçlarının üretimi ve karakterizasyonu

  1. Tez No: 83741
  2. Yazar: SELİM TANRISEVEN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ALİ SERPENGÜZEL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Mikroçınlaç, Dağıtılmış Bragg Yansıtıcısı, İnce Film, Fabry- Perot, Kalite Faktörü, Çınlama, Fotoışıma, Yansıma, Transfer Matris Metodu, Fotonik, Optoelektronik, Karakterizasyon, Silisyum, Üretim, İnce filmler, Microcavity, Distributed Bragg Reflector, Thin Film, Fabry- Perot, Quality Factor, Resonance, Photoluminescence, Re flectance, Transfer Matrix Method, Photonics, Optoelectronics, Characterization, Silicon, Production, Thin films
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Özet AMORF SİLİKON MIKROÇINLAÇLARININ ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU Selim TANRISEVEN Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Y. Doç. Dr. Ali Serpengüzel Temmuz 1999 Bu tez çalışmasında bir boyutlu amorf silikon mikroçmlaçlar üretildi, ve oda sıcaklığında karakterize edildi. Mikroçmlaçlar, aktif amorf silikon tabakasının, dönüşümlü silikon ni trat ve silikon oksit tabakalarından oluşan, çok katmanlı dağıtılmış Bragg yansıtıcılarının arasına yerleştirilmesiyle gerçekleştirildi. Bütün tabakalar plazma yardımlı kimyasal buhar çökeltme yöntemi ile silikon üzerine büyütüldü. Çınlaç kipinin amorf silikonun maksimum ışıma dalgaboyuna ayarlanmasıyla daha dar ve kuvvetlenmiş fotoışıma elde edildi. Aygıtların incelenmesi, fotoışıma ve yansıma ölçümleri ile yapıldı. Deneysel sonuçların transfer matris metoduyla hesaplanan kuramsal sonuçlarla iyi bir uyum içinde olduğu görüldü..

Özet (Çeviri)

Abstract FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF AMORPHOUS SILICON MICROCAVITIES Selim TANRISEVEN M. S. in Physics Supervisor: Asst. Prof. Ali Serpengiizel JULY 1999 In this thesis, planar amorphous silicon microcavities were fabricated and characterized at room temperature. Microcavities were realized by embedding the active amorphous silicon layer between distributed Bragg reflectors, which are composed of alternating silicon oxide and silicon nitride layers. All of the layers were grown by plasma enhanced chemical vapor deposition on silicon substrates. By tuning the cavity mode to emission maximum of amorphous silicon, a narrow and enhanced emission line is obtained. Device characterization was done by means of photoluminescence, and reflectance measurements. The experimental results compare favorably with the theoretical calculations performed by transfer matrix method.

Benzer Tezler

  1. Amorf silisyumda staebler wronski etkisinin fotoiletkenlik parametresi üzerindeki rolü

    The Role of staebler-wronski effect on the prameter of photocondictivity in amorphus silicon

    SEVİLAY UĞUR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ.DR. FATMA TEPEHAN

  2. Fabrication and characterization of high speed resonant cavity enhanced schottky photodiodes

    Resonant boşluk destekli yüksek hızlı schottky fotodedektörlerinin yapımı ve karakterizasyonu

    M.SAİFUL İSLAM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1996

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Y.DOÇ.DR. EKMEL ÖZBAY

  3. Fabrication and characterization of high-speed, hig quantum efficiency, resonant cavity enhanced schottky photodidoes

    Rezonant kavite ile güçlendirilmiş yüksek, hızlı ve yüksek verimli schottky fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu

    ERHAN POLATKAN ATA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY

  4. Fabrication and characterization of semiconductor double quantum well diode lasers

    Çift kuvantum kuyulu yarıiletken lazerlerinin yapımı ve incelenmesi

    BÜLENT EROL SAĞOL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ SERPENGÜZEL

  5. Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors

    GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu

    TOLGA YALÇIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ